一种推挽电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种推挽电路，包括主推挽模块、驱动模块、应力吸收模块和输出模块，主推挽模块包括变压器的的第一原边线圈和第二原边线圈以及第一晶体管和第二晶体管；驱动模块包括第一电阻、第一电容、第二电阻、变压器的的第三原边线圈、第二电容、第三电阻、第一二极管和第二二极管；应力吸收模块包括：第四电阻和第三电容，第四电阻和第三电容串联，串联的第四电阻和第三电容的一端与第一晶体管的集电极连接，另一端与第二晶体管的集电极连接，输出模块包括变压器的第一副边线圈、变压器的第三副边线圈、第三二极管、第四二极管和第四电容。本实用新型专利技术的推挽电路能够降低电路损耗，提高电路转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种推挽电路
本技术涉及电路，更为具体而言，涉及一种推挽电路。
技术介绍
现有的推挽电路，主要是根据磁芯饱和来发生电路的换向产生自激振荡，向副边输出。但是饱和磁芯会导致电路中产生大的尖峰电流，从而使得电路的损耗加大，降低转换效率。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种推挽电路，该推挽电路通过增加正反馈回路，避免因为饱和磁芯而导致的电路中的大的尖峰电流，降低了电路损耗，提高了电路的转换效率。本技术的一些实施方式提供了一种推挽电路，包括主推挽模块、驱动模块、应力吸收模块和输出模块，所述主推挽模块包括变压器的第一原边线圈和第二原边线圈以及第一晶体管和第二晶体管；所述驱动模块包括第一电阻、第一电容、第二电阻、变压器的第三原边线圈、第二电容、第三电阻、第一二极管和第二二极管，其中，第一电阻和第一电容并联，所述并联的第一电阻和第一电容的一端与第二电阻连接，另一端与所述第一原边线圈和输入端连接，所述第二电阻与第三原边线圈的一端连接，所述第三原边线圈的另一端通过串联的第二电容和第三电阻与所述第二晶体管的基极连接，所述第一二极管的一端连接所述第一晶体管的基极，所述第一二极管的另一端接地，所述第二二极管的一端连接所述第二晶体管的基极，所述第二二极管的另一端接地；所述应力吸收模块包括：第四电阻和第三电容，其中，所述第四电阻和第三电容串联，所述串联的第四电阻和第三电容的一端与所述第一晶体管的集电极连接，另一端与所述第二晶体管的集电极连接；所述输出模块包括变压器的第一副边线圈、第三副边线圈、第三二极管、第四二极管和第四电容，其中，所述第三副边线圈与第三二极管连接，第一副边线圈与第四二极管连接，所述第三二极管和所述第四二极管接输出端，并且通过第四电容接地。在一些实施方式中，所述第一晶体管和第二晶体管的发射极共地。在一些实施方式中，所述第二晶体管的集电极与所述第二原边线圈连接。在一些实施方式中，所述第一晶体管的集电极与所述第一原边线圈连接。在一些实施方式中，所述第二电阻还与所述第一晶体管的基极连接。在一些实施方式中，所述第一二极管和第二二极管为肖特基二极管。在一些实施方式中，所述第三二极管和第四二极管为肖特基二极管。在一些实施方式中，所述第一晶体管和第二晶体管为NPN型晶体管。实施本技术提供的推挽电路，通过在现有的royer电路中增加正反馈回路和应力吸收部分，避免由于磁芯饱和而在电路中产生的大的尖峰电路，降低电路的损耗，实现高效率的电路转换。附图说明图1示出了根据本技术实施方式的推挽电路的电路图。图2示出了一种推挽电路的仿真图。图3示出了根据本技术实施方式的推挽电路的仿真图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本技术的各个方面进行详细阐述。其中，众所周知的模块、单元及其相互之间的连接、链接、通信或操作没有示出或未作详细说明。并且，所描述的特征、架构或功能可在一个或一个以上实施方式中以任何方式组合。本领域技术人员应当理解，下述的各种实施方式只用于举例说明，而非用于限制本技术的保护范围。还可以容易理解，本文所述和附图所示的各实施方式中的模块或单元或处理方式可以按各种不同配置进行组合和设计。参见图1，图1示出了根据本技术实施方式的推挽电路的电路图。该推挽电路是基于royer电路改进的推挽电路。具体而言，该推挽电路可包括驱动模块(例如，可包括电阻R1、电容C3、电阻R3、变压器的第一原边线圈P1、电容C1、电阻R4、二极管D1和二极管D2)、主推挽模块(例如，可包括变压器的第二原边线圈P2和第三原边线圈P3、晶体管Q3和晶体管Q4)、应力吸收模块(例如，可包括电阻R5和电容C4)和输出模块(例如，可包括包括变压器的第一副边线圈S1和第二副边线圈S2、二极管D5和二极管D6以及电容C2)。接下来对各个模块进行具体的说明。主推挽模块包括第二原边线圈P2和第三原边线圈P3，两个晶体管Q3和Q4，晶体管Q3和Q4可以是NPN型晶体管。其中，晶体管Q3和晶体管Q4共发射极接地，晶体管Q3的集电极与第二原边线圈P2的一端连接，晶体管Q4的集电极与第三原边线圈P3的一端连接，晶体管Q3的基极与第一原边线圈P1的一端连接，晶体管Q3的基极还与电阻R3连接，晶体管Q3的基极通过二极管D1接地，晶体管Q4的基极通过二极管D2接地。二极管D1和二极管D2可以是肖特基二极管。驱动模块包括电阻R1、电容C3、电阻R3、第一原边线圈P1、电容C1、电阻R4、二极管D1和二极管D2，电阻R1和电容C3并联，并联的电阻R1和电容C3的一端与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与第一原边线圈P1的一端和输入端连接，电阻R3还与晶体管Q3的基极连接。并联的电阻R1和电容C3的另一端与第二原边线圈P2的一端连接，电阻R3与第一原边线圈P1的一端连接，第一原边线圈P1的另一端通过串联的电容C1和电阻R4与晶体管Q4的基极连接，二极管D1的一端与晶体管Q3的基极连接，另一端接地，二极管D2的一端与晶体管Q4的基极连接，另一端接地。应力吸收模块包括：电阻R5和电容C4，电阻R5和电容C4串联，串联的电阻R5和电容C4的中靠近电阻R5的一端与晶体管Q3的集电极连接，另一端与晶体管Q4的集电极连接。输出模块包括变压器的第一副边线圈S1和第二副边线圈S2、二极管D5和二极管D6，其中，第一副边线圈S1与二极管D5连接，第二副边线圈S2与二极管D6连接，二极管D5和二极管D6接输出端，通过电容C2接地。二极管D5和二极管D6可以是肖特基二极管。输入源V1接入电路，通过电容C3，电阻R1,电阻R3，给晶体管Q3的基极供电，Q3导通，第二原边线圈P2接通，变压器其他绕组根据相位产生对应电压。第一原边线圈P1产生的电压通过晶体管Q3的基极和发射极，二极管D2，电阻R4，电容C1，形成回路，加速晶体管Q3的导通。第一原边线圈P1的电压被输入电压V1及第二原边线圈P2与第一原边线圈P1的匝比限定，随着电容C1的电压被慢慢充高，D2、R4和C1形成的回路的电流慢慢减小，合理选择设计参数(例如，可以采用下述参数：电容C1:2nF,电阻R4:500ohm,core:E14,原边3圈，副边2圈。在二极管D1、D2、D5和D6:肖特基二极管，晶体管Q3和Q4，BCX20)，在磁芯还没有饱和时，流过晶体管Q3的基极和发射极的驱动电流不够饱和导通晶体管Q3，晶体管Q3的集电极和发射极的压降增加，第二原边线圈P2的电压降低，第一原边线圈P1上的电压跟着降低，进一步减小了这个回路的电流，直到Q3不导通。第二原边线圈P2的电压反向。第一原边线圈P1的电压也反向，并通过电容C1,电阻R4,晶体管的Q4的基极和发射极，二极管D1形成回路，反向给电容C1充电，导通Q4，第三原边线圈P3绕组接通，加速晶体管Q4导通，电容C1被反向充高，晶体管Q4退出饱和导通直到关断，绕组电压再次反向，第二原边线圈P2，晶体管Q3重新导通，形成晶体管Q3和晶体管Q4轮流导通的振荡电路。第一副边线圈S1和第二副边线圈S2也轮流导通输出。本技术通过二极管D2、电阻R4、电容C1以及电容C1、电阻R4、二极管D1形成的正反馈回路，避免饱和磁芯而导致的电路中大的尖峰电流，从而降低电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种推挽电路，其特征在于，包括主推挽模块、驱动模块、应力吸收模块和输出模块，所述主推挽模块包括变压器的第一和第二原边线圈以及第一晶体管和第二晶体管；所述驱动模块包括第一电阻、第一电容、第二电阻、变压器的第三原边线圈、第二电容、第三电阻、第一二极管和第二二极管，其中，第一电阻和第一电容并联，所述并联的第一电阻和第一电容的一端与第二电阻连接，另一端与所述第一原边线圈和输入端连接，所述第二电阻与第三原边线圈的一端连接，所述第三原边线圈的另一端通过串联的第二电容和第三电阻与所述第二晶体管的基极连接，所述第一二极管的一端连接所述第一晶体管的基极，所述第一二极管的另一端接地，所述第二二极管的一端连接所述第二晶体管的基极，所述第二二极管的另一端接地；所述应力吸收模块包括：第四电阻和第三电容，其中，所述第四电阻和第三电容串联，所述串联的第四电阻和第三电容的一端与所述第一晶体管的集电极连接，另一端与所述第二晶体管的集电极连接；所述输出模块包括所述变压器的第一副边线圈、第三副边线圈、第三二极管、第四二极管和第四电容，其中，所述第三副边线圈与第三二极管连接，第一副边线圈与第四二极管连接，所述第三二极管和所述第四二极管接输出端，并且通过第四电容接地。...

【技术特征摘要】
1.一种推挽电路，其特征在于，包括主推挽模块、驱动模块、应力吸收模块和输出模块，所述主推挽模块包括变压器的第一和第二原边线圈以及第一晶体管和第二晶体管；所述驱动模块包括第一电阻、第一电容、第二电阻、变压器的第三原边线圈、第二电容、第三电阻、第一二极管和第二二极管，其中，第一电阻和第一电容并联，所述并联的第一电阻和第一电容的一端与第二电阻连接，另一端与所述第一原边线圈和输入端连接，所述第二电阻与第三原边线圈的一端连接，所述第三原边线圈的另一端通过串联的第二电容和第三电阻与所述第二晶体管的基极连接，所述第一二极管的一端连接所述第一晶体管的基极，所述第一二极管的另一端接地，所述第二二极管的一端连接所述第二晶体管的基极，所述第二二极管的另一端接地；所述应力吸收模块包括：第四电阻和第三电容，其中，所述第四电阻和第三电容串联，所述串联的第四电阻和第三电容的一端与所述第一晶体管的集电极连接，另一端与所述第二晶体管的集电极连接；所述输出模...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴丽苹，
申请(专利权)人：东莞市砝钛电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44