氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明专利技术的氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上，形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤；所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：在基底上形成非晶氧化物半导体薄膜；对所述非晶氧化物半导体薄膜中，至少对应待形成的氧化物半导体有源层的沟道区的位置，进行准分子激光退火，以使所述非晶氧化物半导体薄膜中进行激光退火的位置结晶，形成结晶氧化物半导体材料；形成包括氧化物半导体有源层的图形。

【技术实现步骤摘要】
氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法。
技术介绍
氧化物半导体材料具有较高的迁移率，可用于大尺寸OLED及其高分辨率(PPI)显示器件，满足显示器件对背板性能的需求。以氧化铟镓锌(IGZO)半导体材料为例，采用磁控溅射等工艺制备的IGZO通常为非晶态，稳定性较差，限制了该半导体材料的大规模应用。因此，如何提高显示器件的稳定性成为了人们研究的热点。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种实现有源层细线化的氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上，形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤；所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：在基底上形成非晶氧化物半导体薄膜；对所述非晶氧化物半导体薄膜中，至少对应待形成的氧化物半导体有源层的沟道区的位置，进行准分子激光退火，以使所述非晶氧化物半导体薄膜中进行激光退火的位置结晶，形成结晶氧化物半导体材料；形成包括氧化物半导体有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上，形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤；其特征在于，所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：在基底上形成非晶氧化物半导体薄膜；对所述非晶氧化物半导体薄膜中，至少对应待形成的氧化物半导体有源层的沟道区的位置，进行准分子激光退火，以使所述非晶氧化物半导体薄膜中进行激光退火的位置结晶，形成结晶氧化物半导体材料；形成包括氧化物半导体有源层的图形。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上，形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤；其特征在于，所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：在基底上形成非晶氧化物半导体薄膜；对所述非晶氧化物半导体薄膜中，至少对应待形成的氧化物半导体有源层的沟道区的位置，进行准分子激光退火，以使所述非晶氧化物半导体薄膜中进行激光退火的位置结晶，形成结晶氧化物半导体材料；形成包括氧化物半导体有源层的图形。2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：仅通过刻蚀工艺，形成包括氧化物半导体有源层的图形。3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述激光的波长范围为150nm-350nm。4.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述激光包括波长为248nm的KrF激光。5.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述非晶氧化物半导体薄膜的材料为含有铟、镓、锌、铝、锡元素中的至少一种的含氧化合物、含硫化合物、含氮氧化合物、含硫氧化合物中的任意一种。6.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所形成的所述氧化物半导体有源层的沟道宽度在5×10-3um-10um。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：关峰，袁广才，王治，许晨，姚琪，曹占锋，宁策，李禹奉，陈蕾，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11