一种双栅极TFT器件结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种双栅极TFT器件结构及其制备方法，其中双栅极TFT器件结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；在维持现有阵列TFT器件制作工艺流程的前提下，通过在面板内的栅极(GIP)区域施作第三金属层作为TFT器件的顶栅，替代现有技术中单栅极TFT结构器件，进而实现GIP电路的双栅极TFT器件结构，能有效提高TFT器件的电性以及稳定性。

A Double Gate TFT Device Structure and Its Preparation Method

The invention relates to the technical field of electronic components, in particular to a dual-gate TFT device structure and its preparation method, in which the dual-gate TFT device structure includes a glass layer, a first metal layer, a first insulating layer, a semiconductor layer, a second insulating layer, a second metal layer, a third insulating layer, a flat layer and a third metal layer. The third metal layer is applied as the top gate of the TFT device in the grid (GIP) area of the panel, replacing the single-gate TFT device in the existing technology, thus realizing the double-gate TFT device structure of the GIP circuit, which can effectively improve the electrical properties and stability of the TFT device.

【技术实现步骤摘要】
一种双栅极TFT器件结构及其制备方法
本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种双栅极TFT器件结构及其制备方法。
技术介绍
随着有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，通常需要薄膜场效应晶体管(TFT)具有较高的电流电压驱动能力。氧化物半导体(例如：IGZO，一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物)迁移率(10-30cm2/V.s)可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，且IGZOTFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更优越的失调电流(Ioff)，画素TFT只需要单栅极就可抑制漏电问题，有更利于TFT器件的小型化，实现超高分辨率TFT基板的制作。因此，搭配IGZOTFT器件驱动电路的高分辨率AMOLED显示器市场前景很好，为目前国内外主要面板制造厂研发热点。双栅极结构TFT器件相较于传统单栅极结构TFT器件表现出更好的电学稳定性和更强的栅控能力，然而，目前的双栅极结构TFT器件结构较为复杂，以及制备方法需要增加制程工艺复杂度，因而会大大降低产品品质，不利于广泛应用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双栅极TFT器件结构，其特征在于，包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面，所述第二绝缘层上设有至少两个的第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触，所述第三绝缘层一侧面分别与第二金属层远离玻璃层的一侧面以及第二绝缘层远离玻璃层的一侧面接触，所述第三绝缘层另一侧面与平坦层接触；在器件结构的水平方向上，所述平坦层对应两个第一过孔之间的位置设有至少一个的第二过孔，所述第三金属层设置于所述第二过孔中且与所述第三绝缘层另一侧面接触。

【技术特征摘要】
1.一种双栅极TFT器件结构，其特征在于，包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面，所述第二绝缘层上设有至少两个的第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触，所述第三绝缘层一侧面分别与第二金属层远离玻璃层的一侧面以及第二绝缘层远离玻璃层的一侧面接触，所述第三绝缘层另一侧面与平坦层接触；在器件结构的水平方向上，所述平坦层对应两个第一过孔之间的位置设有至少一个的第二过孔，所述第三金属层设置于所述第二过孔中且与所述第三绝缘层另一侧面接触。2.根据权利要求1所述的双栅极TFT器件结构，其特征在于，还包括第四绝缘层和第五绝缘层；所述第四绝缘层一侧面分别与所述第三金属层远离玻璃层的一侧面、第三绝缘层另一侧面接触以及平坦层上第二过孔的孔壁接触；所述第四绝缘层另一侧面与第五绝缘层接触。3.根据权利要求1所述的双栅极TFT器件结构，其特征在于，所述第一过孔和第二过孔的个数比为2:1。4.根据权利要求1所述的双栅极TFT器件结构，其特征在于，所述半导体层的氧化物介质为IGZO。5.根据权利要求1所述的双栅极TFT器件结构，其特征在于，在器件结构的竖直方向上，所述第一过孔对应半导体层位置设...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：福建华佳彩有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35