一种阵列基板的制程方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制程方法和显示面板，该制程方法包括：在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；蚀刻半导体层并得到预设图案；剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和导电薄膜层。本发明专利技术可以减少光罩制程，有效降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的制程方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制程方法和显示面板。
技术介绍
随着科技的发展和进步，液晶显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等热点而成为显示器的主流产品，得到了广泛应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(backlightmodule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。其中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(ColorFilterSubstrate，CFSubstrate，也称彩色滤光片基板)、薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorSubstrate，TFTSubstrate)和光罩(Mask)，上述基板的相对内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；蚀刻半导体层并得到预设图案；剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和ITO层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制程方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上形成栅极金属层和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层，在薄膜晶体管的沟道位置形成蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上形成一金属层，在金属层上沉积一层光阻，对光罩使用一次光罩制程并曝光显影形成预设形状的光阻层；然后蚀刻得到源极和漏极；对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置；蚀刻半导体层并得到预设图案；剥离源极、漏极和沟道位置上方的光阻层；在源极、漏极和沟道位置上方形成钝化层和ITO层。2.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层宽度大于所述源极和漏极之间的沟壑的宽度。3.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述源极和漏极靠近所述沟壑的一部分形成在所述蚀刻阻挡层上。4.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述半导体层包括氧化半导体层。5.如权利要求4所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述氧化半导体层包括铟镓锌氧化物半导体层。6.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征在于，所述对源极和漏极上保留的光阻层进行后烘烤，使得光阻层流动至沟壑位置的步骤包括：以80至200度的烘烤温度，对所述源极和漏极上保留的光阻层烘烤50至180秒钟。7.如权利要求1所述的一种阵列基板的制程方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄北洲，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44