一种介质谐振器、介质滤波器和制造方法技术

技术编号:20656520 阅读:90 留言:0更新日期:2019-03-23 08:00
本发明专利技术提供一种介质谐振器、介质滤波器、介质谐振器或介质滤波器的制造方法。其中,介质包括:实心介质谐振器本体,位于所述实心介质谐振器本体一侧的盲孔,覆盖所述实心介质谐振器本体和所述盲孔的表面的金属化层,以及位于所述盲孔表面的金属化层上的去金属化缺口。采用本发明专利技术提供的介质谐振器,既可以实现对介质谐振器的调试,又可以减少在对介质谐振器调试后,去金属化缺口在介质谐振器装配过程中被金属材料覆盖,所产生的对介质谐振器的谐振频率的影响,还可以使从该缺口泄露的信号能量有所减少。

A Dielectric Resonator, Dielectric Filter and Manufacturing Method

The invention provides a manufacturing method of a dielectric resonator, a dielectric filter, a dielectric resonator or a dielectric filter. The dielectric includes a solid dielectric resonator body, a blind hole on one side of the solid dielectric resonator body, a metallization layer covering the solid dielectric resonator body and the surface of the blind hole, and a demineralization gap on the metallization layer on the surface of the blind hole. The dielectric resonator provided by the invention can not only realize the debugging of the dielectric resonator, but also reduce the influence of metal material covering the demineralized notch in the assembly process of the dielectric resonator after the debugging of the dielectric resonator, resulting in the resonance frequency of the dielectric resonator, and also reduce the signal energy leaked from the notch.

【技术实现步骤摘要】
一种介质谐振器、介质滤波器和制造方法
本专利技术实施例涉及通信
,尤其涉及一种介质谐振器、介质滤波器和制造方法。
技术介绍
随着无线通信技术的日益发展,无线通信基站分布越来越密集,对基站的体积要求越来越小,其中射频前端滤波器模块在基站RFU(radiofrequencyunit,射频单元)或RRU(remoteradiounit,射频拉远单元)中的体积比较大,因此,对滤波器的体积需求也是越来越小。考虑到通信质量,滤波器体积缩小后的性能(比如插损,抑制,功率容量等)需保持不变。射频滤波器的发展已经经历几十年,滤波器的种类和形式非常多,从实现形式上,比较常见的有金属同轴腔,横电(TE,TransverseElectric)模介质腔,横磁(TM,TransverseMagnetic)模介质腔,横电磁(TEM,TransverseElectroMagnetic)模介质腔,波导,微带,薄膜体声波谐振器(FBAR,FilmBulkAcousticResonator),体声波(BAW,BulkAcousticWave),表面声波(SAW,SurfaceAcousticWave)等。其中,射频表示可以辐射到空间的电磁频率,频率范围在300KHz~30GHz之间。在各种形式的滤波器中,体积有较大的(比如TE模介质腔,波导),体积比较适中的(比如金属同轴腔,TM模介质腔),也有体积比较小(TEM模介质腔,微带),还有体积非常小的(FBAR,BAW,SAW等)。但是,从基本的电磁理论分析,滤波器体积越小,表面电流越大,损耗越大,功率承受能力越低,即功率容量越小,总之滤波器的体积越小,性能(损耗,抑制,功率容量等)越差。根据无线基站对滤波器的性能(包括插损,抑制,功率)要求,当前,金属同轴腔,TE模介质腔,TM模介质腔是比较常用的,其中金属同轴腔最常用。其他的介质TEM模,FBAR等小型化滤波器,由于其性能指标不能满足要求而无法应用到大功率的无线基站射频前端。目前,有一种小型化滤波器,采用的是实心介质波导表面金属化(如镀银),来形成的谐振器(简称:介质谐振器)。通常射频滤波器(含微波滤波器)的指标规格要求(比如回波、插损、抑制)都比较严格,滤波器各谐振器的谐振频率,以及谐振器之间的耦合必须准确,但由于设计产品的加工尺寸误差,设计误差和介质介电常数的误差等原因,导致介质谐振器的谐振频率不准确,需要调试。当前的调试方案,通常为在上述介质谐振器的上表面或下表面中的至少一个,通过打磨去金属化,如图1a和图1b所示,为在介质谐振器的下表面打磨去金属化的示意图,其中,图1a为纵截面图,图1b为仰视图。10为实心介质谐振器本体,其中,101为其表面的金属化层,102为其表面经过打磨后的金属化缺口。在此调试方案中,专利技术人在专利技术过程中发现:在该谐振器的装配过程中,该金属化缺口可能会被一些器件的金属化表面覆盖,导致该谐振器的谐振频率发生改变,偏离已调试好的谐振频率,从而影响该谐振器的工作性能。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种介质谐振器及其制造方法、介质滤波器及其制造方法,以便于谐振器性能的调试,且提高调试后性能的保持度。根据第一方面,本专利技术提供了一种介质谐振器,包括:实心介质谐振器本体,位于所述实心介质谐振器本体一侧的盲孔,覆盖所述实心介质谐振器本体和所述盲孔的表面的金属化层,以及位于所述盲孔表面的金属化层上的去金属化缺口。在根据第一方面的第一种可能的实施方式中,所述介质谐振器还包括:用于封堵所述去金属化缺口且与所述去金属化缺口之间有一定间隙的金属化密封部分。在根据第一方面的第一种可能的实施方式的第二种可能的实施方式中,所述金属化密封部分位于所述盲孔内,与所述盲孔的表面相接,所述金属化密封部分与所述盲孔的开口方向一致的表面为金属化表面;或者,所述金属化密封部分位于所述盲孔外,与所述盲孔的开口面周边的金属化层相接,所述金属化密封部分与所述盲孔开口面周边的金属化层相接的表面为金属化表面。在根据第一方面的第一种可能的实施方式或第二种可能的实施方式的第三种可能的实施方式中,所述间隙用于减少所述金属化密封部分对所述介质谐振器的频率的影响。在根据第一方面的第三种可能的实施方式的第四种可能的实施方式中,所述间隙的宽度与所述介质谐振器介质的介电常数和谐振频率有关。在根据第一方面,或第一方面的第一种至第四种可能的实施方式中任一种的第五种可能的实施方式中,所述去金属化缺口和所述介质谐振器的谐振频率有关。在根据第一方面的第五种可能的实施方式的第六种可能的实施方式中,所述去金属化缺口和所述介质谐振器的谐振频率有关具体为所述去金属化缺口的面积和所述介质谐振器的谐振频率有关。在根据第一方面,或第一方面的第一种至第六种可能的实施方式中任一种的第七种可能的实施方式中,所述去金属化缺口位于所述盲孔的内底部。在根据第一方面,或第一方面的第一种至第七种可能的实施方式中任一种的第八种可能的实施方式中,所述去金属化缺口的个数为一个或者多于一个。在根据第一方面,或第一方面的第一种至第八种可能的实施方式中任一种的第九种可能的实施方式中,所述盲孔的深度根据所述介质谐振器介质的介电常数和谐振频率确定。根据第二方面,本专利技术提供了一种介质滤波器,其包括根据第一方面,或第一方面的第一种至第九种可能的实施方式中任一种提供的介质谐振器。根据第三方面,本专利技术提供了一种介质谐振器的制造方法,包括:在形成介质谐振器的实心介质上形成盲孔;将具有所述盲孔的实心介质进行整体金属化,形成介质谐振器的金属化层;在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部分金属化层,形成金属化缺口。在根据第三方面的第一种可能的实施方式中,该介质谐振器的制造方法还包括:在所述盲孔内设置一用于封堵所述去金属化缺口且与所述去金属化缺口之间有一定间隙的去金属化密封部分,所述金属化密封部分与所述盲孔的开口方向一致的表面为金属化表面。根据第三方面的第一种可能的实施方式的第二种可能的实施方式中,所述间隙用于减少所述金属化密封部分对所述介质谐振器的频率的影响。在根据第三方面的第一种可能的实施方式或第二种可能的实施方式的第三种可能的实施方式中,所述间隙的宽度与所述介质谐振器介质的介电常数和谐振频率有关。在根据第三方面的第四种可能的实施方式中,该介质谐振器的制造方法还包括:在所述盲孔开口面周边的金属化层上设置一用于封堵所述去金属化缺口的去金属化密封部分,所述金属化密封部分与所述盲孔开口面周边的金属化层相接的表面为金属化表面。在根据第三方面或第三方面的第一种至第四种可能的实施方式中的任一种的第五种可能的实施方式中,所述在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部分金属化层具体为通过控制所去掉的金属化层的面积调整所述介质谐振器的谐振频率。在根据第三方面或第三方面的第一种至第五种可能的实施方式中的任一种的第六种可能的实施方式中,所述在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部分金属化层,形成金属化缺口具体为在所述盲孔的内底部的表面的金属化层上去掉部分金属化层,形成金属化缺口。在根据第三方面或第三方面的第一种至第六种可能的实施方式中的任一种的第七种可能的实施方式中,所述在所述盲孔的表面的金属化层上去掉部分金属化层,形成金属化缺口具体为在所述盲孔的表面的金属化层上去掉至少一本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种介质谐振器,其特征在于,包括:实心介质谐振器本体,位于所述实心介质谐振器本体一侧的盲孔,覆盖所述实心介质谐振器本体和所述盲孔的表面的金属化层,以及位于所述盲孔表面的金属化层上的去金属化缺口。

【技术特征摘要】
1.一种介质谐振器,其特征在于,包括:实心介质谐振器本体,位于所述实心介质谐振器本体一侧的盲孔,覆盖所述实心介质谐振器本体和所述盲孔的表面的金属化层,以及位于所述盲孔表面的金属化层上的去金属化缺口。2.如权利要求1所述的介质谐振器,其特征在于,还包括:用于封堵所述去金属化缺口且与所述去金属化缺口之间有一定间隙的金属化密封部分。3.如权利要求2所述的介质谐振器,其特征在于,所述金属化密封部分位于所述盲孔内,与所述盲孔的表面相接,所述金属化密封部分与所述盲孔的开口方向一致的表面为金属化表面;或者,所述金属化密封部分位于所述盲孔外,与所述盲孔的开口面周边的金属化层相接,所述金属化密封部分与所述盲孔开口面周边的金属化层相接的表面为金属化表面。4.如权利要求2或3所述的介质谐振器,其特征在于,所述间隙用于减少所述金属化密封部分对所述介质谐振器的频率的影响。5.如权利要求4所述的介质谐振器,其特征在于,所述间隙的宽度与所述介质谐振器介质的介电常数和谐振频率有关。6.如权利要求1至5中任一项所述的介质谐振器,其特征在于,所述去金属化缺口和所述介质谐振器的谐振频率有关。7.如权利要求6所述的介质谐振器,其特征在于,所述去金属化缺口和所述介质谐振器的谐振频率有关具体为所述去金属化缺口的面积和所述介质谐振器的谐振频率有关。8.如权利要求1至7中任一项所述的介质谐振器,其特征在于,所述去金属化缺口位于所述盲孔的内底部。9.如权利要求1至8中任一项所述的介质谐振器,其特征在于,所述去金属化缺口的个数为一个或者多于一个。10.如权利要求1至9中任一项所述的介质谐振器,其特征在于,所述盲孔的深度根据所述介质谐振器介质的介电常数和谐振频率确定。11.一种介质滤波器,其特征在于,包括如权利要求1至10中任一项所述的介质谐振器。12.一种介质谐振器的制造方法,其特征在于,包括:在形成介质谐振器的实心介质上形成盲孔;将具有所述盲孔的实心介质进行整体金属化,形成介质谐振器的金属化层;在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁本贵王强
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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