一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法技术

一种深紫外半导体发光二极管器件，包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层，本发明专利技术中，设计了一种全新的封装结构，不仅整体结构极为简单，相较于现有技术中的工艺结构，整个制作工艺简单易行，降低了制备成本，反射层可以很好的阻挡紫外光的穿透，提高了LED产品的可靠性和使用寿命。

A Deep Ultraviolet Semiconductor Light Emitting Diode Device and Its Preparation Method

A deep ultraviolet semiconductor light emitting diode device includes a substrate, an ultraviolet chip, a first plastic shell, a second plastic shell, an insulator and a lens. The positive and negative regions of the substrate are separated by insulators. The first plastic shell is fixed on the metal substrate and forms a bowl cup. The ultraviolet chip is fixed on the metal substrate and in the bowl cup, and the second one is fixed on the metal substrate. The plastic shell is arranged on the first plastic shell and surrounded by the ultraviolet chip. The lens is connected with the second plastic shell and the bowl mouth of the bowl cup is covered. A reflective layer is arranged on the outer wall of the lens or the inner wall of the bowl cup. In the present invention, a new packaging structure is designed, which is not only simple in overall structure, but also simple and feasible in overall manufacturing process compared with the existing technology. It can reduce the cost of preparation, and the reflector can well block the penetration of ultraviolet light, and improve the reliability and service life of LED products.

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法
本专利技术涉及一种深紫外半导体发光二极管器件及其制备方法。
技术介绍
在紫外线中,波长在200纳米至350纳米的光线被称为深紫外线。而深紫外LED(DUVLED)因其高效、环保、节能、可靠等优势,在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外LED所无法比拟的。由于深紫外LED的波长较短,能量很强,导致材料性能劣化严重,所以对封装技术和封装材料提出了极高的要求。但是,在传统的深紫外LED封装技术中，如专利申请号201310403054.8公开的一种白光LED封装工艺，由于粘合层等在材质方面存在一定缺陷,导致UV光线极易被粘合层吸收,使得粘合层容易变黄、老化等,进而导致深紫外LED存在发光功率不高、散热性差，可靠性低以及使用寿命短等诸多缺点。目前的无机封装技术中，存在生产效率低、良品率低、成本高，规模化生产困难的问题。比如，申请号CN201611256165公开了一种紫外LED封装方法，其中包括在基板四周设置有凸台，凸台上表面设置用于放置石英透镜的台阶式支撑面，在石英透镜与台阶式支本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层。

【技术特征摘要】
1.一种深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：包括基板、紫外芯片、第一塑料外壳、第二塑料外壳、绝缘件和透镜，所述基板的正极区域和负极区域通过绝缘件分隔，所述第一塑料外壳固定在金属基板上并形成碗杯，所述紫外芯片固定在金属基板上并处于碗杯内，所述第二塑料外壳设在第一塑料外壳上并将紫外芯片围住，透镜与第二塑料外壳连接并将碗杯的碗口盖住，在透镜的外壁面或碗杯的内壁面设有反射层。2.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述第一塑料外壳为热固性塑料外壳，所述第二塑料外壳为热固性塑料外壳。3.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述第一塑料外壳为热固性塑料外壳，所述第二塑料外壳为热塑性塑料外壳。4.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述反射层为紫外截至膜层。5.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述基板为金属基板或陶瓷基板。6.按权利要求1所述的深紫外半导体发光二极管器件，其特征在于：所述透镜包括将与碗口盖住的第一透镜部，在第一透镜...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕天刚，王跃飞，莫宜颖，徐炳健，杨永发，吴乾，汤乐明，任荣斌，
申请(专利权)人：鸿利智汇集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44