一种新型X射线成像装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种新型X射线成像装置，包括基板、固定在所述基板上的X射线发生器和金属氧化物半导体平板检测器，所述金属氧化物半导体平板检测器设置在所述X射线发生器上方；所述X射线发生器包括从下至上依次连接的阴极加速腔、阳极加速腔和射线靶单元；所述金属氧化物半导体平板检测器包括从上至下依次连接的外壳、检测器主板和炭纤维面板；所述检测器主板包括闪烁晶体阵列、光电二极管阵列、放大器阵列和图像输出模块。所述新型X射线成像装置可实时呈现放大倍数高的清晰图像，维修保养方便、成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种新型X射线成像装置
本技术涉及X射线成像
，具体涉及一种新型X射线成像装置。
技术介绍
X射线成像技术广泛应用于工业探伤检测和医疗诊断领域，工业上的应用如电子线路板、芯片级透视检测，医疗上用于胸片或CT检查等。X射线成像的质量是该领域最重要的参数，需要不断的提高。现有常见的X射线成像系统主要由特征分辨率大于2微米的射线发生器和图像增辉器组成。因结构设计方面的不足和电压功率等参数的差异，现有射线发生器的特征分辨率低，导致最终成像模糊、亮度不均匀、饱和度及对比度难以调至最佳；现有图像增辉器的原理为模拟成像，即X射线打到荧光屏后发出微弱光图像，该图像照射到光电阴极上，激发光电阴极产生密度分布与该图像亮度分布对应的光电子，光电子被聚焦、加速后打到输出屏上，就得到尺寸缩小而亮度增强的可见光图像，图像无法实时呈现，且被测物在移动过程中易出现拖尾现象，无法清晰的展现图像的变化；此外，现有的图像增辉器适用于探测大尺寸物体，因而其输入屏尺寸要大，又由于亮度的需要，输出屏的尺寸不能太大，所以现有的图像增辉器是一个宽物面小倍率器件，是一个图像缩小管，图像无法被有效放大，且难以识别小尺寸被测物体，导致现有X射线成像系统体积大、不便于安装保养。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种新型X射线成像装置，能够实时呈现放大倍数高且高清晰度的图像。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：提供一种新型X射线成像装置，包括基板、固定在所述基板上的X射线发生器和金属氧化物半导体平板检测器，所述金属氧化物半导体平板检测器设置在所述X射线发生器上方；所述X射线发生器包括从下至上依次连接的阴极加速腔、阳极加速腔和射线靶单元；所述金属氧化物半导体平板检测器包括从上至下依次连接的外壳、检测器主板和炭纤维面板；所述检测器主板包括闪烁晶体阵列、光电二极管阵列、放大器阵列和图像输出模块。优选的，所述X射线发生器和金属氧化物半导体平板检测器通过所述基板上的安装部件固定在所述基板上。优选的，所述碳纤维面板底面与所述射线靶单元顶面之间的距离设置为42～44cm。优选的，所述X射线发生器采用开放式X射线管。优选的，所述X射线发生器还包括聚焦器，所述聚焦器设置在所述射线靶单元的靶孔处。本技术的有益效果是：本技术所提供的新型X射线成像装置，其X射线发生器具有小于0.5微米的特征分辨力和高达10W的X光目标功率输出，能持续高效的产生X射线，为最终成像的清晰度、均匀度和保护度提供可靠的射线源；金属氧化物半导体平板检测器是高速、低噪声、高分辨率的射线成像器，闪烁发光晶体层可高效捕捉X射线能量颗粒，几何放大倍数高达2500，能够实时呈现高清晰度的图像。附图说明图1是本技术一较佳实施例中新型X射线成像装置的分解结构示意图；图2是本技术一较佳实施例中检测器主板的结构框图。附图中各部件的标记如下：100-新型X射线成像装置；10-基板；12、13-块安装部件；20-X射线发生器；21-阴极加速腔；22-阳极加速腔；23-射线靶单元；231-靶孔；30-金属氧化物半导体平板检测器；31-外壳；32-检测器主板；321-闪烁晶体阵列；322-光电二极管阵列；323-放大器阵列；324-图像输出模；33-炭纤维面板。具体实施方式下面结合附图对本技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。本技术的一实施例提供了提供一种新型X射线成像装置，可实时呈现放大倍数高且高清晰度的图像，克服了现有技术中X射线成像装置无法呈现实时图像和图像清晰度低的缺陷。请参阅图1，图1是本实施例中新型X射线成像装置100的分解结构示意图，所述新型X射线成像装置100包括基板10、固定在所述基板10上的X射线发生器20和金属氧化物半导体平板检测器30，所述金属氧化物半导体平板检测器30设置在所述X射线发生器20上方。本实施例中，所述X射线发生器20通过所述基板10上的安装部件12固定在所述基板10上，所述金属氧化物半导体平板检测器30通过所述基板10上的安装部件13固定在所述基板10上，所述安装部件12、13固定连接在所述基板10上，所述安装部件12、13设置为分别与所述X射线发生器20、金属氧化物半导体平板检测器30外形匹配的部件，所述X射线发生器20、金属氧化物半导体平板检测器30可卡设或通过螺栓螺母连接在所述安装部件12、13上。在本技术的其他实施例中，所述安装部件12、13与所述基板10也可以是一体成型结构。所述X射线发生器20包括从下至上依次连接的阴极加速腔21、阳极加速腔22和射线靶单元23。所述阴极加速腔21、阳极加速腔22形成X射线管，本实施例中，所述X射线管为开放式X射线管，即在使用过程中真空泵不断抽真空，确保所述X射线管内形成充分的真空度，以使所述X射线发生器20持续、高效、稳定的产生X射线，且维修保养方便、成本低；所述X射线发生器20还包括设置在所述射线靶单元23的靶孔231处的聚焦器(图中未示出)，用于调整和聚集所述X射线发生器20发射出的X射线，使所述新型X射线成像装置100具有高达10W的X射线目标功率输出，具有小于0.5微米的特征识别力。综上所述，所述X射线发生器20为所述新型X射线成像装置100最终成像的清晰度、均匀度和保护度提供了可靠的射线源。所述金属氧化物半导体平板检测器30包括从上至下依次连接的外壳31、检测器主板32和炭纤维面板33，所述外壳31、检测器主板32和炭纤维面板33可通过胶粘结进行连接。所述外壳31用于保护和支撑所述检测器主板32；所述检测器主板32用于捕捉所述X射线发生器20发射出的X射线能量颗粒，从而高速、低噪声的实时呈现高分辨率的图像，且可识别小尺寸的被测物体；所述炭纤维面板33为所述平板检测器30的X射线接受面，其具有很高的强度和弹性模量，且对X射线吸收率低，使足够量的X射线到达所述检测器主板32。请同时参阅图2，图2是本实施例中所述新型X射线成像装置100中检测器主板32的结构框图，所述检测器主板32包括闪烁晶体阵列321、光电二极管阵列322、放大器阵列323和图像输出模块324。所述检测器主板32高效的闪烁体技术捕捉X射线能量颗粒，几何放大倍数高达2500，使所述新型X射线成像装置100能够实时呈现清晰的图像。应用所述新型X射线成像装置100时，将被测物体置于所述射线发生器20和平板检测器30之间，所述射线发生器20产生X射线，在穿透过程中被测物体吸收了部分的X射线量，部分X射线穿透被测物体到达所述平板检测器30，与直接到达所述平板检测器30的X射线的量有差异，差异X射线量穿透所述炭纤维面板33到达所述检测器主板32，经过所述闪烁晶体阵列321时，射线光子能量转化为可见光光子后再发射,激发所述光电二极管阵列322产生电流，电流就在光电二极管阵列322自身的电容上积分形成储存电荷，每个像素的储存电荷量和与之对应范围内的入射X射线光子能量与数量成正比，经过所述放大器阵列323放大处理后最终以数字信号的形式通过所述图像输出模块324输出至显示设备，显示出被测物体的清晰数字图像。经过专利技术人多次本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型X射线成像装置，其特征在于，包括基板、固定在所述基板上的X射线发生器和金属氧化物半导体平板检测器，所述金属氧化物半导体平板检测器设置在所述X射线发生器上方；所述X射线发生器包括从下至上依次连接的阴极加速腔、阳极加速腔和射线靶单元；所述金属氧化物半导体平板检测器包括从上至下依次连接的外壳、检测器主板和碳纤维面板；所述检测器主板包括闪烁晶体阵列、光电二极管阵列、放大器阵列和图像输出模块。

【技术特征摘要】
1.一种新型X射线成像装置，其特征在于，包括基板、固定在所述基板上的X射线发生器和金属氧化物半导体平板检测器，所述金属氧化物半导体平板检测器设置在所述X射线发生器上方；所述X射线发生器包括从下至上依次连接的阴极加速腔、阳极加速腔和射线靶单元；所述金属氧化物半导体平板检测器包括从上至下依次连接的外壳、检测器主板和碳纤维面板；所述检测器主板包括闪烁晶体阵列、光电二极管阵列、放大器阵列和图像输出模块。2.根据权利要求1所述的新型X射线成像装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒯健，
申请(专利权)人：达格测试设备苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32