半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提供可提供高品质的半导体器件的技术。为解决上述课题，提供一种技术：将具有导电膜、和以露出所述导电膜的方式形成于所述导电膜的外周的绝缘膜的衬底搬入处理室，向所述处理室供给具有与来自所述绝缘膜的脱除气体反应的成分的处理气体，选择性地在所述绝缘膜上形成保护膜。

Manufacturing method of semiconductor device, substrate processing device and recording medium

The invention relates to a manufacturing method of a semiconductor device, a substrate processing device and a recording medium. The problem to be solved is to provide technology that can provide high quality semiconductor devices. In order to solve the above problem, a technique is provided: a substrate having a conductive film and an insulating film formed in the form of exposing the conductive film on the peripheral side of the conductive film is moved into a treatment chamber, and a treatment gas having a component reacting with the gas removal from the insulating film is supplied to the treatment chamber, and a protective film is selectively formed on the insulating film.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
本专利技术涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。
技术介绍
近年来，半导体器件有高度集成化的倾向，随之而来的是，电极间、布线间的微细化。随着微细化，运行速度等半导体器件的特性受各结构的品质的影响变得更加显著。因而，各结构的品质越高，半导体器件的品质也越好，各结构的品质越低，半导体器件的品质也越低。现有技术问题专利文献专利文献1：日本特开2010-186916专利文献2：日本特开2010-147267
技术实现思路
专利技术要解决的课题在封装技术(packagingtechnique)中，如专利文献1、专利文献2所记载的那样，存在例如电极焊盘这样的将导电膜与布线连接的技术。在该技术中，要求形成于布线与导电膜的周围的绝缘物等具有高品质。因此，本专利技术的目的在于，提供一种可提供高品质的半导体器件的技术。用于解决课题的手段提供下述技术：将具有导电膜、和以露出所述导电膜的方式形成于所述导电膜的外周的绝缘膜的衬底搬入处理室，向所述处理室供给具有与来自所述绝缘膜的脱除气体反应的成分的处理气体，在所述绝缘膜上形成保护膜。专利技术效果通过本专利技术涉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的制造方法，具有下述工序：将衬底搬入处理室的搬入工序，所述衬底具有导电膜、和以露出所述导电膜的方式形成于所述导电膜的外周的绝缘膜；和向所述处理室供给处理气体，从而选择性地在所述绝缘膜上形成保护膜的保护膜形成工序，所述处理气体具有与来自所述绝缘膜的脱除气体发生反应的成分。

【技术特征摘要】
2017.09.11 JP 2017-1740891.半导体器件的制造方法，具有下述工序：将衬底搬入处理室的搬入工序，所述衬底具有导电膜、和以露出所述导电膜的方式形成于所述导电膜的外周的绝缘膜；和向所述处理室供给处理气体，从而选择性地在所述绝缘膜上形成保护膜的保护膜形成工序，所述处理气体具有与来自所述绝缘膜的脱除气体发生反应的成分。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述保护膜形成工序中，在将所述衬底维持在第一温度的状态下，向所述处理室供给所述处理气体，从而在所述衬底上沉积含有所述成分的前体，然后，将所述衬底维持在比所述第一温度高的第二温度，从而使所述前体与从所述绝缘膜产生的脱除气体反应，形成所述保护膜。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述处理室设置具有载置所述衬底的载置面的衬底载置台、和能够设定所述衬底与所述载置面之间的距离的升降部，所述升降部当维持在所述第一温度时，设定为使得所述衬底与所述载置面成为第一距离的第一位置，当维持在所述第二温度时，设定为使得所述衬底与所述载置面成为比所述第一距离短的第二距离的第二位置。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述成分为卤素成分。5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，所述导电膜为电极或者电极焊盘。6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述成分为卤素成分。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，所述导电膜为电极或者电极焊盘。8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，在所述保护膜形成工序之后，具有通过溅射处理在所述保护膜上形成晶种膜的晶种膜形成工序。9.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述导电膜为电极或者电极焊盘。10.在根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，所述保护膜形成工序之后，具有通过溅射处理在所述保护膜上形成晶种膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：板谷秀治，大桥直史，菊池俊之，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP