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本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提供可提供高品质的半导体器件的技术。为解决上述课题，提供一种技术：将具有导电膜、和以露出所述导电膜的方式形成于所述导电膜的外周的绝缘膜的衬底搬入处理室，向所述处理室供给具...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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