基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜及制备方法技术

基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜及制备方法，涉及一种柔性透明导电膜。柔性透明导电膜包括有柔性透明薄膜基底材料，柔性透明薄膜上表面磁控溅射WO3种子层和金属网格导电层，金属网格导电层外表面复合一层透明保护膜。制备时，分别使用无水乙醇和去离子水清洗柔性透明基底薄膜后干燥；在基底薄膜上涂布配制好的胶体溶液形成湿膜后，加热烘干，形成干燥的胶体薄膜；通过激光切割机切割胶体薄膜；在薄膜上溅射WO3膜和银膜，得导电层；将磁控溅射好的薄膜浸没于无水乙醇中，去掉胶体模板，得到金属网格透明导电膜；将经过无水乙醇清洗的金属网格透明导电膜进行干燥处理，在金属网格透明导电膜的导电面覆盖一层保护膜进行收卷。

Flexible transparent conductive film based on laser cutting colloidal film technology and its preparation method

A flexible transparent conductive film based on laser cutting colloidal film technology and a preparation method thereof relate to a flexible transparent conductive film. Flexible transparent conductive film includes flexible transparent film substrate material, WO 3 sub-layers and metal grid conductive layer on the surface of flexible transparent film by magnetron sputtering, and a transparent protective film on the outer surface of metal grid conductive layer. During the preparation, the flexible transparent base film is washed with absolute ethanol and deionized water respectively and dried; the prepared colloidal solution is coated on the base film to form a wet film, then heated and dried to form a dry colloidal film; the colloidal film is cut by laser cutting machine; the conductive layer is obtained by sputtering WO3 film and silver film on the film; and the magnetron sputtered film is immersed in anhydrous ethanol. The transparent conductive film of metal grid was obtained by removing colloidal template. The transparent conductive film of metal grid cleaned by absolute ethanol was dried and rolled up by covering a protective film on the conductive surface of transparent conductive film of metal grid.

【技术实现步骤摘要】
基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜及制备方法
本专利技术涉及一种柔性透明导电膜，尤其是涉及可实现透明导电膜的低成本、大面积、形貌可控制备的基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜及其制备方法。
技术介绍
电子设备与人们的生活息息相关，随着电子产品向轻型化，小型化、集成化方向的不断发展，可弯曲甚至可穿戴的柔性电子元器件正在日益成为科学研究和制造技术研发的热点。柔性透明导电膜由于具有重量轻、柔性好、抗冲击、成本低、方便运输，更加适合卷对卷的大面积生产等优点，便于应用于轻便，可移动的户外设备中，具有更强的竞争力，被广泛用于柔性触摸屏、显示屏、加热膜、电致变色智能窗、柔性光伏以及储能器件等产品中。因此，可控的、低成本的大面积研制柔性透明导电膜将会为柔性电子器件的发展起到至关重要的作用。而目前，市场上的透明导电薄膜主要是以氧化铟锡(ITO)为靶材，通过直接磁控溅射的方法制备透明导电膜。然而，ITO目前在柔性电子器件的发展中，已经面临行业发展瓶颈，由于其质脆、易碎、储量少、价格昂贵等一些无法解决的问题导致这种材料逐渐开始走下这一领域。随着柔性和可穿戴电子设备的快速发展，传统的刚性导电膜已经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于包括有柔性透明薄膜基底材料，柔性透明薄膜上表面磁控溅射WO3种子层和金属网格导电层，所述金属网格导电层外表面复合一层透明保护膜。

【技术特征摘要】
1.基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于包括有柔性透明薄膜基底材料，柔性透明薄膜上表面磁控溅射WO3种子层和金属网格导电层，所述金属网格导电层外表面复合一层透明保护膜。2.如权利要求1所述基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于所述柔性透明薄膜基底材料采用PET、PVC、TPU中的一种。3.如权利要求1所述基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于所述柔性透明薄膜基底材料的厚度为20～200μm；所述WO3种子层的厚度为10～50nm。4.如权利要求1所述基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于所述金属网格导电层采用微米级金属网格导电层。5.如权利要求4所述基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于所述微米级金属网格导电层的线宽度为40～200μm；微米级金属网格的图案采用三角形、矩形、六边形图案。6.如权利要求4所述基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于所述微米级金属网格层与PET基底材料之间磁控溅射一层10～50nm厚的WO3种子层；所述微米级金属网格层的覆盖面积小于柔性透明薄膜的总面积的20％；所述微米级金属网格层选自银、铜、ITO、FTO中的至少一种；所述微米级金属网格层的厚度为100～900nm。7.如权利要求1所述基于激光切割胶体薄膜技术的柔性透明导电膜，其特征在于所述透明保护膜在透光率不低于80％的情况下，方阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭文熹，李腾，许子颉，刘向阳，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建,35