Patterned conductors have high conductivity and high perspective. [Solution] The patterned conductor 30 has a metal linear conductor 31 disposed on a configuration surface. The linear conductor 31 contains more than two metallic crystals on the main cut-off surface orthogonal to its length direction. In a main cut-off surface of the linear conductor 31, a metal crystal with length H0 along the normal direction of the configuration plane is larger than one third of the height H of the linear conductor 31 along the normal direction of the configuration plane. The minimum value of the ratio of the length h_0 along the normal direction of the collocation plane to the length w_0 along the collocation plane (h_0/w_0) is more than 1.2.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案化导电体、带导电体的片、发热板、交通工具和图案化导电体的制造方法
本专利技术涉及图案化导电体、具有该图案化导电体的带导电体的片、具有图案化导电体或带导电体的片的发热板、以及具有发热板的交通工具。另外,本专利技术涉及图案化导电体的制造方法。
技术介绍
一直以来,具有规则或不规则图案的导电体被广泛使用。例如,被用于车辆的前窗(windshield:防风玻璃)中所用的除霜器(除霜装置)或建筑物的玻璃窗用的加热电极、或者触控面板传感器的位置检测电极等。用于其中的图案化导电体被通电而发热,从而作为除霜或暖气设备、或者作为传感器发挥功能。例如,在JP2013-173402A和JP8-72674A中,图案化导电体被组装到具有透视性的发热板而用于玻璃窗。在该发热板中,图案化导电体通过通电而利用其电阻加热而升温。通过由发热板构成的玻璃窗的升温,能够去除玻璃窗的雾,或者融化玻璃窗上附着的雪和冰,能够确保隔着该玻璃窗的透视性。对于用于这种用途的图案化导电体,在其功能的性质上要求具有高导电性,并且还要求具有高透视性。形成图案化导电体的线状导电体的截面积越大,则图案化导电体的导电性越高 ...
【技术保护点】
1.一种图案化导电体,其具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体,所述线状导电体在与其长度方向正交的截面中包含两个以上的金属晶体,在与所述线状导电体的长度方向正交的一个截面中,包含沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体,该金属晶体的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0相对于沿着所述配置面的长度w0之比h0/w0的最小值为1.2以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.12 JP 2016-1377071.一种图案化导电体,其具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体,所述线状导电体在与其长度方向正交的截面中包含两个以上的金属晶体,在与所述线状导电体的长度方向正交的一个截面中,包含沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体,该金属晶体的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0相对于沿着所述配置面的长度w0之比h0/w0的最小值为1.2以上。2.一种图案化导电体,其具备按照位于一个配置面上的方式设置的金属制的线状导电体,所述线状导电体在与其长度方向正交的截面中包含两个以上的金属晶体,在与所述线状导电体的长度方向正交的一个截面中,包含沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体,与该金属晶体的面积具有相同面积的圆的直径的平均值小于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的一半。3.如权利要求1或2所述的图案化导电体,其中,所述线状导电体包含铜和铝中的至少一种。4.如权利要求1~3中任一项所述的图案化导电体,其中,所述线状导电体以区划形成两个以上的开口区域的图案进行配置,所述开口区域的重心间距离的平均值D1相对于所述线状导电体的线宽W之比的值D1/W为50以上200以下。5.如权利要求1~4中任一项所述的图案化导电体,其中,所述线状导电体以区划形成两个以上的开口区域的图案进行配置,关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体,所述开口区域的重心间距离的平均值D1相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值D1/w为40以上500以下。6.如权利要求1~3中任一项所述的图案化导电体,其中,两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置,各线状导电体在与所述一个方向不平行的方向上延伸,所述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于所述线状导电体的线宽W之比的值D2/W为50以上1000以下。7.如权利要求1~3或6所述的图案化导电体,其中,两个以上的线状导电体在一个方向上隔开间隙而配置,各线状导电体在与所述一个方向不平行的方向上延伸,关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体,所述间隙的沿着一个方向的尺寸的平均值D2相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值D2/w为200以上2400以下。8.如权利要求1~7中任一项所述的图案化导电体,其中,关于所述一个截面中包含的沿着所述配置面上的法线方向的长度h0大于沿着所述配置面上的法线方向的所述线状导电体的高度H的三分之一的金属晶体,所述线状导电体的线宽W相对于该金属晶体在该截面中的沿着所述配置面的长度的平均值w之比的值W/w为2以上10以下。9.如权利要求1~8中任一项所述的图案化导电体,其中,...
【专利技术属性】
技术研发人员:末次博俊,平川学,后石原聪,
申请(专利权)人:大日本印刷株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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