一种二维AMR开关传感芯片制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二维AMR开关传感芯片主要由IC电路、AMR敏感单元、钝化层及引出电极组成。IC电路主要作用是获取敏感单元感知到的信号，经过处理后输出模拟信号，从而实现检测功能；AMR敏感单元是二维传感芯片的核心，主要用于感知信号并输出数字电压信号，提供给IC电路作处理；钝化层主要目的是保护敏感单元，防止敏感单元被氧化；电极的目的是方便芯片作封装处理工作，本发明专利技术能够大大降低芯片的使用面积，减少成本，降低功耗，提升产品的温度稳定性及可靠性，实现单芯片二维磁场检测。

A Fabrication Method of Two-Dimensional AMR Switch Sensor Chip

The invention discloses a two-dimensional AMR switch sensor chip, which is mainly composed of an IC circuit, an AMR sensing unit, a passivation layer and an extraction electrode. The main function of IC circuit is to acquire the signal sensed by the sensitive unit and output the analog signal after processing, so as to realize the detection function; AMR sensing unit is the core of two-dimensional sensor chip, which is mainly used to sense the signal and output the digital voltage signal to the IC circuit for processing; the main purpose of passivation layer is to protect the sensitive unit and prevent the sensitive unit from being oxidized; and the purpose of the electrode is to protect the sensitive unit from being oxidized. The invention can greatly reduce the use area of the chip, reduce the cost, reduce the power consumption, improve the temperature stability and reliability of the product, and realize the two-dimensional magnetic field detection of a single chip.

【技术实现步骤摘要】
一种二维AMR开关传感芯片制备方法
本专利技术涉及用于制备二维开关传感器芯片，能够被用来检测x、y两个方向的磁场，从而在二维方向实现检测功能。
技术介绍
目前市面上都是一维开关传感芯片，主要包括单片式霍尔效应开关芯片，多芯片封装式AMR开关芯片以及TMR开关芯片。如果要实现二维开关传感功能，必须由两个一维开关传感芯片封装起来，才能实现二维检测功能，这种模式的缺点在于提升了芯片制造难度和制造成本，降低了芯片的可靠性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种二维AMR开关传感芯片制备方法，实现在单一芯片上就能实现二维方向上的检测，必须专利技术一种新的制备工艺，使得芯片能够在二维方向上实现检测功能，而不需通过多芯片封装的形式来实现。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种二维AMR开关传感芯片制备方法，该方法该方法采用在二维AMR开关传感芯片的含IC电路的晶圆上直接生长敏感单元，然后经过真空磁场退火工艺处理，退火时，保证设备所加的磁场在300Gauss以上，磁场方向与敏感单元成45°角，退火时间保持在3h以上；得敏感单元电桥的输出模式为：在零磁场时输出端Vout=0V，当芯片处于X本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维AMR开关传感芯片制备方法，其特征在于：该方法该方法采用在二维AMR开关传感芯片的含IC电路的晶圆上直接生长敏感单元，然后经过真空磁场退火工艺处理，退火时，保证设备所加的磁场在300Gauss以上，磁场方向与敏感单元成45°角，退火时间保持在3h以上；得敏感单元电桥的输出模式为：在零磁场时输出端Vout=0V，当芯片处于X方向的外加饱和磁场环境下，Vout>15mV，当芯片处于Y方向的外加饱和磁场环境下，Vout

【技术特征摘要】
1.一种二维AMR开关传感芯片制备方法，其特征在于：该方法该方法采用在二维AMR开关传感芯片的含IC电路的晶圆上直接生长敏感单元，然后经过真空磁场退火工艺处理，退火时，保证设备所加的磁场在300Gauss以上，磁场方向与敏感单元成45°角，退火时间保持在3h以上；得敏感单元电桥的输出模式为：在零磁场时输出端Vout=0V，当芯片处于X方向的外加饱和磁场环境下，Vout>15mV，当芯片处于Y方向的外加饱和磁场环境下，Vout<-15mV，经过IC电路的数模转换处理后，使得芯片最终的输出结果是，在零磁场时芯片输出电压0V，在x方向饱和磁场环境下芯片输出电压为+VIN，在y方...

【专利技术属性】
技术研发人员：余涛，杨华，柴美荣，
申请(专利权)人：贵州雅光电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52