一种碳化硅晶片刷洗品质的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅晶片刷洗品质的装置，包括底座，底座的一端安装有电机，电机的输出轴通过联轴器连接有转轴，转轴的顶部安装有晶片载台，底座的上表面设置有支撑柱，支撑柱的顶部安装有气缸座，气缸座上安装有气缸，气缸的伸出头连接有毛刷座，毛刷座上安装有毛刷，毛刷位于溢流水槽内，溢流水槽安装在超声波震荡装置上，溢流水槽上安装有感测器，感测器与液态颗粒检测仪电连接。本实用新型专利技术碳化硅晶片刷洗品质的装置，一方面可以让毛刷保持最佳状态进行刷洗，避免反复污染到待清洗晶片，另一方面可以明确数据化的监控毛刷是否该更换，提高毛刷使用寿命，降低刷洗成本，最终达到晶片表面洁净技术要求与降低成本的效果。

A device for brushing quality of silicon carbide wafers

The utility model discloses a device for silicon carbide wafer brushing quality, which comprises a base, one end of the base is equipped with a motor, the output shaft of the motor is connected with a rotary shaft through a coupling, the top of the rotary shaft is equipped with a wafer carrier, the upper surface of the base is equipped with a support column, the top of the support column is equipped with a cylinder block, the cylinder seat is equipped with a cylinder, and the extension head of the cylinder is connected with a brush. A brush is installed on the base of the brush. The brush is located in the overflow flume. The overflow flume is installed on the ultrasonic oscillator. The overflow flume is equipped with a sensor, which is electrically connected with the liquid particle detector. The device of the silicon carbide wafer brushing quality of the utility model, on the one hand, can keep the brush in the best condition for brushing, avoid repeatedly polluting the wafer to be cleaned, on the other hand, can clearly monitor whether the brush should be replaced by data, improve the service life of the brush, reduce the cost of brushing, and finally achieve the technical requirements of wafer surface cleaning and the effect of reducing the cost.

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片刷洗品质的装置
本技术涉及晶片清洗
，具体为一种碳化硅晶片刷洗品质的装置。
技术介绍
相较于半导体材料，像硅、锗、碳化硅有着优越的材料特性，如高硬度、高热传导性、高电子迁移率和好的化学稳定性。因此，碳化硅可以作为第三代半导体材料用在电子器件上，在功率器件制作上，表面平坦与零缺陷的衬底晶片是影响外延长晶体能否有好的外延层的重要因素。碳化硅晶片的应用要求单晶表面超光滑、无缺陷、无损伤。碳化硅晶片的加工质量和精度的优劣直接影响到其器件的性能。比如当晶片表面有微小缺陷时，会转移给外延生长膜而成为器件的致命缺陷。但是，由于碳化硅晶片硬度仅次于金刚石，其莫氏硬度为9.2，而且化学稳定性好，常温下几乎不与其它物质反应，故碳化硅晶片的加工成为碳化硅晶片单晶广泛应用所必须解决的重要问题。在半导体材料中第三代最为常见的材料为碳化硅、氮化镓、碳化硅的制作工艺过程复杂，其中清洗常常是被忽略的部分，有与碳化硅具有良好的抗化学性质，所以抛光液特性也与一般蓝宝石抛光液不一样，这也造成在抛光完成的过程，晶片表面上会有残留的抛光浆料与作业过程中残留的污染物，使晶片表面太多颗粒而影响到外延表面品质。以碳化硅为例，现在国内主要使用传统蓝宝石衬底加工工艺做清洗，在晶片表面洁净度无法确实达到后段客户要求(0.3um<30e.a.)，毛刷会接触到晶片并随着晶片来料情况而有不同，目前为了维持刷洗稳定主要有以下方式：1、直接在刷洗前增加多道清洗工序，再进刷洗机刷洗，这会使生产周期边长，且增加清洗成本。2、刷洗毛刷提早跟换，虽然可以提高洁净度，但也造成刷洗成本上升，且品质也无法稳定。以上都无法兼顾品质与成本，因此急需一种碳化硅晶片刷洗品质的装置来解决以上提出的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种碳化硅晶片刷洗品质的装置，可以增加毛刷寿命又可提早预警更换毛刷，达到晶片表面的洁净和降低刷洗成本的效果，可以解决现有技术中的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种碳化硅晶片刷洗品质的装置，包括底座，所述底座的一端的上表面安装有电机，所述电机的输出轴通过联轴器连接有转轴，所述转轴的顶部安装有晶片载台，所述底座的另一端的上表面设置有支撑柱，所述支撑柱的顶部安装有气缸座，所述气缸座上安装有气缸，所述气缸的伸出头连接有毛刷座，所述毛刷座上安装有毛刷，所述毛刷位于溢流水槽内，所述溢流水槽安装在超声波震荡装置上，所述超声波震荡装置上设置有第一显示屏，所述超声波震荡装置与超声波震荡控制器电连接，所述超声波震荡控制器上设置有操作按键，所述溢流水槽上安装有感测器，所述感测器与液态颗粒检测仪电连接，所述液态颗粒检测仪上设置有第二显示屏，所述液态颗粒检测仪与主机连接；所述主机内设置有CPU，所述CPU与液态颗粒检测仪电连接，所述CPU的输出端与报警器的输入端电连接。优选的，所述晶片载台上放置有碳化硅晶片。优选的，所述晶片载台上还可以放置单晶碳化硅、蓝宝石、氮化镓或单晶硅。优选的，所述操作按键为超声波频率和超声波时间设置按键。优选的，所述毛刷座通过气缸可放置在晶片载台上。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：本技术碳化硅晶片刷洗品质的装置，超声波震荡装置与超声波震荡控制器电连接，气缸工作使得毛刷位于晶片载台的上方，电机工作带动转轴和晶片载台同步旋转，使得碳化硅晶片在晶片载台旋转的作用下完成毛刷对碳化硅晶片刷洗的过程，在毛刷刷完晶片后，气缸工作使得毛刷回到溢流水槽内，超声波震荡装置自动开启进行毛刷的清洁，使附着于毛刷上的脏污被超声波震落，另外，利用液态颗粒检测仪在溢流水槽上装置感测器，每隔一段时间进行监控，并反馈到主机上，操作者可以设定监控数值，超出范围通过报警器进行警报提醒更换毛刷，一方面可以让毛刷保持最佳状态进行刷洗，避免反复污染到待清洗晶片，另一方面可以明确数据化的监控毛刷是否该更换，提高毛刷使用寿命，降低刷洗成本，最终达到晶片表面洁净技术要求与降低成本的效果。附图说明图1为本技术的碳化硅晶片刷洗品质装置示意图；图2为本技术的模块框图。图中：1、底座；2、电机；3、转轴；4、晶片载台；5、支撑柱；6、气缸座；61、气缸；7、毛刷座；71、毛刷；8、溢流水槽；9、超声波震荡装置；91、第一显示屏；92、超声波震荡控制器；921、操作按键；10、感测器；11、液态颗粒检测仪；111、第二显示屏；12、主机；121、CPU；13、报警器。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，一种碳化硅晶片刷洗品质的装置，包括底座1，底座1的一端的上表面安装有电机2，电机2的输出轴通过联轴器连接有转轴3，转轴3的顶部安装有晶片载台4，电机2工作带动转轴3和晶片载台4同步旋转，使得碳化硅晶片在晶片载台4旋转的作用下完成毛刷71对碳化硅晶片刷洗的过程，晶片载台4上放置有碳化硅晶片，晶片载台4上还可以放置单晶碳化硅、蓝宝石、氮化镓或单晶硅，该碳化硅晶片刷洗品质的装置还可以用于碳化硅、蓝宝石、硅等其他晶体的抛光，底座1的另一端的上表面设置有支撑柱5，支撑柱5的顶部安装有气缸座6，气缸座6上安装有气缸61，气缸61的伸出头连接有毛刷座7，毛刷座7通过气缸61可放置在晶片载台4上，毛刷座7上安装有毛刷71，具体的毛刷71材质可根据具体需要进行调整，毛刷71位于溢流水槽8内，气缸61工作使得毛刷71位于晶片载台4的上方，电机2工作带动转轴3和晶片载台4同步旋转，使得碳化硅晶片在晶片载台4旋转的作用下完成毛刷71对碳化硅晶片刷洗的过程，在毛刷71刷完晶片后，气缸61工作使得毛刷71回到溢流水槽8内，溢流水槽8安装在超声波震荡装置9上，超声波震荡装置9进行毛刷71的清洁，使附着于毛刷71上的脏污被超声波震落，超声波震荡装置9上设置有第一显示屏91，超声波震荡装置9与超声波震荡控制器92电连接，超声波震荡控制器92上设置有操作按键921，操作按键921为超声波频率和超声波时间设置按键，超声波震荡装置9可以依不同频率、时间、距离做调整，针对不同毛刷71加强清洁，避免毛刷71污染，超声波震荡装置9利用不同频率使毛刷71可以利用超声波进行清洗，避免上一片清洗的脏污沾附在毛刷71，同时超声波频率可依不同毛刷71材质进行调整，使可以有效的去除毛刷71脏污，超声波时间可以随不同作业需求做调整，使晶片清洗可以更有效率，溢流水槽8上安装有感测器10，感测器10与液态颗粒检测仪11电连接，液态颗粒检测仪11监控时间，可以依来料品质做调整，准确的进行更换，液态颗粒检测仪11的设计可以实时数据化监控毛刷71水质颗粒，避免晶片被污染，液态颗粒检测仪11上设置有第二显示屏111，液态颗粒检测仪11与主机12连接，超声波震荡装置9自动开启进行毛刷71的清洁，使附着于毛刷71上的脏污被超声波震落，另外，利用液态颗粒检测仪11在溢流水槽8上装置感测器10，每隔一段时间进行监控，并反馈到主机12上，操作者可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅晶片刷洗品质的装置，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的一端的上表面安装有电机(2)，所述电机(2)的输出轴通过联轴器连接有转轴(3)，所述转轴(3)的顶部安装有晶片载台(4)，所述底座(1)的另一端的上表面设置有支撑柱(5)，所述支撑柱(5)的顶部安装有气缸座(6)，所述气缸座(6)上安装有气缸(61)，所述气缸(61)的伸出头连接有毛刷座(7)，所述毛刷座(7)上安装有毛刷(71)，所述毛刷(71)位于溢流水槽(8)内，所述溢流水槽(8)安装在超声波震荡装置(9)上，所述超声波震荡装置(9)上设置有第一显示屏(91)，所述超声波震荡装置(9)与超声波震荡控制器(92)电连接，所述超声波震荡控制器(92)上设置有操作按键(921)，所述溢流水槽(8)上安装有感测器(10)，所述感测器(10)与液态颗粒检测仪(11)电连接，所述液态颗粒检测仪(11)上设置有第二显示屏(111)，所述液态颗粒检测仪(11)与主机(12)连接；所述主机(12)内设置有CPU(121)，所述CPU(121)与液态颗粒检测仪(11)电连接，所述CPU(121)的输出端与报警器(13)的输入端电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片刷洗品质的装置，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)的一端的上表面安装有电机(2)，所述电机(2)的输出轴通过联轴器连接有转轴(3)，所述转轴(3)的顶部安装有晶片载台(4)，所述底座(1)的另一端的上表面设置有支撑柱(5)，所述支撑柱(5)的顶部安装有气缸座(6)，所述气缸座(6)上安装有气缸(61)，所述气缸(61)的伸出头连接有毛刷座(7)，所述毛刷座(7)上安装有毛刷(71)，所述毛刷(71)位于溢流水槽(8)内，所述溢流水槽(8)安装在超声波震荡装置(9)上，所述超声波震荡装置(9)上设置有第一显示屏(91)，所述超声波震荡装置(9)与超声波震荡控制器(92)电连接，所述超声波震荡控制器(92)上设置有操作按键(921)，所述溢流水槽(8)上安装有感测器(10)，所述感测器(10)与液态颗粒检测仪(11...

【专利技术属性】
技术研发人员：林武庆，张洁，赖柏帆，陈文鹏，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35