利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置，采用InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件作为探测器，经研究发现，该类型探测器在经受质子辐照后，其稳态输出性能随质子辐射剂量的增加而呈成线性减小的响应关系，因此本发明专利技术利用该探测器的特点开展质子位移损伤探测，相比电离总剂量转换得到位移损伤剂量，克服了通常试验模拟源非理想单能及次级辐射的影响，相比已有的用LED做位移损伤探测，测试系统简单实用，消除了光学耦合引入的误差。

A Method and Device for Measuring Proton Displacement Damage Dose Using Quantum Dot Semiconductor Devices

The invention discloses a method and device for measuring proton displacement damage dose by using quantum dot semiconductor devices. Quantum dot semiconductor devices made of InAs/GaAs materials are used as detectors. It is found that the steady-state output performance of this type of detectors decreases linearly with the increase of proton radiation dose after being irradiated by protons. Compared with the ionization total dose conversion, the displacement damage dose obtained by the proton displacement damage detector overcomes the influence of the non-ideal single energy and secondary radiation of the experimental analog source. Compared with the existing displacement damage detection using LED, the testing system is simple and practical, and eliminates the error introduced by optical coupling.

【技术实现步骤摘要】
利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置
本专利技术属于辐射测量
，具体涉及利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置。
技术介绍
卫星激光通信技术是解决高速卫星通信数据率瓶颈的有效手段，已受到世界各国的广泛重视。日本、欧洲、美国、中国等已经相继开展了空间试验，并获得了星间及星地链路激光通信试验的成功。现在各国已将卫星激光通信技术的实用化与小型化作为研究重点。卫星激光通信终端工作在空间辐射环境中，空间辐射效应，特别是位移损伤效应会导致激光器性能的严重下降，影响卫星激光通信系统的性能稳定性，因此在航天器设计中选择器件时必须考虑空间辐射环境对电子器件和光电器件产生的辐射效应影响，以保证其在空间辐射环境中完成预定的功能。新型光电器件和电子器件在空间环境中应用，移位损伤成为决定器件抗辐射能力的主要因素，移位损伤效应引起了国际航天机构广泛的重视，近年来多种新型器件空间应用位移损伤成为考核重点。空间辐射环境是不同能量、多种成分粒子组成的复合环境，在地面上重现是不可能或者不经济的。辐射效应研究的一个重要内容就是建立某种等效性原理，以达到通过地面有限试验，掌握器件在复杂空间环本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：采用InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件作为探测器，对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光稳定后，记录此时的供电电流，即为探测器未经质子辐照时的阈值电流；第二步：使用标准质子源对探测器进行辐照，同时监测辐照时的质子剂量；辐照后开始对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光后，记录此时的供电电流，即为探测器在该质子辐照剂量下的阈值电流；第三步：不断改变质子辐照剂量，并获得探测器对应的阈值电流，由此得到探测器阈值电流与质子位移损伤剂量的曲线...

【技术特征摘要】
1.利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步：采用InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件作为探测器，对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光稳定后，记录此时的供电电流，即为探测器未经质子辐照时的阈值电流；第二步：使用标准质子源对探测器进行辐照，同时监测辐照时的质子剂量；辐照后开始对该探测器进行供电，并控制供电电流从小到大线性增加，当探测器开始出光且出光后，记录此时的供电电流，即为探测器在该质子辐照剂量下的阈值电流；第三步：不断改变质子辐照剂量，并获得探测器对应的阈值电流，由此得到探测器阈值电流与质子位移损伤剂量的曲线关系图；第四步：在测试其它光电器件在某一特定辐照下的质子位移损伤剂量时，将InAs/GaAs材料制成的量子点...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨生胜，王俊，王小军，高欣，冯展祖，秦晓刚，把得东，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：甘肃,62