【技术实现步骤摘要】
能量补偿装置及个人剂量仪
本技术涉及辐射测量
,具体而言,涉及能量补偿装置及个人剂量仪。
技术介绍
目前,市场上主要的个人剂量仪的探头部分主要为G-M管和硅二极管,由于G-M管死时间较大以及对γ射线的探测效率较低,同时硅二极管的角响应较差以及其对γ射线的探测效率偏低等原因,使得这两种类型的个人剂量仪的应用受到较大的限制。而新型的CZT半导体探测器由于具有高的电阻率、大的原子序数和大的原子序数以及可以室温工作等特点,成为一种较为理想的个人剂量仪。根据相关个人剂量仪国标要求,在50keV~1.5MeV能量范围内,个人剂量率仪的能量响应相对于Cs的响应偏差要小于±30%。实验表明在50keV~1.5MeV能量范围内,对于一般的CZT探测器的最大剂量响应约是137Cs响应的50倍。
技术实现思路
有鉴于此,本技术实施例提供了一种能量补偿装置及个人剂量仪,以解决上述问题。第一方面,本技术实施例提供的一种能量补偿装置,所述能量补偿装置包括壳体组件、重金属层、CZT探测器以及处理装置,CZT探测器设置于所述重金属层以及所述处理装置之间,且所述CZT探测器与所述处理装置耦合。所述壳体组件包括容置箱、箱体盖、第一安装架、第二安装架以及第三安装架;所述箱体盖设置于所述容置箱的一端,用于盖合所述容置箱,所述第一安装架、第二安装架以及所述第三安装架依次设置于所述容置箱内,且所述第一安装架与第二安装架之间,第二安装架与所述第三安装架之间均连通,所述容置箱设置有开口,所述重金属层设置于所述第一安装内,且设置于与所述开口位置相对应的位置处,所述CZT探测器设置于所述第二安装架内与所述重金 ...
【技术保护点】
1.一种能量补偿装置,其特征在于,所述能量补偿装置包括壳体组件、重金属层、CZT探测器以及处理装置,CZT探测器设置于所述重金属层以及所述处理装置之间,且所述CZT探测器与所述处理装置耦合;所述壳体组件包括容置箱、箱体盖、第一安装架、第二安装架以及第三安装架;所述箱体盖设置于所述容置箱的一端,用于盖合所述容置箱,所述第一安装架、第二安装架以及所述第三安装架依次设置于所述容置箱内,且所述第一安装架与第二安装架之间,第二安装架与所述第三安装架之间均连通,所述容置箱设置有开口,所述重金属层设置于所述第一安装架内,且设置于与所述开口位置相对应的位置处,所述CZT探测器设置于所述第二安装架内与所述重金属层位置相对应的位置处,所述处理装置设置于所述第三安装架内与所述CZT探测器相对应的位置处;所述重金属层上设置有多个通孔,用于使经过所述重金属层的X射线以及γ射线衰减;所述CZT探测器用于将经所述重金属层衰减后不同能量下的剂量场的X射线或γ射线产生的电压信号传输至处理装置;所述处理装置用于对所述CZT探测器的电压信号进行处理,实现不同能区的计数率值的归一化补偿,以使设置有所述能量补偿装置的个人剂量仪 ...
【技术特征摘要】
1.一种能量补偿装置,其特征在于,所述能量补偿装置包括壳体组件、重金属层、CZT探测器以及处理装置,CZT探测器设置于所述重金属层以及所述处理装置之间,且所述CZT探测器与所述处理装置耦合;所述壳体组件包括容置箱、箱体盖、第一安装架、第二安装架以及第三安装架;所述箱体盖设置于所述容置箱的一端,用于盖合所述容置箱,所述第一安装架、第二安装架以及所述第三安装架依次设置于所述容置箱内,且所述第一安装架与第二安装架之间,第二安装架与所述第三安装架之间均连通,所述容置箱设置有开口,所述重金属层设置于所述第一安装架内,且设置于与所述开口位置相对应的位置处,所述CZT探测器设置于所述第二安装架内与所述重金属层位置相对应的位置处,所述处理装置设置于所述第三安装架内与所述CZT探测器相对应的位置处;所述重金属层上设置有多个通孔,用于使经过所述重金属层的X射线以及γ射线衰减;所述CZT探测器用于将经所述重金属层衰减后不同能量下的剂量场的X射线或γ射线产生的电压信号传输至处理装置;所述处理装置用于对所述CZT探测器的电压信号进行处理,实现不同能区的计数率值的归一化补偿,以使设置有所述能量补偿装置的个人剂量仪的能量响应相对于137Cs的响应偏差小于20%。2.根据权利要求1所述的能量补偿装置,其特征在于,所述重金属层为Pb、Sn、W、Cu或Al金属层中的一种。3.根据权利要求2所述的能量补偿装置,其特征在于,所述重金属层为厚度为0.5-3mm的Pb。4.根据权利要求1所述的能量补偿装置,其特征在于,所述CZT探测器为厚度为1mm~5mm的CZT半导体探测器。5.根据权利要求1所述的能量补偿装置,其特征在于,所述箱体盖与所述容置...
【专利技术属性】
技术研发人员:查钢强,
申请(专利权)人:西安艾克斯光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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