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本发明公开了利用量子点半导体器件测量质子位移损伤剂量方法及装置，采用InAs/GaAs材料制成的量子点半导体器件作为探测器，经研究发现，该类型探测器在经受质子辐照后，其稳态输出性能随质子辐射剂量的增加而呈成线性减小的响应关系，因此本发明利用...
该专利属于兰州空间技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过兰州空间技术物理研究所授权不得商用。

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