The invention provides a non-scintillating quantum dot. The maximum brightness of the red light emitting diode prepared by the non-scintillating quantum dot is greater than 180 000 cd/m.
【技术实现步骤摘要】
一种非闪烁量子点及其制备方法和量子点发光二极管
本专利技术涉及电致量子点
，尤其涉及一种非闪烁量子点及其制备方法和量子点发光二极管。
技术介绍
荧光量子点，尤其是Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米粒子是近年来的研究热点。通过调控量子点尺寸可产生不同波长的荧光，这使得其在生物分子标记和免疫检测、光发射二极管、激光器和太阳能电池等方面的潜在应用备受人们关注。由于单个量子点在受到连续激发的情况下会出现闪烁行为，即在连续激发照射下荧光会在亮态和暗态之间随意切换(忽明忽暗)，严重影响了量子点在实际应用中的效果。例如在生物检测过程中荧光量子点的闪烁可能造成示踪目标的丢失，在电致发光器件应用中闪烁的量子点会造成器件效率的降低以及发光的不稳定。为此，可以将单个量子点制备成核壳结构的材料，利用壳层提高量子点的稳定性。基于荧光量子点的发光二极管(QLEDs)由于具有良好的发光强度、色纯度以及低成本等优势使得其在照明领域有良好的应用前景。目前虽然红绿蓝量子点发光器件的效率均达到了20％左右，红色和绿色最高亮度也达到了100000cd/m2以上，但所述红绿蓝量子点发光器件在照明应用中面临着蓝色亮度...
【技术保护点】
1.一种非闪烁量子点，包括核体、包覆于所述核体表面的内壳层和包覆于所述内壳层表面的外壳层；所述核体由CdSe或CdmZn1‑mSe形成，其中，0
【技术特征摘要】
1.一种非闪烁量子点，包括核体、包覆于所述核体表面的内壳层和包覆于所述内壳层表面的外壳层；所述核体由CdSe或CdmZn1-mSe形成，其中，0<m<1；所述内壳层由ZnSe形成，所述外壳层由ZnS或ZnO形成。2.如权利要求1所述的非闪烁量子点，其特征在于，所述核体的粒径为2.5～6.0nm；所述内壳层的厚度为0.32～4.8nm；所述外壳层的厚度为0.31～1.24nm。3.如权利要求1或2所述的非闪烁量子点，其特征在于，所述非闪烁量子点为CdSe@xZnSe-yZnS、CdSe@xZnSe-yZnO、CdmZn1-mSe@xZnSe-yZnS或CdmZn1-mSe@xZnSe-yZnO；所述x为层数，其取值范围为1<x<15；所述y为层数，其取值范围为0<y<4。4.权利要求1～3任一项所述的非闪烁量子点的制备方法，包括以下步骤：提供核体材料的分散液、内壳层材料源的分散液和外壳层材料源的分散液；所述核体材料包括CdSe或CdmZn1-mSe，其中，0<m<1；所述内壳层材料源为锌源和硒源的混合物；所述外壳层材料源为锌源和硫源的混合物，或者为锌氧源；在无氧条件下，将所述内壳层材料源的分散液以1～20mL/h的速率滴加至所述核体材料的分散液中，在所述核体材料的表面原位生长内壳层材料，得到中间体的分散液；所述中间体包括核体和包覆于所述核体表面的内壳层；在无氧条件下，将所述外壳层材料源的分散液以1～20mL/h的速率滴加至所述中间体的分散液中，在所述中间体的表面原位生长外壳层材料，得到非闪烁量子点。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述内壳层材料和外壳层材料的生长温度独立的为240～350...
【专利技术属性】
技术研发人员：申怀彬，杜祖亮，李林松，王书杰，张彦斌，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：河南,41
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