The invention provides a method for preventing data loss of solid-state hard disk, in particular, by using matrix cross-write mode to write data of multiple coupled physical pages to be written in solid-state hard disk, and by using matrix cross-write mode, the coupling pages of all pages in the set area are always protected by each independent redundant disk array. It is in the protection collection area of different redundant disk arrays. Each set of independent redundant disk array protected areas has at most one intersection point for all pages of the coupled pages and all independent redundant disk array protected areas to which the coupled pages belong. It can realize the cost-free correction and recovery of multiple coupled low-page data loss caused by abnormal power-down of solid-state hard disk, or multiple coupled low-page data loss errors caused by normal multiple page writing errors. It can achieve the maximum effective bandwidth of the whole channel when writing to solid-state hard disk, improve the efficiency of writing data, and prevent it. Data loss of solid-state hard disk improves the performance of solid-state hard disk.
【技术实现步骤摘要】
一种防止固态硬盘数据丢失的方法
本专利技术涉及存储
,尤其涉及一种防止固态硬盘数据丢失的方法。
技术介绍
NANDFlash(内存)的发展正趋向于拥有更高的密度,所以除了在工艺的不断更新外,每个Cell也将拥有更多bit数,即MLC(Multi-LevelCell,多层单元)。但由于MLCFlash的固有技术特性,因为意外掉电而造成的数据丢失,一直是SSD(SolidStateDisk,固态硬盘)技术发展中最为棘手的问题,也是最为严重的问题。尤其在企业级产品中,这种错误通常是不可接受的。在MLC内部,每个cell单元可以代表多个bit值(常见值为2),而这多个bit值是分属于一个块内的多个页。即多个页面实为共享了一组物理的cell单元。在共享一组物理cell的页面集合的关系为耦合页面。以两个耦合页面为例,序号小的可以称为低页面,反之可以称为高页面。在系统意外掉电场景时:系统可能正在进行读或者写的操作,前者因为并没有对硬盘本身造成数据更改,所以无任何影响。但后者由于正在试图改变NAND某一组Cell的电荷数量到预期值。掉电的突然发生,导致电荷的变化并没有完成。造成了其耦合页面内容值发生错误。所述现象在系统端表象为异常掉电,导致系统正在写入的高页面的耦合低页面也出现了差错。从而造成了无法挽回的数据丢失。几乎所有固态硬盘由于性能要求的考虑,都会对NAND阵列内多个NAND页面进行同时写入,这种意外掉电则会造成多个高页面无法正常完成,从而导致多个对应低页面无法恢复的数据丢失。在非掉电模式下的数据丢失的场景:当正常写入高页面操作发生错误时,除了正写入高页面的错 ...
【技术保护点】
1.一种防止固态硬盘数据丢失的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入的方式分别写入对应的所述多个耦合物理页;所述多个耦合物理页分别属于多个不同的独立冗余磁盘阵列保护区域。
【技术特征摘要】
1.一种防止固态硬盘数据丢失的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入的方式分别写入对应的所述多个耦合物理页;所述多个耦合物理页分别属于多个不同的独立冗余磁盘阵列保护区域。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入方式,分别写入对应的所述多个耦合物理页的步骤之前包括:根据写入所述固态硬盘数据的命令,判断需要写入所述数据的所述固态硬盘的耦合物理页的属性;所述将需要写入固态硬盘中的多个耦合物理页的多个数据采用矩阵交叉写入方式,分别写入对应的所述多个耦合物理页的步骤包括:根据所述耦合物理页的属性确定所述数据写入所述耦合物理页的路径;根据所述路径,将所述数据写入所述耦合物理页;所述耦合物理页的属性为耦合高页面或者耦合低页面;所述数据写入所述耦合高页面的路径与所述数据写入所述耦合低页面的路径呈矩阵交叉状。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述数据写入所述耦合高页面的路径为沿水平方向写入所述耦合高页面;所述数据写入所述耦合低页面的路径为与所述数据写入所述耦合高页面的路径呈一定角度的路径方向写入所述耦合低页面;并且在所述数据写入到多个所述耦合物理页所在的多个数据块组成的矩阵的右下角的耦合物理页时,返回所述矩阵的左上角的耦合物理页继续写入所述数据。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据写入所述固态硬盘数据的命令,判断需要写入所述数据的所述固态硬盘的耦合物理页的属性的步骤包括:接收将所述数据写入所述固态硬盘的耦合物理页指令;根据所述指令查找所述耦合物理页;判断所述耦合物理页的属性;在所述根据所述路径写入所述固态硬盘数据的步骤之后包括:在所述耦合低页面发生写入所述数据错误时,查找到影响所述耦合低页面发生写入所述数据错误的多个耦合页面进行独立冗余磁...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:苏州韦科韬信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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