The invention belongs to the technical field of silicon dioxide, in particular to a high specific surface area and VOC type silicon dioxide with high adsorption and a preparation method thereof. The preparation method of the invention comprises S1, injecting sulfuric acid solution into the reaction tank, stirring at room temperature, adding ZSM zeolite 5 zeolite, stirring continuously, stirring S2, stirring continuously, adding sodium silicate solution, dropping to the system pH value of 4.8 ~ 5, reducing the droplet acceleration, controlling the end point pH value of 5.4 ~ 5.7, stopping dropping the sodium silicate solution, and stirring until the solution forms viscous gel. Static, S3, remove the sticky gel, drain the water with a filter, dry, remove, crush, wash and dry, and prepare silicon dioxide. The method has the advantages of simple steps, controllable conditions, stable process, low production cost, and is suitable for industrial production. The product has remarkable VOC purification effect, and has broad application prospects.
【技术实现步骤摘要】
一种高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅及其制备方法
本专利技术属于二氧化硅
,具体涉及一种高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅及其制备方法。
技术介绍
近年来,随着生活水平的不断提高,居住条件的不断改善,人们越来越注重可挥发性有机化合物(VolatileOrganicCompouds,VOC)污染问题。常规的VOC净化方法主要包括:吸收法、吸附法、催化法、燃烧法、冷凝法、生物法等。与其它方法相比,吸附法具有低污染、高效、经济实用等特点。目前常用的多孔吸附剂包括硅藻土、活性炭、膨润土和二氧化硅等,而二氧化硅吸附剂具有无毒、无味、无污染、流体力学性能好、机械强度高等特点,因而被广泛应用。目前,传统的二氧化硅产品大多表观密度低,比较面积和内部孔体积小,不利于用于吸附VOC气体。而作为吸附剂用的二氧化硅大多采用硅酸乙酯等有机硅作为硅源,虽然使得比较面积有所提升,但是孔体积较小,对VOC气体的吸附效果不明显,且制备方法繁琐,成本高昂,不利于实际的生产和推广使用。而以硅酸钠作为硅源的沉淀法相对简单,且能耗小、成本低,易于工业化,可是在该方法中,二氧化硅的性状容易受到制备条件的影响。例如专利文献CN107324346A公开了一种高比表面积高吸油值二氧化硅的制备方法,该方法包括S1、往反应釜中注入浓度为0.8~1.5mol/L的硫酸钠溶液6~10m3,加热至70~90℃;S2、加入浓度为3.0~5.0mol/L的硫酸溶液,所述硫酸溶液的流速为1.5~2.5m3/h,接着以10~15m3/h的速度加入水玻璃溶液,并调节硫酸溶液的流速为1.5~2.5m3/h,以控制反应过 ...
【技术保护点】
1.一种高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、往反应罐中注入硫酸溶液1.5~2.5m3,常温下搅拌,再加入ZSM‑5型沸石分子筛,继续搅拌10~20min;S2、搅拌下继续滴加硅酸钠溶液,控制滴加速度为0.4~0.6m3/h,滴加至体系pH值为4.8~5.0时,减小滴加速度至0.02~0.03m3/h,控制终点pH值为5.4~5.7,停止滴加硅酸钠溶液,继续搅拌至溶液形成粘稠状凝胶后,静止80~120min;S3、将粘稠状凝胶取出后,用抽滤机将水分排出,置于90~120℃下烘干8~12h,再取出进行破碎、洗涤、烘干,制得高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅。
【技术特征摘要】
1.一种高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、往反应罐中注入硫酸溶液1.5~2.5m3,常温下搅拌,再加入ZSM-5型沸石分子筛,继续搅拌10~20min;S2、搅拌下继续滴加硅酸钠溶液,控制滴加速度为0.4~0.6m3/h,滴加至体系pH值为4.8~5.0时,减小滴加速度至0.02~0.03m3/h,控制终点pH值为5.4~5.7,停止滴加硅酸钠溶液,继续搅拌至溶液形成粘稠状凝胶后,静止80~120min;S3、将粘稠状凝胶取出后,用抽滤机将水分排出,置于90~120℃下烘干8~12h,再取出进行破碎、洗涤、烘干,制得高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅。2.如权利要求1所述高比表面积与高吸附VOC型二氧化硅的制备方法,其特征在于,所述硫酸溶液的浓度为0.3~0.4mol/L。3.如权利要求1所述高比表面积与高吸附VOC型二氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄真,任振雪,林英光,高文颖,张梦梅,
申请(专利权)人:广州市飞雪材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。