麦克风及其制造方法技术

本申请公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和覆盖所述衬底的一部分的第一绝缘层；形成第一电极板层，所述第一电极板层覆盖所述第一绝缘层的一部分；以及形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层未被所述第一电极板层覆盖的区域的一部分以及所述第一电极板层的一部分；其中，在俯视时，所述第一电极板层与所述第二绝缘层形成角，所述角使得所述衬底的一部分露出，所述角的角度θ满足90度≤θ≤180度。本申请可以改善麦克风中形成不期望的孔洞的问题。

【技术实现步骤摘要】
麦克风及其制造方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种麦克风及其制造方法，更具体地，涉及一种微机电系统(MEMS)麦克风及其制造方法。
技术介绍
图1A和图1B示出了现有的一种麦克风的制造方法的不同阶段的截面示意图。首先，如图1A所示，提供衬底结构。该衬底结构包括：衬底101、在衬底101上的第一绝缘层102、在第一绝缘层102上的第一电极板层103、在第一电极板层103上的第二绝缘层104、在第二绝缘层104上的第二电极板层105、以及在第二电极板层105之上的支撑层106。第二电极板层105和支撑层106具有延伸到第二绝缘层104的通孔107。衬底101的底部形成有露出第一绝缘层102的通孔108。然后，如图1B所示，通过湿法刻蚀去除第一绝缘层层102的一部分以及第二绝缘层104的一部分，从而在第一电极板层103和第二电极板层105之间形成空腔109。在湿法刻蚀工艺中，并非需要将第一绝缘层102和第二绝缘层104全部去除，有些位置的第一绝缘层层102和第二绝缘层104是需要保留下来的。例如，某些区域的支撑层106下具有第二绝缘层104和第一绝缘层102，某些区域的支撑层106下具有第一电极板层103和第一绝缘层102，这些区域的第一绝缘层102和第二绝缘层104需要保留下来(图中未示出)。然而，本申请的专利技术人发现：在湿法刻蚀工艺后，支撑层106下需要保留下来的第一绝缘层102和第二绝缘层104也会被去除或部分去除，从而在支撑层106下方形成不期望的孔洞，影响麦克风的性能。
技术实现思路
本申请的一个目的在于改善麦克风中形成不期望的孔洞的问题。根据本申请的一方面，提供了一种麦克风的制造方法，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和覆盖所述衬底的一部分的第一绝缘层；形成第一电极板层，所述第一电极板层覆盖所述第一绝缘层的一部分；以及形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层未被所述第一电极板层覆盖的区域的一部分以及所述第一电极板层的一部分；其中，在俯视时，所述第一电极板层与所述第二绝缘层形成角，所述角使得所述衬底的一部分露出，所述角的角度θ满足90度≤θ≤180度。在一个实施例中，90度<θ≤180度。在一个实施例中，所述形成第一电极板层包括：在所述衬底结构上沉积第一电极板材料层；在所述第一电极板材料层上形成图案化的第一掩模层；以及以所述第一掩模层为掩模对所述第一电极板材料层进行刻蚀，剩余的第一电极板材料层作为所述第一电极板层。在一个实施例中，所述形成第二绝缘层包括：在形成所述第一电极板层后的衬底结构上沉积第二绝缘材料层；在所述第二绝缘材料层上形成图案化的第二掩模层；以及以所述第二掩模层为掩模对所述第二绝缘材料层进行刻蚀，剩余的第二绝缘材料层作为所述第二绝缘层。在一个实施例中，所述方法还包括：在所述第二绝缘层上形成第二电极板层；以及沉积支撑层，所述支撑层覆盖形成所述第二电极板层之后的衬底结构。在一个实施例中，所述方法还包括：形成贯穿所述支撑层和所述第二电极板层的第一通孔以及贯穿所述衬底的第二通孔；以及通过湿法刻蚀去除所述第一绝缘层的一部分以及所述第二绝缘层的一部分，从而在所述第一电极板层和所述第二电极板层之间形成空腔。在一个实施例中，所述第一电极板层和所述第二电极板层的材料包括多晶硅；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料包括硅的氧化物；所述支撑层的材料包括硅的氮化物。根据本申请的另一方面，提供了一种麦克风，包括：衬底结构以及覆盖所述衬底结构的支撑层；所述衬底结构包括：衬底，具有贯穿所述衬底的通孔；第一绝缘层，覆盖所述衬底的一部分；第一电极板层，覆盖所述通孔和所述第一绝缘层的一部分；第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层未被所述第一电极板层覆盖的区域的一部分；其中，在俯视时，所述第一电极板层与所述第二绝缘层形成角，所述角使得所述衬底的一部分露出，所述角的角度θ满足90度≤θ≤180度；以及第二电极板层，位于所述第一电极板层上方。在一个实施例中，90度<θ≤180度。在一个实施例中，所述第一电极板层和所述第二电极板层的材料包括多晶硅；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料包括硅的氧化物；所述支撑层的材料包括硅的氮化物。根据本申请的又一方面，提供了一种麦克风的制造方法，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和覆盖所述衬底的一部分的第一绝缘层；形成覆盖所述第一绝缘层的一部分的第一电极板层；以及形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层未被所述第一电极板层覆盖的区域的一部分以及所述第一电极板层的一部分；其中，在俯视时，所述第一电极板层与所述第二绝缘层形成角，所述角使得所述第一绝缘层的一部分露出，所述角的角度θ满足90度≤θ≤180度。根据本申请的再一方面，提供了一种麦克风，包括：衬底结构以及覆盖所述衬底结构的支撑层；所述衬底结构包括：衬底，具有贯穿所述衬底的通孔；第一绝缘层，覆盖所述衬底的一部分；第一电极板层，覆盖所述通孔和所述第一绝缘层的一部分；第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层未被所述第一电极板层覆盖的区域的一部分；其中，在俯视时，所述第一电极板层与所述第二绝缘层形成角，所述角使得所述第一绝缘层的一部分露出，所述角的角度θ满足90度≤θ≤180度；以及第二电极板层，位于所述第一电极板层上方。本申请实施例中，由于第一电极板层和第二绝缘层形成的角的角度满足90度≤θ≤180度，因此，在后续形成支撑层后，可以改善支撑层在该角的区域的填充效果，减小或消除支撑层的弱点，进而可以改善或消除麦克风中产生孔洞的问题。通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。附图说明附图构成本说明书的一部分，其描述了本申请的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本申请的原理，在附图中：图1A和图1B示出了现有的一种麦克风的制造方法的不同阶段的截面示意图；图2示出了现有的麦克风在形成第二绝缘层后的俯视图；图3是根据本申请一个实施例的麦克风的制造方法的流程示意图；图4A-图4C示出了根据本申请一个实施例的麦克风的制造方法的不同阶段的俯视图；图5A-图5C示出了根据本申请另一个实施例的麦克风的制造方法的不同阶段的俯视图；图6A和图6B示出了根据本申请一些实施例的麦克风的制造方法的不同阶段的截面示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应理解，除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不应被理解为对本申请范围的限制。此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不必然按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。以下对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，在任何意义上都不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和装置可能不作详细讨论，但在适用这些技术、方法和装置情况下，这些技术、方法和装置应当被视为本说明书的一部分。应注意，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义或说明，则在随后的附图的说明中将不需要对其进行进一步讨论。图2示出了现有的麦克风在形成第二绝缘层后的俯视图。在图2中，A区域为露出的衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种麦克风的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和覆盖所述衬底的一部分的第一绝缘层；形成第一电极板层，所述第一电极板层覆盖所述第一绝缘层的一部分；以及形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层未被所述第一电极板层覆盖的区域的一部分以及所述第一电极板层的一部分；其中，在俯视时，所述第一电极板层与所述第二绝缘层形成角，所述角使得所述衬底的一部分露出，所述角的角度θ满足90度≤θ≤180度。

【技术特征摘要】
1.一种麦克风的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和覆盖所述衬底的一部分的第一绝缘层；形成第一电极板层，所述第一电极板层覆盖所述第一绝缘层的一部分；以及形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层未被所述第一电极板层覆盖的区域的一部分以及所述第一电极板层的一部分；其中，在俯视时，所述第一电极板层与所述第二绝缘层形成角，所述角使得所述衬底的一部分露出，所述角的角度θ满足90度≤θ≤180度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，90度<θ≤180度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第一电极板层包括：在所述衬底结构上沉积第一电极板材料层；在所述第一电极板材料层上形成图案化的第一掩模层；以及以所述第一掩模层为掩模对所述第一电极板材料层进行刻蚀，剩余的第一电极板材料层作为所述第一电极板层。4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述形成第二绝缘层包括：在形成所述第一电极板层后的衬底结构上沉积第二绝缘材料层；在所述第二绝缘材料层上形成图案化的第二掩模层；以及以所述第二掩模层为掩模对所述第二绝缘材料层进行刻蚀，剩余的第二绝缘材料层作为所述第二绝缘层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述第二绝缘层上形成第二电极板层；以及沉积支撑层，所述支撑层覆盖形成所述第二电极板层之后的衬底结构。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：形成贯穿所述支撑层和所述第二电极板层的第一通孔以及贯穿所述衬底的第二通孔；以及通过湿法刻蚀去除所述第一绝缘层的一部分以及所述第二绝缘层的一部分，从而在所述第一电极板层和所述第二电极板层之间形成空腔。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一电极板层和所述第二电极板层的材料包括多晶硅；所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料包括硅的氧化物；所述支撑层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张健，闾新明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31