包括发光二极管的显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本申请提供一种包括分别包含多个子像素的像素的显示装置，其包括：包括多个LED单元的LED阵列，所述多个LED单元设置在所述多个子像素中，所述多个LED单元被构造为发射具有基本相同的波长的光，每个LED单元具有第一表面和第二表面；包括多个TFT单元的TFT电路，每个TFT单元布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第一表面上，并且包括源极区和漏极区和栅电极；布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第二表面上的波长转换图案，波长转换图案包括量子点的合成物和/或聚合物，量子点被构造为发射的光的颜色与从其它波长转换图案的其它量子点发射的光的颜色不同；以及光阻挡壁，其布置在所述多个子像素中的两个之间和波长转换图案之间，以将所述多个子像素分离。

【技术实现步骤摘要】
包括发光二极管的显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0113362的优先权的利益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本公开涉及一种包括发光二极管(LED)的显示装置。
技术介绍
半导体发光二极管(LED)不仅用作用于照明装置的光源，还用作用于各种电子产品的光源。例如，半导体LED通常用作用于诸如TV、移动电话、PC、笔记本计算机和个人数字助理(PDA)的各种装置和家电的显示面板的光源。例如液晶显示器(LCD)的相关技术的显示装置包括LCD面板和背光。然而，近来研发的显示器不包括分离的背光，而是使用LED装置作为单独像素。与相关技术的LCD显示器相比，这种显示装置可不仅紧凑而且实现具有更大的光效率的相对高亮度的显示装置。
技术实现思路
示例实施例可提供一种在晶圆等级上实现并且包括适于每个子像素的波长转换装置的显示装置。根据示例实施例，一种显示装置包括：多个像素，每个像素包括多个子像素；发光二极管(LED)阵列，其包括多个LED单元，所述多个LED单元中的每一个设为所述多个子像素中的对应的一个子像素的一部分，所述多个LED单元被构造为发射具有基本相同的波长的光，所述多个LED单元中的每一个具有彼此相对的第一表面和第二表面；薄膜晶体管(TFT)电路，其包括多个TFT单元，所述多个TFT单元中的每一个布置在所述多个LED单元的对应的第一表面上，并且包括源极区和漏极区以及布置在源极区和漏极区之间的栅电极；波长转换图案，每个波长转换图案布置在所述多个LED单元的对应的第二表面上，每个波长转换图案包括量子点的合成物和/或聚合物，量子点被构造为发射与从所述多个子像素的其它子像素发射的光的颜色不同颜色的光；以及光阻挡壁，其布置在所述多个LED单元之间和波长转换图案之间，以将所述多个子像素分离。根据示例实施例，一种显示装置包括：像素的阵列，每个像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；多个LED单元，所述多个LED单元中的每一个形成第一子像素、第二子像素和第三子像素中的对应的一个的一部分，所述多个LED单元被构造为发射具有第一波长的光，所述多个LED单元中的每一个具有彼此相对的第一表面和第二表面；布置在所述多个LED单元的第一表面上的多个TFT单元，所述多个TFT单元中的每一个包括源极区和漏极区以及布置在源极区和漏极区之间的栅电极；在行方向上电连接所述多个TFT单元的源极区的多条数据线；在列方向上电连接所述多个TFT单元的栅电极栅极线；多个第一波长转换图案，每个第一波长转换图案布置在形成对应的一个第一子像素的对应的LED单元的第二表面上，每个第一波长转换图案包括第一量子点的合成物和/或聚合物，第一量子点被构造为将具有第一波长的光转换为具有第二波长的光；以及多个第二波长转换图案，每个第二波长转换图案布置在形成对应的一个第二子像素的对应的LED单元的第二表面上，每个第二波长转换图案包括第二量子点的合成物和/或聚合物，第二量子点被构造为将具有第一波长的光转换为具有第三波长的光。根据示例实施例，一种显示装置包括：像素的阵列，每个像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；多个LED单元，所述多个LED单元中的每一个形成第一子像素、第二子像素和第三子像素中的对应的一个的一部分，所述多个LED单元包括相同的外延层，所述多个LED单元中的每一个具有彼此相对的第一表面和第二表面；绝缘膜，其布置在所述多个LED单元的第一表面上；多个TFT单元，其通过绝缘膜与所述多个LED单元绝缘，所述多个TFT单元中的每一个布置在所述多个LED单元中的对应的一个的第一表面的一个区中；以及多个第一波长转换图案和多个第二波长转换图案，每个第一波长转换图案和每个第二波长转换图案布置在分别布置在对应的第一子像素和第二子像素中的所述多个LED单元的对应的第二表面上，第一波长转换图案和第二波长转换图案中的每一个包括被构造为发射光的量子点的合成物和/或从光敏树脂合成物获得的聚合物，其中，第一波长转换图案被构造为发射具有第一波长的光，第二波长转换图案被构造为发射具有与第一波长不同的第二波长的光。根据实施例，一种制造显示装置的方法，包括以下步骤：在第一衬底上形成第一导电半导体层；在第一导电半导体层上形成有源层；在有源层上形成第二导电半导体层；去除第二导电半导体层的一部分，以形成第二导电半导体图案；去除有源层的一部分，以形成有源图案；在第一导电半导体层的去除了第二导电半导体层和有源层的一部分上形成第一电极；在第二导电半导体图案上形成第二电极；在第一电极、第二电极、第一导电半导体层和第二导电半导体图案上形成第一绝缘层；在绝缘膜上形成薄膜晶体管(TFT)；在TFT上形成第二绝缘层；形成将TFT的源极/漏极与第二电极电连接的导体图案；用粘合剂层将第二衬底附着于TFT上；从第一导电半导体层去除第一衬底；去除第一导电半导体层的一部分，以暴露出第一绝缘层，并形成第一导电半导体图案；在第一导电半导体图案上形成波长转换图案；以及在通过去除第一导电半导体层的一部分而暴露出的第一绝缘层上形成光阻挡图案，其中，第一导电半导体图案、有源图案和第二导电半导体图案形成发光二极管(LED)，并且其中，在平面图中，TFT完全被第一导电半导体图案覆盖。附图说明通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的以上和其它方面、特征和其它优点，其中：图1是根据示例实施例的包括发光二极管(LED)的显示装置的俯视图；图2是沿着图1所示的显示装置的线I-I'截取的剖视图；图3是在图1所示的显示装置中实现的驱动电路图；图4是根据各个示例实施例的包括LED的显示装置的剖视图；图5是根据示例实施例的在包括LED的显示装置中采用的像素的布局；以及图6至图12是示出根据示例实施例的制造包括LED的显示装置的方法的剖视图。具体实施方式下文中，将参照附图描述本专利技术构思的各个示例实施例。图1是根据示例实施例的包括发光二极管(LED)的显示装置的俯视图，图2是沿着图1所示的显示装置的线I-I'截取的剖视图。参照图1和图2，显示装置100可包括像素P的阵列，像素P具有被构造为发射具有不同颜色的光的第一子像素S1、第二子像素S2和第三子像素S3。可根据向其施加的对应的驱动信号分别控制第一子像素S1、第二子像素S2和第三子像素S3中的每一个以发射选择强度的光。虽然根据示例实施例的像素P的阵列示为9×8，但是可按照任何合适的数量来实现行和列(例如，1024×768)。例如，可提供根据期望分辨率的各种像素的阵列。通过第一子像素S1、第二子像素S2和第三子像素S3(例如，相邻的子像素S1、S2和S3)的组合形成每个像素P，以发出通过分离地驱动所述子像素S1、S2和S3得到的选择的颜色。显示装置100可被构造为分别向第一子像素S1、第二子像素S2和第三子像素S3提供不同的颜色，以显示彩色图像。例如，第一子像素S1、第二子像素S2和第三子像素S3可分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。参照图2，根据示例实施例的显示装置100可包括具有布置在支承衬底160上的多个LED单元C1、C2和C3的LED阵列。显示装置100可具有矩形形状或其它合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：多个像素，每个像素包括多个子像素；发光二极管阵列，其包括多个发光二极管单元，所述多个发光二极管单元中的每一个设为所述多个子像素中的对应的一个子像素的一部分，所述多个发光二极管单元被构造为发射具有实质上相同的波长的光，所述多个发光二极管单元中的每一个具有彼此相对的第一表面和第二表面；薄膜晶体管电路，其包括多个薄膜晶体管单元，所述多个薄膜晶体管单元中的每一个布置在所述多个发光二极管单元的对应的第一表面上，并且包括源极区和漏极区以及布置在所述源极区和所述漏极区之间的栅电极；波长转换图案，每个波长转换图案布置在所述多个发光二极管单元的对应的第二表面上，每个波长转换图案包括量子点的合成物，所述量子点被构造为发射与从所述多个子像素的其它子像素发射的光的颜色不同颜色的光；以及光阻挡壁，其布置在所述多个发光二极管单元之间和所述波长转换图案之间，以将所述多个子像素分离。

【技术特征摘要】
2017.09.05 KR 10-2017-01133621.一种显示装置，包括：多个像素，每个像素包括多个子像素；发光二极管阵列，其包括多个发光二极管单元，所述多个发光二极管单元中的每一个设为所述多个子像素中的对应的一个子像素的一部分，所述多个发光二极管单元被构造为发射具有实质上相同的波长的光，所述多个发光二极管单元中的每一个具有彼此相对的第一表面和第二表面；薄膜晶体管电路，其包括多个薄膜晶体管单元，所述多个薄膜晶体管单元中的每一个布置在所述多个发光二极管单元的对应的第一表面上，并且包括源极区和漏极区以及布置在所述源极区和所述漏极区之间的栅电极；波长转换图案，每个波长转换图案布置在所述多个发光二极管单元的对应的第二表面上，每个波长转换图案包括量子点的合成物，所述量子点被构造为发射与从所述多个子像素的其它子像素发射的光的颜色不同颜色的光；以及光阻挡壁，其布置在所述多个发光二极管单元之间和所述波长转换图案之间，以将所述多个子像素分离。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素包括被构造为发射红光的第一子像素、被构造为发射绿光的第二子像素和被构造为发射蓝光的第三子像素。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个发光二极管单元被构造为发射紫外光或近紫外光，其中，所述波长转换图案包括分别布置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一波长转换图案、第二波长转换图案和第三波长转换图案，并且其中，所述第一波长转换图案、所述第二波长转换图案和所述第三波长转换图案分别包括红色量子点、绿色量子点和蓝色量子点。4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个发光二极管单元被构造为发射蓝光，其中，所述波长转换图案包括分别布置在所述第一子像素和所述第二子像素中的第一波长转换图案和第二波长转换图案，并且其中，所述第一波长转换图案和所述第二波长转换图案分别包括红色量子点和绿色量子点。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第三子像素包括透光图案，所述透光图案的厚度对应于布置在对应的发光二极管单元的第二表面上的第一波长转换图案和第二波长转换图案的厚度。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换图案还包括聚合物。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述波长转换图案包括从金属氧化物颗粒、金属颗粒和金属氧化物颗粒与金属颗粒的组合中选择的光漫射器。8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括布置在发光二极管单元中的每一个与所述多个薄膜晶体管单元中的每一个之间的绝缘膜。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管电路包括在行方向上电连接所述多个薄膜晶体管单元的源极区的多条数据线和在列方向上电连接所述多个薄膜晶体管单元的栅电极的栅极线。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光阻挡壁包括黑矩阵。11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括布置在所述多个发光二极管单元的第一表面上的柔性衬底。12.一种显示装置，包括：像素的阵列，每个像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；多个发光二极管单元，所述多个发光二极管单元中的每一个形成所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的对应的一个的一部分，所述多个发光二极管单元被构造为发射具有第一波长的光，所述多个发光二极管单元中的每一个具有彼此相对的第一表面和第二表面；多个薄膜晶体管单元，其分别布置在所述多个发光二极管单元的第一表面上，所述多个薄膜晶体管单元中的每一个包括源极区和漏极区以及布置在所述源极区和所述漏极区之间的栅电极；在行方向上电连接所述多个薄膜晶体管单元的源极区的多条数据线；在列方向上电连接所述多个薄膜晶体管单元的栅电极的栅极线；多个第一波长转换图案，每个第一波长转换图案布置在形成所述第一子像素中的对应的一个第一子像素的对应的发光二极管单元的第二表面上，每个第一波长转换图案包括第一量子点的合成物，所述第一量子点被构造为将具有所述第一波长的光转换为具有第二波长的光；以及多个第二波长转换图案，每个第二波长转换图案布置在形成所述第二子像素中的对应的一个第二子像素的对应的发光二极管单元的第二表面上，每个第二波长转换图案包括第二量子点的合成物，所述第二量子点被构造为将具有所述第一波长的光转换为具有第三波长的光。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个发...

【专利技术属性】
技术研发人员：金载润，辛榕燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR