一种低损耗延时开关电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低损耗延时开关电路，包括NMOS管、PMOS管、二极管V2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，电阻R1的一脚、二极管V2的正极和PMOS管的S极同时连接VCC_in，电阻R1另一脚与电阻R2的一脚同时连接PMOS管的G极，PMOS管的D极连接VCC_out，电阻R2另一脚连接NMOS管D极，电阻R5的一脚和NMOS管S极同时连接电源负极；电阻R4连接NMOS管的G极，电阻R5另一脚、R4另一脚和R3一脚同时连接电容C1，电容C1另外一脚接电源负极，电阻R3另一脚连接二极管V2的负极；该低损耗延时开关电路大大降低了设备的损耗，延长了电池的工作时间，降低了设备维护成本。

A Low Loss Delay Switching Circuit

The utility model discloses a low loss delay switching circuit, which includes NMOS tube, PMOS tube, diode V2, capacitor C1, resistance R1, resistance R2, resistance R3, resistance R4 and resistance R5, one foot of resistance R1, the positive electrode of diode V2 and the S electrode of PMOS tube are connected to VCC_in at the same time, the other foot of resistance R1 and one foot of resistance R2 are connected to the G electrode of PMOS tube at the same time, the D electrode of PMOS tube is connected to VCC_out, and the resistance R2 is connected to VCC_out The other foot is connected to the D-pole of the NMOS transistor, the one foot of the resistance R5 and the S-pole of the NMOS transistor are connected to the negative pole of the power supply at the same time; the G-pole of the resistance R4 is connected to the G-pole of the NMOS transistor; the other foot of the resistance R5 is connected to the negative pole of the power supply, and the other foot of the resistance R3 is connected to the negative pole of the diode V2; the low-loss delay switching circuit greatly reduces the loss of the equipment and prolongs the The working time reduces the cost of equipment maintenance.

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗延时开关电路
本技术涉及延时开关电路
，具体涉及一种低损耗延时开关电路。
技术介绍
目前多数精确延时电路均使用微处理的定时器实现延时精准控制，其优点是延时精度高，延时时间可编程控制，但缺点是成本较高，芯片体积较大。对不需要精确延时时间场合一般使用RC电路进行延时，电源开关控制部分使用NPN管+PNP管、NPN管+MOS管或基准管+光耦器件等式，其损耗为毫安级或者是导通电流小，而对于很多电源而言，往往对于上电时序和延时电路启动电压要求较低，单对其损耗和通过电流大小有严格要求，如果使用传统延时电路不满足上述要求，对于低损耗的应用场合，低损耗设计显得尤为重要因此设计一种简单的能同时满足损耗和通过大电流的电路非常具有实用价值。另外，与本专利技术创造最相近的技术实现方案如下，但都存在一定不足：技术专利授权(一种延时开关电路，申请号：CN201721113752.4)，电路由光耦、基准管、电阻、电容组成，延时部分使用RC电路，RC电路充电到一定程度时开启基准管，再开启光耦器件，最后控制信号。不足之处这种延时开关电路只能用于普通信号控制，无法控制直流电源，存在1路直流偏置电流，基准管需要一直运行工作电流为毫安级，光耦器件存在最小工作电流(毫安级)、电流转换效率以及泄露电流，整体工作电流为毫安级。技术专利授权(开关电源电路及延时开关电路，申请号：CN201521071474.1)，电路由NPN管、PNP管、电阻、电容组成，延时部分使用RC电路，RC电路充电，NPN管基级电压为0.6V时开启NPN管，再开启PNP管导通电源。不足之处这种延时开关电路只能控制普通信号和小电流直流电源，无法控制大电流直流电源(如安培级)；存在NPN管直流偏置电流(偏置电阻为千欧姆级，工作电流毫安级)和PNP管直流偏置电流(偏置电阻为千欧姆级，工作电流毫安级)；整体开关工作电流为毫安级。技术专利授权(延时开关电路，申请号：CN201120102609.1)，电路由NPN管、PNP管、MOS管、二极管、稳压管、电阻、电容、按键等组成，延时部分使用RC电路，使用NPN管控制PNP管，只能控制普通信号和小电流直流电源，无法控制大电流直流电源(如安培级)；NPN管、PNP管均存在偏置电阻(工作电流毫安级)，适用于遥控器等不工作时自动关闭电源，不适合大电流应用场合。整体开关工作电流为毫安级。技术专利授权(延时开关电路，申请号：CN201220543260.X)，电路由NPN管、双路MOS管、电阻、电容等组成，延时部分使用RC电路，使用NPN管控制双路MOS管，可以控制双路大电流直流电源(如安培级)；NPN管在偏置电阻(工作电流毫安级)，适合大电流应用场合。由于三极管特性，截止时，三极管C极与E极之间存在漏电流以及工作时存在耗散功率，(工作电流毫安级)，整体开关工作电流为毫安级。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中的缺陷，提供一种低损耗延时开关电路，解决现有开关控制大电流时难以获得低损耗的技术问题。为实现上述目的，本技术的技术方案如下：一种低损耗延时开关电路，包括NMOS管、PMOS管、二极管V2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，所述电阻R1的一脚、二极管V2的正极和PMOS管的S极同时连接VCC_in，所述电阻R1另一脚与电阻R2的一脚同时连接PMOS管的G极，所述PMOS管的D极连接VCC_out，所述电阻R2另一脚连接NMOS管D极，所述电阻R5的一脚和NMOS管S极同时连接电源负极；所述电阻R4连接NMOS管的G极，所述电阻R5另一脚、R4另一脚和R3一脚同时连接电容C1，所述电容C1另外一脚接电源负极，所述电阻R3另一脚连接二极管V2的负极。为了进一步实现本技术，所述NMOS管采用型号为2N7002的NMOS管。为了进一步实现本技术，所述PMOS管采用型号为AO3401A的PMOS管。为了进一步实现本技术，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值分别为1MΩ、10kΩ、1MΩ、100kΩ和1MΩ。有益效果本技术低损耗延时开关电路，由于MOS管属于电压器件，MOS管导通和截止时其电流非常小，可以忽略不计。工作时(NMOS和PMOS均导通)电流损耗为纳安级，偏置电阻消耗电流为微安级；不工作时(NMOS和PMOS均不导通)电流损耗几乎为0，大大降低了设备的损耗，延长了电池的工作时间，降低了设备维护成本，与传统延时开关电流损耗毫安级相比，损耗降低大，适合于物联网NB-IoT低损耗延时开关电路应用，且具有很低成本优势。附图说明图1为本技术低损耗延时开关电路的原理框图。具体实施方式下面结合附图对本技术作进一步地详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，本具体实施的方向以图1方向为标准。实施例一如图1所示，本技术低损耗延时开关电路包括NMOS管、PMOS管、二极管V2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，其中：电阻R1的一脚、二极管V2的正极和PMOS管的S极(源极)同时连接VCC_in，电阻R1另一脚与电阻R2的一脚同时连接PMOS管的G极(栅极)，PMOS管的D极(漏极)连接VCC_out，电阻R2另一脚连接NMOS管D极(漏极)，电阻R5的一脚和NMOS管S极(源极)同时连接电源负极；电阻R4连接NMOS管的G极(栅极)，电阻R5另一脚、R4另一脚和R3一脚同时连接电容C1，电容C1另外一脚接电源负极，电阻R3另一脚连接二极管V2的负极。NMOS管采用型号为2N7002的NMOS管，PMOS管采用型号为AO3401A的PMOS管，电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5的阻值分别为1MΩ、10kΩ、1MΩ、100kΩ和1MΩ，当然，可根据不同延时需求调整电阻R3、电容C1大小；可根据PMOS管参数的不同调整R1和R2偏置电阻大小，满足其需要；可根据NMOS管参数的不同调整R4和R5偏置电阻大小，满足其需要。电阻R5和电阻R4为NMOS管的偏置电阻，NMOS管偏置电阻消耗电流为微安级，电阻R1为PMOS管偏置电阻，PMOS管偏置电阻消耗电流为微安级；NMOS管G极与S极之间的电压大于导通阈值电压(大于0V)，输入电源VCC_in接通电源时，VCC_in通过肖特基二极管V2、电阻R3对电容C1充电，充电到一定电压时大于NMOS管导通阈值电压时，NMOS导通后NMOS管D极电压接近0V，PMOS管G极电压接近0V；与此同时，PMOS管G极与S极之间的电压小于导通阈值电压(负值，负电压)，PMOS管导通，VCC_out获得输入电源；由于PMOS管D极与S极之间的导通电阻为数十毫欧、电源电流可以数安培，那么通过PMOS管的压降为百毫伏级(数十毫欧乘以数安培)，PMOS管的压降小，可以近似为一个较为理想的电源开关。输入电源VCC_in断开时，NMOS和PMOS均不导通，电流损耗为0。本技术低损耗延时开关电路，由于MOS管属于电压器件，MOS管导通和截止时其电流非常小，可以忽略不计。工作时(NMOS和PMOS均导通)电流损耗为纳安级，偏置电阻消耗电流为微安级；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低损耗延时开关电路，其特征在于，包括NMOS管、PMOS管、二极管V2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，所述电阻R1的一脚、二极管V2的正极和PMOS管的S极同时连接VCC_in，所述电阻R1另一脚与电阻R2的一脚同时连接PMOS管的G极，所述PMOS管的D极连接VCC_out，所述电阻R2另一脚连接NMOS管D极，所述电阻R5的一脚和NMOS管S极同时连接电源负极；所述电阻R4连接NMOS管的G极，所述电阻R5另一脚、R4另一脚和R3一脚同时连接电容C1，所述电容C1另外一脚接电源负极，所述电阻R3另一脚连接二极管V2的负极。

【技术特征摘要】
1.一种低损耗延时开关电路，其特征在于，包括NMOS管、PMOS管、二极管V2、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5，所述电阻R1的一脚、二极管V2的正极和PMOS管的S极同时连接VCC_in，所述电阻R1另一脚与电阻R2的一脚同时连接PMOS管的G极，所述PMOS管的D极连接VCC_out，所述电阻R2另一脚连接NMOS管D极，所述电阻R5的一脚和NMOS管S极同时连接电源负极；所述电阻R4连接NMOS管的G极，所述电阻R5另一脚、R4另一脚和R...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈石平，彭进双，谈书才，徐彬雄，徐恒星，
申请(专利权)人：广州奥格智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44