一种抗电压波动的延时开关电路制造技术

技术编号:20164330 阅读:36 留言:0更新日期:2019-01-19 00:17
本发明专利技术属于电子技术领域,公开了一种抗电压波动的延时开关电路,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin‑、输出接口Vout+、输出接口Vout‑、电阻R3、电容C2、电阻R5、NPN三极管Q2、电容C3、电阻R6、电阻R7以及P‑MOS管MQ1;R3的第一端与Vin+相连,R3的第二端通过C2与Vin‑相连,R3的第二端通过R5与Q2的基极相连,Q2的发射极与Vin‑相连;C3的第一端与Vin+相连,C3的第二端通过R7与Q2的集电极相连,R6与C3并联,MQ1的栅极与C3的第二端相连,MQ1的源极与Vin+相连,MQ1的漏极与Vout+相连;Vin‑与Vout‑接地。本发明专利技术提供的抗电压波动的延时开关电路能够解决现有技术中延时短,可调谐范围窄的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种抗电压波动的延时开关电路
本专利技术涉及电子
,特别涉及一种抗电压波动的延时开关电路。
技术介绍
随着现网大功率设备的广泛使用,例如空调、温箱等,其启动瞬间市电电压会有不同程度的波动,可能导致其它正在使用的设备突然掉电又上电。需要注意的是,在电路设计中,芯片对电源上电时序有严格的规范定义,如果时序要求不满足,譬如市电电压波动,设备掉电后残压泄放不及时又迅速上电,或者上电上升沿不连续等,将无法正常启动,或者启动之后某些功能异常。对此,现有技术采用延迟电源开启的方案,为负载提供较长的延时用于泄放残余电量,避免电量累积影响下一次上电时序,克服输入电源的波动带来的时序问题。现有方案延时短,可调谐范围窄,电源开启上升沿爬升缓慢,或需延时芯片继而或需增加编程烧录的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种抗电压波动的延时开关电路,解决现有技术中延时短,可调谐范围窄的技术问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种抗电压波动的延时开关电路,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin-、输出接口Vout+、输出接口Vout-、缓启动驱动电路以及缓启动电路;所述缓启动驱动电路包括:电阻R3、电容C2、电阻R5以及NPN三极管Q2;所述电阻R3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电阻R3的第二端通过所述电容C2与所述输入接口Vin-相连,所述电阻R3的第二端通过所述电阻R5与所述NPN三极管Q2的基极相连,所述NPN三极管Q2的发射极与所述输入接口Vin-相连;所述缓启动电路包括:电容C3、电阻R6、电阻R7以及P-MOS管MQ1;所述电容C3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C3的第二端通过所述电阻R7与所述NPN三极管Q2的集电极相连,所述电阻R6与所述电容C3并联,所述P-MOS管MQ1的栅极与所述电容C3的第二端相连,所述P-MOS管MQ1的源极与所述输入接口Vin+相连,所述P-MOS管MQ1的漏极与所述输出接口Vout+相连;所述输入接口Vin-与所述输出接口Vout-接地。进一步地,所述开关电路还包括:泄放电路;所述泄放电路包括:电容C1、电阻R1、NPN三极管以及电阻R4;所述电容C1的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C1的第二端通过所述电阻R2与所述输入接口Vin-相连,所述电容C1的第二端通过所述电阻R2与所述NPN三极管的基极相连,所述NPN三极管的集电极通过电阻R4与所述电阻R3的第二端相连,所述NPN三极管的发射极接地。进一步地,所述开关电路还包括:电容C4;所述电容C4的第一端与所述输出接口Vout+相连,所述电容C4的第二端与所述输出接口Vout-相连。一种抗电压波动的延时开关电路,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin-、输出接口Vout+、输出接口Vout-、缓启动驱动电路以及缓启动电路;所述缓启动驱动电路包括:电阻R33、电容C22、电阻R55、电阻R77以及NPN三极管Q22;所述电阻R33的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电阻R33的第二端通过所述电容C22与所述输入接口Vin-相连,所述电阻R33的第二端通过所述电阻R55与所述NPN三极管Q2的基极相连,所述NPN三极管Q2的集电极通过所述电阻R77与所述输入接口Vin+相连;所述缓启动电路包括:电容C33、电阻R66以及N-MOS管MQ11;所述电容C33的第一端与所述输入接口Vin-相连,所述电容C33的第二端与所述NPN三极管Q2的射电极相连,所述电阻R66与所述电容C3并联,所述N-MOS管MQ11的栅极与所述电容C3的第二端相连,所述N-MOS管MQ11的源极与所述输入接口Vin-相连,所述N-MOS管MQ11的漏极与所述输出接口Vout-相连;所述输入接口Vin-与所述输出接口Vout-接地,所述输入接口Vin+与所述输出接口Vout+相连。进一步地,所述开关电路还包括:泄放电路;所述泄放电路包括:电容C11、电阻R11、NPN三极管以及电阻R44;所述电容C11的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C11的第二端通过所述电阻R22与所述输入接口Vin-相连,所述电容C11的第二端通过所述电阻R22与所述NPN三极管的基极相连,所述NPN三极管的集电极通过电阻R44与所述电阻R33的第二端相连,所述NPN三极管的发射极接地。进一步地,所述开关电路还包括:电容C44;所述电容C44的第一端与所述输出接口Vout+相连,所述电容C4的第二端与所述输出接口Vout-相连。本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:本申请实施例中提供的抗电压波动的延时开关电路,基于缓启动电路的设计,引入缓启动驱动电路,并具体在驱动电路中设置RC充电网络,通过调节电阻和电容实现对电源开启时延的大范围调谐,支持短至几毫秒、长至几秒甚至更长的延时;使得电源开启上升沿爬升时间与加入的长延时无关,上电迅速。并进一步,为了避免掉电后RC充电网络残余电量的累积,使得下一次电源开启得不到有效延时,设置泄放电路,在电源接入瞬间即开始工作,为RC网络中电容存储的残余电量提供泄放路径,经过一定延时后,自动断开泄放路径,RC网络重新开始充电,为电源开启提供延时。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的抗电压波动的延时开关电路的结构示意图;图2为本专利技术实施例二提供的抗电压波动的延时开关电路的结构示意图。具体实施方式本申请实施例通过提供一种抗电压波动的延时开关电路,解决现有技术中延时短,可调谐范围窄的技术问题。为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细说明,应当理解本专利技术实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明,而不是对本申请技术方案的限定,在不冲突的情况下,本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。参见图1,一种抗电压波动的延时开关电路,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin-、输出接口Vout+、输出接口Vout-、缓启动驱动电路以及缓启动电路;其中,所述输入接口Vin+和所述输入接口Vin-作为电源接入端,分别连接输入电源的正极和负极;所述输出接口Vout+和所述输出接口Vout-作为延时开关电路的电源输出端,分别连接负载的正极和负极。具体来说,所述缓启动驱动电路包括:电阻R3、电容C2、电阻R5以及NPN三极管Q2;所述电阻R3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电阻R3的第二端通过所述电容C2与所述输入接口Vin-相连,所述电阻R3的第二端通过所述电阻R5与所述NPN三极管Q2的基极相连,所述NPN三极管Q2的发射极与所述输入接口Vin-相连。所述缓启动电路包括:电容C3、电阻R6、电阻R7以及P-MOS管MQ1;所述电容C3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C3的第二端通过所述电阻R7与所述NPN三极管Q2的集电极相连,所述电阻R6与所述电容C3并联,所述P-MOS管MQ1的栅极与所述电容C3的第二端相连,所述P-MOS管MQ1的源极与所述输入接口Vin+相连,所述P-MOS管MQ1的漏极与所述输出接口Vout+相连;所述输入接口Vin-与所述输出接口Vout-接地。当NPN三极管Q1截止时,电容C2的泄放回路断开,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin‑、输出接口Vout+、输出接口Vout‑、缓启动驱动电路以及缓启动电路;所述缓启动驱动电路包括:电阻R3、电容C2、电阻R5以及NPN三极管Q2;所述电阻R3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电阻R3的第二端通过所述电容C2与所述输入接口Vin‑相连,所述电阻R3的第二端通过所述电阻R5与所述NPN三极管Q2的基极相连,所述NPN三极管Q2的发射极与所述输入接口Vin‑相连;所述缓启动电路包括:电容C3、电阻R6、电阻R7以及P‑MOS管MQ1;所述电容C3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C3的第二端通过所述电阻R7与所述NPN三极管Q2的集电极相连,所述电阻R6与所述电容C3并联,所述P‑MOS管MQ1的栅极与所述电容C3的第二端相连,所述P‑MOS管MQ1的源极与所述输入接口Vin+相连,所述P‑MOS管MQ1的漏极与所述输出接口Vout+相连;所述输入接口Vin‑与所述输出接口Vout‑接地。

【技术特征摘要】
1.一种抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,包括:输入接口Vin+、输入接口Vin-、输出接口Vout+、输出接口Vout-、缓启动驱动电路以及缓启动电路;所述缓启动驱动电路包括:电阻R3、电容C2、电阻R5以及NPN三极管Q2;所述电阻R3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电阻R3的第二端通过所述电容C2与所述输入接口Vin-相连,所述电阻R3的第二端通过所述电阻R5与所述NPN三极管Q2的基极相连,所述NPN三极管Q2的发射极与所述输入接口Vin-相连;所述缓启动电路包括:电容C3、电阻R6、电阻R7以及P-MOS管MQ1;所述电容C3的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C3的第二端通过所述电阻R7与所述NPN三极管Q2的集电极相连,所述电阻R6与所述电容C3并联,所述P-MOS管MQ1的栅极与所述电容C3的第二端相连,所述P-MOS管MQ1的源极与所述输入接口Vin+相连,所述P-MOS管MQ1的漏极与所述输出接口Vout+相连;所述输入接口Vin-与所述输出接口Vout-接地。2.如权利要求1所述的抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,所述开关电路还包括:泄放电路;所述泄放电路包括:电容C1、电阻R1、NPN三极管以及电阻R4;所述电容C1的第一端与所述输入接口Vin+相连,所述电容C1的第二端通过所述电阻R2与所述输入接口Vin-相连,所述电容C1的第二端通过所述电阻R2与所述NPN三极管的基极相连,所述NPN三极管的集电极通过电阻R4与所述电阻R3的第二端相连,所述NPN三极管的发射极接地。3.如权利要求1所述的抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,所述开关电路还包括:电容C4;所述电容C4的第一端与所述输出接口Vout+相连,所述电容C4的第二端与所述输出接口Vout-相连。4.一种抗电压波动的延时开关电路,其特征在于,包括:输入...

【专利技术属性】
技术研发人员:李汝虎席德权蔡舒宏
申请(专利权)人:博为科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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