纯化方法及纯化装置制造方法及图纸

提供一种新颖的升华纯化方法。此外，提供一种新颖的升华纯化装置。一种使用包括通过使物质气化进行纯化的纯化部、温度调节单元、气体供应单元及气体排出单元的纯化装置的纯化方法。其中，使用气体排出单元将纯化部内设定为第一压力，使用温度调节单元设定纯化部的温度梯度来纯化物质，然后，使用气体供应单元将纯化部内的压力设定为第二压力，使用温度调节单元冷却纯化部。第二压力高于第一压力，并且，第二压力为大气压以上。

Purification method and purification device

A novel sublimation and purification method is provided. In addition, a novel sublimation purification device is provided. A purification method using a purification device comprising a purification unit, a temperature regulating unit, a gas supply unit and a gas discharge unit for purification by gasification of a substance. The first pressure is set in the purification unit by the gas exhaust unit, and the temperature gradient is set by the temperature regulating unit to purify the substance. Then, the pressure in the purification unit is set as the second pressure by the gas supply unit, and the purification unit is cooled by the temperature regulating unit. The second pressure is higher than the first pressure, and the second pressure is above the atmospheric pressure.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】纯化方法及纯化装置
本专利技术的一个方式涉及一种用于物质的纯化及回收的升华或蒸馏等纯化方法及纯化装置，尤其涉及一种使物质气化进行纯化的方法及装置。此外，本专利技术的一个方式涉及一种使用该纯化方法的发光元件或半导体元件的制造方法。或者，涉及一种包括该发光元件或该半导体元件的显示装置、电子设备及照明装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。因此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。
技术介绍
近年来，对利用电致发光(Electroluminescence：EL)的发光元件的研究开发日益增强。这些发光元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光物质的层(EL层)。通过将电压施加到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用纯化装置的纯化方法，该纯化装置包括：通过使物质气化进行纯化的纯化部；设置在所述纯化部的温度调节单元；设置在所述纯化部的一个端部并具有对所述纯化部内供应气体的功能的气体供应单元；以及设置在所述纯化部的另一个端部并具有从所述纯化部内排出气体的功能的气体排出单元，该纯化方法包括如下步骤：使用所述气体排出单元，将所述纯化部内设定为第一压力；使用所述温度调节单元，设定所述纯化部的温度梯度，纯化所述物质；然后，使用所述气体供应单元，将所述纯化部内的压力设定为第二压力；以及使用所述温度调节单元，冷却所述纯化部，其中，所述第二压力高于所述第一压力，并且，所述第二压力为大气压以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.08 JP 2016-0777641.一种使用纯化装置的纯化方法，该纯化装置包括：通过使物质气化进行纯化的纯化部；设置在所述纯化部的温度调节单元；设置在所述纯化部的一个端部并具有对所述纯化部内供应气体的功能的气体供应单元；以及设置在所述纯化部的另一个端部并具有从所述纯化部内排出气体的功能的气体排出单元，该纯化方法包括如下步骤：使用所述气体排出单元，将所述纯化部内设定为第一压力；使用所述温度调节单元，设定所述纯化部的温度梯度，纯化所述物质；然后，使用所述气体供应单元，将所述纯化部内的压力设定为第二压力；以及使用所述温度调节单元，冷却所述纯化部，其中，所述第二压力高于所述第一压力，并且，所述第二压力为大气压以上。2.根据权利要求1所述的纯化方法，其中所述第一压力为10Pa以下。3.根据权利要求2所述的纯化方法，其中所述第一压力为0.1Pa以上。4.根据权利要求1所述的纯化方法，其中对所述纯化部进行加热，将所述纯化部内的一部分的温度设定为150℃以上且500℃以下。5.根据权利要求1所述的纯化方法，其中从所述纯化部排出气体，并将纯化部内设定为所述第一压力。6.根据权利要求1所述的纯化方法，其中对所述纯化部供应气体，并将纯化部内设定为所述第二压力。7.一种纯化装...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上祥子，北野靖，安部宽太，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP