阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术适用于显示技术领域，提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，阵列基板的制作方法包括在源漏极金属层的湿蚀刻工艺后对导状光阻图案进行第一次灰化，岛状光阻图案包括第一部分和位于第一部分两侧的两个第二部分，第二部分的高度大于第一部分的高度，使岛状光阻图案的边缘与源漏极金属段的边缘对齐。本发明专利技术通过对岛状光阻图案增加第一次灰化工艺，使其边缘与湿蚀刻后的源漏极金属段的边缘对齐，当对源漏极金属层下方的半导体材料层进行干蚀刻时，能够使半导体材料层的边缘与源漏极金属层的边缘接近甚至对齐，降低有源层的带尾长度，防止有源层的两侧被光线照射到而产生光漏电流，保证了像素电压的稳定以及画面显示的质量。

Fabrication of Array Substrate, Array Substrate and Display Device

The invention is applicable to the field of display technology, and provides a method for making an array substrate, an array substrate and a display device. The method for making an array substrate includes first ashing of a guide photoresistive pattern after a wet etching process of the source and drain metal layer. The Island photoresistive pattern comprises the first part and two second parts located on both sides of the first part. The height of the second part is higher than that of the first part. The height of the first part aligns the edges of the island photoresistive pattern with the edges of the source and drain metal segments. By adding the first ashing process to the island photoresist pattern, the edge of the source-drain metal section is aligned with the edge of the wet etched source-drain metal section. When dry etching is carried out on the semiconductor material layer below the source-drain metal layer, the edge of the semiconductor material layer can be close to or even aligned with the edge of the source-drain metal layer, the length of the tail band of the active layer can be reduced, and the two sides of the active layer can be prevented. The light leakage current is produced by illumination of light, which guarantees the stability of the pixel voltage and the quality of the picture display.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置
本专利技术属于显示
，特别涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
液晶显示面板(LCD，LiquidCrystalDisplay)是液晶显示器的重要组成部分，其通常包括相对设置的彩色滤光片基板(ColorFilterSubstrate，CF基板)和薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate,TFT阵列基板)，以及配置于该两基板之间的液晶层(LiquidCrystalLayer)构成。阵列基板上设有相互交叉用于限定多个像素单元的扫描线和数据线，TFT根据扫描线的信号打开或关闭，以将数据线的信号传递至像素单元，液晶层的液晶分子根据不同数据电压信号旋转，以透光或遮光，将背光模组所提供的光线折射出来以形成对应数据信号的图像。底栅型的薄膜晶体管(TFT)的制作中，括栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏极层均包括一道光刻制程。目前提出的一种节省制程的方法是通过一道半色调光刻工艺形成源漏极和有源层，先采用湿蚀刻法以感光材料层为掩模对源漏极金属层进行湿蚀刻，然后以感光材料层为掩模对源漏极金属层下方的有源层进行干蚀刻，由于湿蚀刻具有各向同性的特点，所以对源漏极金属层的横向蚀刻长度接近于垂直蚀刻深度，造成源漏极金属层相对于感光材料层缩进一段距离，而干蚀刻后的有源层与感光材料层的长度基本一致，如此，造成有源层相对于源漏极金属层突出一段距离，称为有源层带尾(tail)。由于该带尾，使得有源层从背光方向上有一段距离无法被栅极遮挡，从正光方向上有一段距离无法被源漏极遮挡。来自背光源的光线和被液晶层一侧反射的光线照射到有源层上，产生光漏电流，进而造成像素电压的变化并使最佳伽马公共电压(BestVcom,Bestgammacommonvoltage)不稳定，导致画面发生闪烁现象和残影(ImageSticking)的发生，最终降低画面显示质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，旨在解决有源层带尾导致光漏电流的技术问题。本专利技术是这样实现的，一种阵列基板的制作方法，包括：提供衬底基层，在所述衬底基层上形成栅极，并在所述栅极和所述衬底基层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次形成半导体材料层和源漏极金属层，并在所述源漏极金属层上形成岛状光阻图案，所述岛状光阻图案包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述第二部分的高度大于所述第一部分的高度；以所述岛状光阻图案为掩模对所述源漏极金属层进行第一次湿蚀刻，得到源漏极金属段；对所述岛状光阻图案进行第一次灰化，使所述岛状光阻图案的边缘与所述源漏极金属段的边缘对齐；以经第一次灰化后的岛状光阻图案为掩模，对所述半导体材料层层进行第一次干蚀刻，得到有源段部分；对经第一次灰化后的岛状光阻图案进行第二次灰化，去除第一部分，得到间隔设置的第三部分，所述第三部分的高度小于第一部分的高度；以所述第三部分为掩模，对所述源漏极金属段进行第二次湿蚀刻，得到源极和漏极。所述半导体材料层包括非晶硅层以及形成于所述非晶硅层上的掺杂层；所述有源段部分包括非晶硅段以及设于非晶硅段上的掺杂段。在得到所述源极和漏极之后，还包括对所述掺杂段进行第二次干蚀刻，得到位于所述非晶硅段两侧上方的欧姆接触层。所述非晶硅层通过化学气相沉积法沉积于所述栅极绝缘层上，所述掺杂层通过化学气相沉积法形成于所述栅极绝缘层上。所述第一次干蚀刻还包括：增加纵向蚀刻与横向蚀刻的速率之比的方法。所述第一次灰化采用氧气和含氟气体的混合气体；所述含氟气体包括NF3、CF4、C2F6、C4F8、CHF3、SF6中的至少一种。所述第二次灰化采用氧气和含氟气体的混合气体；所述含氟气体包括NF3、CF4、C2F6、C4F8、CHF3、SF6中的至少一种。所述源漏极金属层为Mo/Al/Mo层、MoN/Al/Mo或Mo/Al/MoN层。本专利技术的另一目的在于提供一种阵列基板，根据上述所说的阵列基板的制作方法所制作得到，所述阵列基板包括非晶硅段，所述非晶硅段的非晶硅带尾的长度在1至1.6微米之间。本专利技术的另一目的在于提供一种显示装置，包括上述所说的阵列基板，所述阵列基板包括设于非晶硅段的两侧上方的源极和漏极，所述源极和漏极为Mo/Al/Mo层、MoN/Al/Mo层或Mo/Al/MoN层，上层Mo或MoN层的厚度为100-500埃，中间层Al层的厚度为2000-5500埃，下层Mo或MoN层的厚度为100-300埃。本专利技术的阵列基板的制作方法，通过在以半色调掩模对源漏极金属层的第一次湿蚀刻后，对具有不同高度部分的光阻图案增加第一次灰化工艺，使光阻图案的边缘与湿蚀刻后的源漏极金属层的边缘对齐，从而在对源漏极金属层下方的半导体材料层进行第一次干蚀刻时，能够使半导体材料层的边缘与源漏极金属层的边缘接近甚至对齐，降低了有源层的带尾长度，防止有源层的两侧被来自背光方向的光线或被液晶层一侧反射来的光线照射到而产生光漏电流，保证了像素电压的稳定以及画面显示的质量。附图说明图1是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；图2是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤a的示意图；图3和4是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤b的示意图；图5是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤c的示意图；图6是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤d的示意图；图7是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤e的示意图；图8和图9是本专利技术第一实施例提供的阵列基板的制作方法的步骤f的示意图；图10是本专利技术第二实施例提供的阵列基板的一种结构示意图；图11是是本专利技术第二实施例提供的阵列基板的另一种结构示意图；图12是本专利技术第三实施例提供的显示装置的结构示意图。图中标记的含义为：衬底基层1，栅极2，栅极绝缘层3，钝化层6，平坦层7，彩色色阻层8，红色色阻块81，绿色色阻块82，蓝色色阻块83，像素电极层9，子像素电极90；半色调光罩10，不透光区101，半透光区102，全透光区103，非晶硅层14，掺杂层15，半导体材料层16，源漏极金属层17，第二光阻层18，岛状光阻图案19，第一部分191，第二部分192，源漏极金属段171，有源段部分161，非晶硅段141，掺杂段151，第三部分193，源极172，漏极173，欧姆接触层152，有源层20，红色子像素11，绿色子像素12，蓝色子像素13；阵列基板100，对置基板200，背光模组400，液晶层300，显示装置500。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。术语“第一”、“第二”仅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基层，在所述衬底基层上形成栅极，并在所述栅极和所述衬底基层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次形成半导体材料层和源漏极金属层，并在所述源漏极金属层上形成岛状光阻图案，所述岛状光阻图案包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述第二部分的高度大于所述第一部分的高度；以所述岛状光阻图案为掩模对所述源漏极金属层进行第一次湿蚀刻，得到源漏极金属段；对所述岛状光阻图案进行第一次灰化，使所述岛状光阻图案的边缘与所述源漏极金属段的边缘对齐；以经第一次灰化后的岛状光阻图案为掩模，对所述半导体材料层层进行第一次干蚀刻，得到有源段部分；对经第一次灰化后的岛状光阻图案进行第二次灰化，去除第一部分，得到间隔设置的第三部分，所述第三部分的高度小于第一部分的高度；以所述第三部分为掩模，对所述源漏极金属段进行第二次湿蚀刻，得到源极和漏极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基层，在所述衬底基层上形成栅极，并在所述栅极和所述衬底基层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次形成半导体材料层和源漏极金属层，并在所述源漏极金属层上形成岛状光阻图案，所述岛状光阻图案包括第一部分和位于所述第一部分两侧的第二部分，所述第二部分的高度大于所述第一部分的高度；以所述岛状光阻图案为掩模对所述源漏极金属层进行第一次湿蚀刻，得到源漏极金属段；对所述岛状光阻图案进行第一次灰化，使所述岛状光阻图案的边缘与所述源漏极金属段的边缘对齐；以经第一次灰化后的岛状光阻图案为掩模，对所述半导体材料层层进行第一次干蚀刻，得到有源段部分；对经第一次灰化后的岛状光阻图案进行第二次灰化，去除第一部分，得到间隔设置的第三部分，所述第三部分的高度小于第一部分的高度；以所述第三部分为掩模，对所述源漏极金属段进行第二次湿蚀刻，得到源极和漏极。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半导体材料层包括非晶硅层以及形成于所述非晶硅层上的掺杂层；所述有源段部分包括非晶硅段以及设于非晶硅段上的掺杂段。3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在得到所述源极和漏极之后，还包括对所述掺杂段进行第二次干蚀刻，得到位于所述非晶硅段两侧上方的欧姆接触层。4.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述非晶硅层通过化学气相沉积法沉积于所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛邦同，付婷婷，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44