石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品技术

石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品。该石墨烯电路图案的制备方法包括：将金属电路图案浸泡在氧化石墨稀溶液中使所述金属电路图案与所述氧化石墨稀发生氧化还原反应，从而在所述金属电路图案所在部位形成石墨烯电路图案。利用该方法制备的石墨烯电路图案可直接形成在金属电路图案所在部位，并且生产过程简单，成本低廉，可大规模生产。

Graphene Circuit Patterns, Preparation Methods and Electronic Products

Graphene circuit pattern, preparation method and electronic products. The preparation method of the graphene circuit pattern includes: immersing the metal circuit pattern in the dilute solution of graphite oxide to cause the redox reaction between the metal circuit pattern and the dilute solution of graphite oxide, thereby forming the graphene circuit pattern at the position where the metal circuit pattern is located. The graphene circuit pattern prepared by this method can be directly formed at the place where the metal circuit pattern is located, and the production process is simple, the cost is low, and the graphene circuit pattern can be produced on a large scale.

【技术实现步骤摘要】
石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品
本公开的实施例涉及一种石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品。
技术介绍
目前电子产品的信号线一般都采用Cu或Al等金属电路图案，但是这些金属电路图案的电阻值较大并且其耐腐蚀性较差，因此都进一步限制了金属电路图案在高端产品上的开发与应用。石墨烯具有优良的导电性能和稳定性，其电阻率只有约10-8Ω·m，而纯铜的电阻率为0.017Ω·m，其电阻率是石墨烯的170,000倍。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种石墨烯电路图案的制备方法，包括：将金属电路图案浸泡在氧化石墨稀溶液中使所述金属电路图案与所述氧化石墨稀发生氧化还原反应，从而在所述金属电路图案所在部位形成石墨烯电路图案。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法中，所述金属电路图案为由含铜金属材料、含铝金属材料或含铁金属材料制备的电路图案。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法中，所述氧化石墨稀溶液为氧化石墨烯在水中的分散液。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法中，所述氧化石墨稀溶液的浓度为(0.1-1)g/L。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法中，所述金属电路图案的厚度为40nm-700nm。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法，还包括：将所述石墨烯电路图案进行干燥处理。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法中，所述干燥处理在温度为1℃-10℃的条件下进行。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法中，所述干燥处理在温度为4℃-7℃的条件下进行。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法，还包括：在基板上制备金属电路图案，然后将带有所述金属电路图案的所述基板浸泡在所述氧化石墨稀溶液中。例如，本公开至少一实施例提供的一种石墨烯电路图案的制备方法中，调节所述氧化石墨烯溶液的浓度和/或所述氧化还原反应的时间来控制所述石墨烯电路图案的厚度。本公开至少一实施例提供的一种由上述任一方法制备的石墨烯电路图案。本公开至少一实施例提供的一种电子产品，包括上述的石墨烯电路图案作为信号线。例如，本公开至少一实施例提供的一种电子产品中，所述电子产品为液晶显示面板、有机发光显示面板。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。图1为本公开一实施例提供的石墨烯电路图案的制备方法的流程图一；图2A-2C为本公开一实施例提供的石墨烯电路图案在制备过程中的示意图一；图3为本公开一实施例提供的石墨烯电路图案的制备方法的流程图二；图4为本公开一实施例提供的石墨烯电路图案的制备方法的流程图三；图5A-5C为本公开一实施例提供的石墨烯电路图案在制备过程中的示意图二；图6为本公开一实施例提供的石墨烯电路图案的制备方法的流程图四。附图标记：101-金属电路图案；102-石墨烯电路图案；200-基板；201-金属电路图案；202-石墨烯电路图案。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。石墨烯具有优良的导电性能和稳定性，其电阻率只有约10-8Ω·m，但是目前的生产中还没有一种能以较低成本、简单程序生产石墨烯电路图案(例如走线、电极等)的方法。本公开至少一实施例提供一种石墨烯电路图案的制备方法，包括：将金属电路图案浸泡在氧化石墨稀溶液中使金属电路图案与氧化石墨稀发生氧化还原反应，从而在金属电路图案所在部位形成石墨烯电路图案。本公开至少一实施例提供的一种由上述方法制备的石墨烯电路图案。本公开至少一实施例提供的一种电子产品，包括上述的石墨烯电路图案作为信号线。下面通过几个具体的实施例对本公开的石墨烯电路图案及其制备方法、电子产品进行说明。实施例一本实施例提供一种在基板上制备石墨烯电路图案的方法，从而使得该石墨烯电路图案可以用于形成电路，例如连接不同的器件，降低电路的阻抗，由此提高电路的性能。该石墨烯电路图案例如可以为导线、电极等多种形式，本公开的实施例对此不作限制。如图1所示，该实施例所提供的制备石墨烯电路图案的方法包括步骤S101-步骤S102。步骤S101：将金属电路图案浸泡在氧化石墨稀溶液中。本实施例中，如图2A所示，金属电路图案101例如可以是由含铜金属材料、含铝金属材料或含铁金属材料制备的电路图案等能与氧化石墨烯发生氧化还原反应的金属电路图案，该氧化石墨烯例如可以是市售的也可以是自制的。该金属电路图案101例如通过印刷等方法形成在衬底基板上，该衬底基板可以为塑料、玻璃、陶瓷等材料的。本实施例中，氧化石墨稀溶液例如可以为氧化石墨烯在水中的分散液，即利用简单的氧化石墨烯的水分散液即可与金属电路图案101自发发生氧化还原反应从而得到石墨烯电路图案。该氧化石墨稀溶液的浓度例如可以为约(0.1-1)g/L，例如将氧化石墨烯以约(0.5)g/L的浓度分散在去离子水或水溶液中，从而形成氧化石墨烯的分散液。当然，该水溶液例如也可以为酸性或碱性。步骤S102：形成石墨烯电路图案。本实施例中，如图2B所示，将金属电路图案101浸泡在氧化石墨稀分散液中后，金属电路图案101即与氧化石墨稀发生氧化还原反应，从而在金属电路图案101所在部位形成石墨烯电路图案102，而金属电路图案101被氧化成相应的金属离子或金属氧化物并进入到氧化石墨稀溶液中。本实施例中，在反应物足量的情况下，例如可以通过调节氧化石墨烯溶液的浓度和/或氧化还原反应的时间来控制石墨烯电路图案102的尺寸，例如石墨烯电路图案102的厚度。例如，氧化石墨烯溶液的浓度越高，金属电路图案101与氧化石墨稀发生氧化还原反应的速率越快，因此相同时间内形成的石墨烯电路图案102的厚度越大；例如，在氧化石墨烯溶液的浓度一定的情况下，氧化还原反应持续的时间越长，所生成的石墨烯电路图案102的厚度越大。本实施例中，金属电路图案101的厚度可根据需求进行选择，例如可以选择为40nm-700nm或其他合适尺寸，因此当金属电路图案101与氧化石墨烯完全反应时，金属电路图案101被完全消耗，而在金属电路图案101所在部位形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨烯电路图案的制备方法，包括：将金属电路图案浸泡在氧化石墨稀溶液中使所述金属电路图案与所述氧化石墨稀发生氧化还原反应，从而在所述金属电路图案所在部位形成石墨烯电路图案。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯电路图案的制备方法，包括：将金属电路图案浸泡在氧化石墨稀溶液中使所述金属电路图案与所述氧化石墨稀发生氧化还原反应，从而在所述金属电路图案所在部位形成石墨烯电路图案。2.根据权利要求1所述的石墨烯电路图案的制备方法，其中，所述金属电路图案为由含铜金属材料、含铝金属材料或含铁金属材料制备的电路图案。3.根据权利要求1所述的石墨烯电路图案的制备方法，其中，所述氧化石墨稀溶液为氧化石墨烯在水中的分散液。4.根据权利要求3所述的石墨烯电路图案的制备方法，其中，所述氧化石墨稀溶液的浓度为(0.1-1)g/L。5.根据权利要求1所述的石墨烯电路图案的制备方法，其中，所述金属电路图案的厚度为40nm-700nm。6.根据权利要求1所述的石墨烯电路图案的制备方法，还包括：将所述石墨烯电路图案进行干燥处理。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：胡波，王文超，王宝强，朴相镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11