The invention discloses a copper-based frame material capable of adsorbing volatile gases and a preparation method thereof. The chemical formula of copper-based frame materials is {[Cu(H_2)] DMF} n, the molecular formula is C9H_11CuO_6NS, and the molecular weight is 325.12. Mixing the aqueous solution of 2,5_thiophene dicarboxylic acid with the DMF solution of CuCl2.2H_2O, stirring, and keeping the oven at 85 C for five days, the {[Cu(H_2O)(C6H_4S)] DMF} N was obtained. After desolvation, the pore size of the copper-based frame material is as follows
【技术实现步骤摘要】
一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料及制备方法
本专利技术属于配位聚合物材料制备
，特别涉及一种吸附易挥发性气体的基于噻吩环配体铜框架材料{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n(C6H4O4S＝2,5-噻吩二甲酸；DMF＝N,N-二甲基甲酰胺)及制备方法。
技术介绍
挥发性有机物(VOCs)已对生态环境和人体健康产生了严重的危害，对挥发性有机物的处理是当前环境保护的研究热点问题之一。在对处理VOCs的诸多方法中，吸附技术是较成熟有效的方法之一。金属有机框架(MOFs)材料因其独特的结构特征在气体吸附方面特别是对VOCs的吸附方面日益受到研究者们的广泛关注。此项技术在室温常压下相对于传统的沸石分子筛等吸附材料对VOCs的吸附速率快，吸附容量大，在气体相对压力较低时吸附能力仍然较好。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种可吸附易挥发性气体的噻吩环配体铜基框架材料及制备方法。本专利技术的思路：利用CuCl2·2H2O和2,5-噻吩二羧酸通过水热法获得噻吩环配体铜基框架材料。本专利技术涉及的可吸附易挥发性气体的噻吩环配体铜基框架材料化学式为{[Cu(H2...
【技术保护点】
1.一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料，其特征在于可吸附易挥发性气体的铜基框架材料化学式为{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n，其中：C6H4O4S＝2,5‑噻吩二甲酸；DMF＝N,N‑二甲基甲酰胺；分子式为：C9H11CuO6NS，分子量为：325.12；晶体结构数据见表一，部分键长键角见表二；该化合物属于单斜晶系，P21/n空间群，中心金属离子为Cu
【技术特征摘要】
1.一种可吸附易挥发性气体的铜基框架材料，其特征在于可吸附易挥发性气体的铜基框架材料化学式为{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n，其中：C6H4O4S＝2,5-噻吩二甲酸；DMF＝N,N-二甲基甲酰胺；分子式为：C9H11CuO6NS，分子量为：325.12；晶体结构数据见表一，部分键长键角见表二；该化合物属于单斜晶系，P21/n空间群，中心金属离子为Cu2+；化合物在温度为483.15K下进行去溶剂化后，孔径尺寸为16.97×移除孔道内游离的DMF分子及Cu2+上的配位水分子之后，可暴露出金属活性位点及未配位的羧酸基团，提高了对气体的吸附性能；表一：{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n的晶体参数aR1＝Σ||Fo|–|Fc||/Σ|Fo|.bwR2＝[Σw(|Fo2|–|Fc2|)2/Σw(|Fo2|)2]1/2表二：{[Cu(H2O)(C6H4O4S)]·DMF}n的键长和键角(°)Cu1—O11.979(2)Cu2—O5ii1.936(2)Cu1—O1i1.979(2)Cu2—O51.936(2)Cu1—O3i1.948(2)Cu2—O4ii1.934(2)Cu1—O31.948(2)Cu2—O41.934(2)O1—Cu1—O1i180.0O5ii—Cu2—O5180.0O3—Cu1—O191.35(9)O4ii—Cu2—O5ii91.33(9)O3i—Cu1—O188.65(9...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐群，韦文厂，杨琰莉，程泽，胡嘉议，邹志明，张淑芬，梁福沛，
申请(专利权)人：桂林理工大学，
类型：发明
国别省市：广西,45
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