一种高纯正硅酸乙酯的生产方法及生产系统技术方案

本发明专利技术提供了一种高纯正硅酸乙酯的生产方法，包括：将正硅酸乙酯粗品进行第一次精馏，得到第一中间产物；将所述第一中间产物进行第二次精馏，得到第二中间产物；将所述第二中间产物经吸附处理后，得到第三中间产物；将所述第三中间产物进行第三次精馏，得到第四中间产物；S5)将所述第四中间产物进行第四次精馏，得到高纯正硅酸乙酯。与现有技术相比，本发明专利技术采用差压热耦合精馏结合吸附处理技术，先通过两次精馏进行初步的金属离子脱除，然后经吸附处理进一步脱除金属离子，最后通过再通过两次精馏深度脱除残留的痕量金属离子，自动化程度高，可进行连续生产，工作效率高且得到的产品质量也较高，同时采用差压热耦合也降低了能耗，节能降本。

A Production Method and System of High Purity Ethyl Orthosilicate

The invention provides a production method of high purity ethyl orthosilicate, which includes: first rectification of crude ethyl orthosilicate to obtain the first intermediate product; second rectification of the first intermediate product to obtain the second intermediate product; adsorption treatment of the second intermediate product to obtain the third intermediate product; and third rectification of the third intermediate product. The fourth intermediate product is obtained; S5) The fourth intermediate product is rectified for the fourth time to obtain high purity ethyl orthosilicate. Compared with the existing technology, the present invention adopts differential pressure thermal coupling distillation combined with adsorption treatment technology, first carries out primary metal ion removal through two distillations, then further removes metal ions through adsorption treatment, and finally removes residual trace metal ions through two distillation depths, with high automation, continuous production, high work efficiency and obtained products. At the same time, the use of differential pressure thermal coupling also reduces energy consumption, energy saving and cost reduction.

【技术实现步骤摘要】
一种高纯正硅酸乙酯的生产方法及生产系统
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种高纯正硅酸乙酯的生产方法及生产系统。
技术介绍
半导体工艺形成氧化层的方法主要有热氧化(针对能形成自身稳定氧化层的半导体材料)、低压化学气相淀积(LPCVD)、等离子增强化学气相淀积(PECVD)和常压化学气相淀积(APCVD)等，其中由于APCVD要求的气流量大，且工艺产生颗粒相对较多，目前大多数半导体工艺已很少使用。正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD时，TEOS从液态蒸发成气态，在700～750℃、300mTOR压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉积的速率可以达到50à/min，薄膜的厚度均匀性小于3％，这些优良的工艺特性和其在使用安全性方面的显著特点已逐步成为沉积二氧化硅薄膜的主流工艺。应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积，可在一定程度上弥补SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOSLPCVD技术与高温氧化技术的合理运用，既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力，又提高了器件的电性能和成品率，同时避免了为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯正硅酸乙酯的生产方法，其特征在于，包括：S1)将正硅酸乙酯粗品进行第一次精馏，得到第一中间产物；S2)将所述第一中间产物进行第二次精馏，得到第二中间产物；所述第二次精馏的压力大于第一次精馏的压力；所述第二次精馏的温度大于第一次精馏的温度；S3)将所述第二中间产物经吸附处理后，得到第三中间产物；S4)将所述第三中间产物进行第三次精馏，得到第四中间产物；S5)将所述第四中间产物进行第四次精馏，得到高纯正硅酸乙酯；所述第四次精馏的压力大于第三次精馏的压力；所述第四次精馏的温度大于第三次精馏的温度。

【技术特征摘要】
1.一种高纯正硅酸乙酯的生产方法，其特征在于，包括：S1)将正硅酸乙酯粗品进行第一次精馏，得到第一中间产物；S2)将所述第一中间产物进行第二次精馏，得到第二中间产物；所述第二次精馏的压力大于第一次精馏的压力；所述第二次精馏的温度大于第一次精馏的温度；S3)将所述第二中间产物经吸附处理后，得到第三中间产物；S4)将所述第三中间产物进行第三次精馏，得到第四中间产物；S5)将所述第四中间产物进行第四次精馏，得到高纯正硅酸乙酯；所述第四次精馏的压力大于第三次精馏的压力；所述第四次精馏的温度大于第三次精馏的温度。2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述第一次精馏与第二次精馏的压力差为0.2～0.5bar；所述第三次精馏与第四次精馏的压力差为0.2～0.5bar。3.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述第一次精馏的压力为-0.6～-1.0bar；所述第二次精馏的压力为-0.4～-0.6bar；所述第三次精馏的压力为-0.6～-1.0bar；所述第四次精馏的压力为-0.4～-0.6bar。4.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述第一次精馏与第三次精馏的回流比各自独立地为5～15。5.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述第一次精馏的回流温度小于等于95℃；所述第二次精馏的回流温度小于等于145℃；所述第三次精馏的回流温度小于等于116℃；所述第四次精馏的回流温度小于等于143℃。6.根据权利要求1所述的生产方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：金向华，孙猛，夏致远，刘晶，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32