The invention relates to the field of optical fiber manufacturing technology, in particular to a PCVD process for fabricating low hydroxyl optical fiber prefabricated rod mandrels. The method is characterized in that a layer of SiO2 glass barrier layer is deposited outside the optical core layer, and a F-containing glass barrier layer is formed by introducing F-containing gas into the shrinking rod process and reacting with the SiO2 glass barrier layer; compared with the existing technology, the invention avoids hollow prefabricated rods. In the process of moving to the melting lathe, the pollution of environmental water vapor on the core layer of the optical fiber can be effectively eliminated by removing the OH pollution introduced by the moving rod in the process of PCVD preform manufacturing, thereby reducing the OH absorption loss in the optical fiber preform, greatly reducing the dependence of the PCVD process workshop on environmental humidity, and providing a new way for manufacturing low water peak or even anhydrous peak optical fibers. Meanwhile, the excessive evaporation of Ge in the center of the optical fiber during the melting process can be prevented, and the mode bandwidth characteristics of the optical fiber can be improved to some extent.
【技术实现步骤摘要】
一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法
本专利技术涉及光纤制造
,具体地说是一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法。
技术介绍
参见图2,在光纤预制棒芯棒制造工艺中,PCVD工艺是众所周知的一种预制棒芯棒制造工艺,包括沉积工艺过程和熔缩工艺过程两个工序。在SiO2-GeO2-F光纤预制棒的沉积工序中,SiCl4,GeCl4,O2及其它如含F掺杂剂气体通入位于温度约1000℃以上预热炉中的衬底管内,在高能微波等离子体的作用下在衬底管内壁进行微波等离子体化学气相沉积反应,形成具有预设波导结构的透明石英玻璃沉积层,最终形成空心预制棒。沉积工序完成后,需要将空心预制棒在维持高温的情况下,将空心预制棒从沉积机床中移出并固定在熔缩机床的卡盘上进行熔缩工序。熔缩工序主要利用往返移动的外部加热热源将空心预制棒玻璃体进行加热至2000~2300℃,在熔融玻璃态的表面张力作用下,将空心预制棒逐步塌缩,并最终烧实成实心的预制棒芯棒。在熔缩工艺进程中,空心预制棒内部还需要通入高纯的氧气保持空心预制棒内部的洁净度并提供一个富氧环境,同时,由于熔缩过程中预制棒芯层中的G ...
【技术保护点】
1.一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法,其特征在于,按照如下步骤进行:1)沉积工序准备;2)使用含F气体对石英衬底管进行刻蚀清洁;3)在石英衬底管内壁沉积出若干层过渡包层玻璃;4)在过渡包层玻璃外再沉积出若干层光学芯层玻璃;5)在光学芯层玻璃外沉积出SiO2玻璃阻挡层,制成空心预制棒;6)将空心预制棒转移至已完成熔缩预备条件的熔缩机床上,并对空心预制棒中心进行升温、大流量高纯O2吹扫净化;7)对空心预制棒进行缩棒工艺,并在工艺进行时通入含F气体;8)在高温状态下通入含F气体,对空心预制棒进行1~2趟刻蚀掉玻璃阻挡层;9)在高温状态下对空心预制棒中心部位通入高纯O ...
【技术特征摘要】
1.一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法,其特征在于,按照如下步骤进行:1)沉积工序准备;2)使用含F气体对石英衬底管进行刻蚀清洁;3)在石英衬底管内壁沉积出若干层过渡包层玻璃;4)在过渡包层玻璃外再沉积出若干层光学芯层玻璃;5)在光学芯层玻璃外沉积出SiO2玻璃阻挡层,制成空心预制棒;6)将空心预制棒转移至已完成熔缩预备条件的熔缩机床上,并对空心预制棒中心进行升温、大流量高纯O2吹扫净化;7)对空心预制棒进行缩棒工艺,并在工艺进行时通入含F气体;8)在高温状态下通入含F气体,对空心预制棒进行1~2趟刻蚀掉玻璃阻挡层;9)在高温状态下对空心预制棒中心部位通入高纯O2进行吹扫;10)将空心预制棒烧实成实心预制棒;11)对实心预制棒进行退火、拉棒操作。2.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法,其特征在于,所述步骤3)中通过通入SiCl4、O2及含F气体沉积出过渡包层玻璃。3.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法,其特征在于,所述步骤4)中通过通入SiCl4、GeCl4、O2及含F气体沉积出光学芯层玻璃。4.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法,其特征在于,所述步骤5)中的SiO2玻璃阻挡层的厚度为0.008mm~0.03mm。5.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法,其特征在于,所述步骤5)中通过通入SiCl4、O2、沉积出SiO2玻璃阻挡层,通入物中SiCl4的摩尔流量为400~1000sccm,O2的摩尔流量为SiCl4摩尔流量的3~5倍...
【专利技术属性】
技术研发人员:连海洲,沈一林,孙效义,薛元,
申请(专利权)人:上海至纯洁净系统科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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