The invention relates to the field of graphene preparation, in particular to a preparation method of graphene, which includes the following steps: S1, dehumidification and drying of graphite powder in vacuum environment; S2, loading the dried graphite powder into closed special tooling, forming the powder by isostatic pressing; S3, processing the isostatic pressing graphite into block graphite target material, after dehumidification and drying, passing through magnetic field. Graphene film was deposited on the surface of the substrate by controlled sputtering, that is to say, the graphene needed was obtained. The invention can effectively increase the yield of graphene and accurately control the deposition thickness of graphene. The method is simple, reliable and practical.
【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯的制备方法
本专利技术涉及石墨烯制备领域，具体涉及一种石墨烯的制备方法，为石墨烯的制备提供新的路径。
技术介绍
常规的石墨烯的制备方法主要是氧化还原法和化学气相沉积法，这两种制备方法成品率都不高，氧化还原法制备的石墨烯中有许多的石墨掺入，纯度不高。化学气相沉积法对石墨烯层数的控制不够精确，往往制备的石墨烯一般至少有十层，层数无法得到控制。因此，本专利技术要解决石墨烯制备的成品率和厚度精确控制的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种石墨烯的制备方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：S1、将石墨粉体在真空环境下充分除湿干燥；S2、将干燥后石墨粉体装入可封闭的专用工装内，利用等静压法将粉体成型；S3、将等静压成块状的石墨加工成石墨靶材，除湿干燥后通过磁控溅射的方法在基体表面沉积石墨烯膜层，即得到所需石墨烯。优选地，步骤S1所述石墨粉体为纳米级石墨粉体。优选地，步骤S1所述除湿干燥的条件为70~90℃干燥4~8小时。优选地，步骤S2所述等静压法中的压力控制在40000~60000PSI。优选地，步骤S3所述除湿干燥的条件为70~90℃干燥4~8小时。优选地，步骤S3所述磁控溅射的真空度为10-5mbar数量级，射频功率为100~120W，沉积速率为0.12~0.16nm/s，沉积时间为3~8s。本专利技术的有益效果在于：本专利技术可以有效地增加石墨烯的成品率和精确控制石墨烯的沉积厚度，该方法简单、可靠和实用。附图说明图1为本专利技术石墨烯的制备工艺流程图。具体实施方式为更好理解本专利技...
【技术保护点】
1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将石墨粉体在真空环境下充分除湿干燥；S2、将干燥后石墨粉体装入可封闭的专用工装内，利用等静压法将粉体成型；S3、将等静压成块状的石墨加工成石墨靶材，除湿干燥后通过磁控溅射的方法在基体表面沉积石墨烯膜层，即得到所需石墨烯。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将石墨粉体在真空环境下充分除湿干燥；S2、将干燥后石墨粉体装入可封闭的专用工装内，利用等静压法将粉体成型；S3、将等静压成块状的石墨加工成石墨靶材，除湿干燥后通过磁控溅射的方法在基体表面沉积石墨烯膜层，即得到所需石墨烯。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤S1所述石墨粉体为纳米级石墨粉体。3.根据权利要求1所述的一种石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤S1所述除湿干燥的条件为7...
【专利技术属性】
技术研发人员：辛存良，陈剑，王丽，傅斌，范仙红，占化斌，张亚辉，何世安，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十六研究所，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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