质谱仪制造技术

本发明专利技术公开了一种质谱仪，包括MCU、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，相互间电连。本发明专利技术质谱仪为数字离子阱，运行可靠，使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】
质谱仪
本专利技术涉及一种质谱仪。
技术介绍
离子阱质谱仪最初是模拟电子技术方式的，例如四极杆离子阱质谱仪。驱动离子阱的电压信号是模拟信号方式的，是交流变化的电压信号。这种质谱仪的测量范围和测量精度也是很高的。上个世纪七十年代，随着数字电子技术的逐渐兴起，数字离子阱质谱仪逐渐兴起。由于半导体技术的制约，数字离子阱质谱仪一直处在实验研究的阶段，并没有形成一个稳定的市场。目前数字离子阱普遍采用的是2000V的高电压开关驱动方式，这种方法的EMC和EMI干扰很强，经常引起自身电子电路和周围其它电子仪器的故障，而且这种高压电子开关经常损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于：为解决以上问题提供一种运行可靠的、使用寿命长的、功能更强大的质谱仪。本专利技术采用的技术方案是这样的：一种质谱仪，包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，所述控制器与D/A变换器相连接，D/A变换器和功率放大器相连接，功率放大器连接在由功率MOSFET组成的桥式电路的(1)引脚，功率MOSFET桥式电路输出端连接在变压器的A引脚和B引脚，功率MOSFET桥式电路控制端与MOSFET驱动电路相连接，MOSFET驱动电路与控制器相连接，功率MOSFET桥式电路的(2)端连接直流电源地，离子状态控制装置与控制器相连接，离子选择装置与离子阱在机械结构上相连接，离子选择装置与控制器相连接，离子状态控制装置与离子阱相连接。进一步地，所述控制器为DSP或MCU或FPGA。进一步地，所述变压器可由互感线圈替换。综上所述，由于采用上述技术方案，本专利技术的有益效果是：本专利技术采用脉冲方波数字方式的离子阱驱动电压，由于脉冲方波的占空比是可以调整的，所以这种质谱仪有其它类型质谱仪所不能实现的功能，也是其他质谱仪所不能替代的，运行稳定可靠，使用寿命长。附图说明图1为本专利技术的结构连接图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。如图1所示，控制器与D/A变换器相连接，数字信号从控制器输出到D/A变换器，变成模拟信号，这个模拟信号通过功率放大器变成变压器或者互感线圈初级的驱动信号，连接在由功率MOSFET组成的桥式电路的(1)引脚，功率MOSFET桥式电路输出端连接在变压器或者互感线圈初级的A引脚和B引脚，功率MOSFET桥式电路控制端与MOSFET驱动电路相连接，MOSFET驱动电路与控制器相连接，此功率MOSFET桥式电路的导通与闭合由控制器输出的周期频率信号控制，功率MOSFET桥式电路的(2)端连接直流电源地，离子状态控制装置与控制器相连接，实现离子的引入和离子的出射及离子的选择，离子选择装置与离子阱在机械结构上相连接，离子选择装置与控制器相连接，离子状态控制装置与离子阱相连接。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种质谱仪，包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，其特征在于：所述控制器与D/A变换器相连接，D/A变换器和功率放大器相连接，功率放大器连接在由功率MOSFET组成的桥式电路的(1)引脚，功率MOSFET桥式电路输出端连接在变压器的A引脚和B引脚，功率MOSFET桥式电路控制端与MOSFET驱动电路相连接，MOSFET驱动电路与控制器相连接，功率MOSFET桥式电路的(2)端连接直流电源地，离子状态控制装置与控制器相连接，离子选择装置与离子阱在机械结构上相连接，离子选择装置与控制器相连接，离子状态控制装置与离子阱相连接。

【技术特征摘要】
1.一种质谱仪，包括控制器、D/A变换器、功率放大器、功率MOSFET、功率MOSFET驱动器、变压器、离子状态控制装置、离子选择装置、离子阱，其特征在于：所述控制器与D/A变换器相连接，D/A变换器和功率放大器相连接，功率放大器连接在由功率MOSFET组成的桥式电路的(1)引脚，功率MOSFET桥式电路输出端连接在变压器的A引脚和B引脚，功率MOSFET桥式电路控制端与MOSFET驱动...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙延锋，姜杰，顾大伟，
申请(专利权)人：天源华威集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32