一种检测晶硅电池光致衰减的设备和方法技术

本发明专利技术提供了一种检测晶硅电池光致衰减的设备和方法，涉及晶硅太阳电池制技术领域。一种检测晶硅电池光致衰减的设备，包括放置平台、光照模拟器、加热装置、电源以及电压表。该设备结构简单，可快速检测晶硅电池LID(光致衰减)是否合格。一种检测晶硅电池光致衰减的方法，采用上述检测晶硅电池光致衰减的设备对晶硅电池进行检测。该方法可以实现通过一台设备即可快速检测到晶硅电池LID是否合格，不需要使用电池片效率测试仪，不影响产线生产，步骤简单，操作方便；从而实现实时监控电池片LID的目的，降低批量产生电池片LID不合格的风险。

A Device and Method for Detecting Photoinduced Attenuation of Crystalline Silicon Batteries

The invention provides a device and a method for detecting the photoinduced attenuation of crystalline silicon solar cells, which relates to the technical field of crystalline silicon solar cells. A device for detecting photoinduced attenuation of crystalline silicon batteries includes a placement platform, a light simulator, a heating device, a power supply and a voltmeter. The device has simple structure and can quickly detect whether the LID (photoinduced attenuation) of crystalline silicon batteries is qualified. A method for detecting the photoinduced attenuation of crystalline silicon batteries is described. The device for detecting the photoinduced attenuation of crystalline silicon batteries is used to detect the crystalline silicon batteries. This method can quickly detect whether the lithium ion battery LID is qualified or not through a single device, without using the efficiency tester of the batteries, and does not affect the production line. The steps are simple and the operation is convenient. Thus the purpose of real-time monitoring of the lithium ion battery LID is realized, and the risk of batch production of the lithium ion battery LID is reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种检测晶硅电池光致衰减的设备和方法
本专利技术涉及晶硅太阳电池制
，具体而言，涉及一种检测晶硅电池光致衰减的设备和方法。
技术介绍
P型晶硅电池在经过光照后会出现效率下降的现象，这种现象被称为光致衰减，额外增加了太阳电池及组件的功率损失。随着高效技术的发展，晶硅太阳电池效率越来越高，光衰对太阳电池的影响也越来越大。为了避免光衰不合格的电池片流入市场，在电池片生产过程中需要对光衰进行测试。目前常规的光衰检测方法是把电池片放置在模拟光照下几个小时甚至几十个小时，且光照前后需分别使用电性能测试仪进行效率测试，影响产线生产，且不能实现对生产过程进行实时监控，光衰不合格的电池片流入市场的风险很高。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种检测晶硅电池光致衰减的设备，该设备结构简单，可快速检测晶硅电池LID(光致衰减)是否合格。本专利技术的另一目的在于提供一种检测晶硅电池光致衰减的方法，该方法步骤简单，操作方便，实现实时监控电池片LID的目的，降低批量产生电池片LID不合格的风险。本专利技术的实施例是这样实现的：一种检测晶硅电池光致衰减的设备，包括放置平台，用于放置电池片。光照模拟器，光照模拟器位于放置平台的上方。加热装置，加热装置位于放置平台的下方，用于对放置平台上的电池片进行加热。电源，用于向电池片输入电流。电压表，用于检测电池片的电压。一种检测晶硅电池光致衰减的方法，采用上述检测晶硅电池光致衰减的设备对晶硅电池进行检测。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，采用电压表检测进行闪光测试的电池片的电压并记录电压表的数值V1。停止闪光测试，采用电源向经过加热保温的电池片通入电流。停止加热并停止通入电流，采用电压表检测进行闪光测试的电池片的电压并记录电压表的数值V2。将通入电流前后的电压比值V2/V1与预设比值进行比较，判断光衰是否合格；大于或等于预设比值判定合格，小于预设比值判定不合格。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，将电池片放置于放置平台上，将电池片与电压表连接，采用光照模拟器对电池片进行闪光测试，记录电压表的数值V1；停止闪光测试，采用加热装置加热电池片至预设温度，保持恒温，将电池与电池片连接，向电池片通入电流；停止加热并停止通入电流，将电池片冷却到室温，将电池片与电压表连接，采用光照模拟器对电池片进行闪光测试，记录电压表的数值V2；将通入电流前后的电压比值V2/V1与预设比值进行比较，判断光衰是否合格；大于或等于预设比值判定合格，小于预设比值判定不合格。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，电池片加热保温的温度为250～600℃。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，电池片加热保温的温度为300～400℃。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，电池片中通入的电流大小为2～10A。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，电池片中通入的电流大小为3～7A。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，电流通入的时间为1～10min。进一步地，在本专利技术较佳的实施例中，预设比值为90～98％。本专利技术实施例的有益效果包括：通过本专利技术的设备及方法可以实现通过一台设备即可快速检测到晶硅电池LID是否合格，不需要使用电池片效率测试仪，不影响产线生产，步骤简单，操作方便；从而实现实时监控电池片LID的目的，降低批量产生电池片LID不合格的风险。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例提供的检测晶硅电池光致衰减的设备的结构示意图。图标：1-电压表；2-电源；3-光照模拟器；4-放置平台；5-加热装置；6-电池片。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图，对本专利技术的一些实施方式作详细说明。在本专利技术中，在不矛盾或冲突的情况下，本专利技术的所有实施例、实施方式以及特征可以相互组合。在本专利技术中，常规的设备、装置、部件等，既可以商购，也可以根据本专利技术公开的内容自制。在本专利技术中，为了突出本专利技术的重点，对一些常规的操作和设备、装置、部件进行的省略，或仅作简单描述。实施例1请参照图1，本实施例提供了一种检测晶硅电池光致衰减的设备，包括放置平台4、光照模拟器3、加热装置5、电源2以及电压表1。放置平台4用于放置电池片6。光照模拟器3位于放置平台4的上方，用于对电池片6进行闪光测试。加热装置5位于放置平台4的下方，用于对放置平台4上的电池片6进行加热。电源2通过导线与电池片6电连接，用于向电池片6输入电流。电压表1通过导线与电池片6电连接，用于检测电池片6的电压。该检测晶硅电池光致衰减的设备的结构简单可快速检测晶硅电池LID是否合格。本专利技术提供了一种检测晶硅电池光致衰减的方法，采用上述检测晶硅电池光致衰减的设备对晶硅电池进行检测。包括：将电池片放置于放置平台上，将电池片表面电极用导线与电压表连接。打开光照模拟器对电池片进行闪光测试，记录电压表的数值V1。关闭光照模拟器，停止闪光测试，采用加热装置加热电池片至预设温度250～600℃，保持恒温。将电池片表面电极用导线与电池连接，向电池片通入电流2～10A，持续时间为1～10min。在本专利技术的实施例中，预设温度可以为300～400℃，通入的电流可以为3～7A。停止加热并停止通入电流，将电池片冷却到室温，用导线将电池片表面电极与电压表连接，采用光照模拟器对电池片进行闪光测试，记录电压表的数值V2。将通入电流前后的电压比值V2/V1与预设比值进行比较，判断光衰是否合格；大于或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测晶硅电池光致衰减的设备，其特征在于，包括放置平台，用于放置电池片；光照模拟器，所述光照模拟器位于所述放置平台的上方；加热装置，所述加热装置位于所述放置平台的下方，用于对所述放置平台上的所述电池片进行加热；电源，用于向所述电池片输入电流；电压表，用于检测所述电池片的电压。

【技术特征摘要】
1.一种检测晶硅电池光致衰减的设备，其特征在于，包括放置平台，用于放置电池片；光照模拟器，所述光照模拟器位于所述放置平台的上方；加热装置，所述加热装置位于所述放置平台的下方，用于对所述放置平台上的所述电池片进行加热；电源，用于向所述电池片输入电流；电压表，用于检测所述电池片的电压。2.一种检测晶硅电池光致衰减的方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的检测晶硅电池光致衰减的设备对晶硅电池进行检测。3.根据权利要求2所述的检测晶硅电池光致衰减的方法，包括：采用所述电压表检测进行闪光测试的所述电池片的电压并记录所述电压表的数值V1；停止所述闪光测试，采用电源向经过加热保温的所述电池片通入电流；停止加热并停止通入电流，采用所述电压表检测进行闪光测试的所述电池片的电压并记录所述电压表的数值V2；将通入电流前后的电压比值V2/V1与预设比值进行比较，判断光衰是否合格；大于或等于所述预设比值判定合格，小于所述预设比值判定不合格。4.根据权利要求3所述的检测晶硅电池光致衰减的方法，其特征在于，包括：将所述电池片放置于所述放置平台上，将所述电池片与所述电压表连接，采用所述光照模拟器对所述电池片进行闪光测试，记录所述电压表的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄惜惜，周肃，黄青松，贾佳，邱家梁，张鑫义，勾宪芳，黄国平，张会学，明杰，陈中一，
申请(专利权)人：中节能太阳能科技镇江有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32