一种电致发光器件的膜层分析方法技术

本发明专利技术公开了一种电致发光器件的膜层分析方法，其中，电致发光器件包括：依次层叠的阳极层、电致发光材料层、以及含银阴极层。该膜层分析方法包括：提供具有离子溅射源和气体团簇离子源的质谱仪；利用离子溅射源从电致发光器件上剥离含银阴极层，得到暴露有电致发光材料层的分析样品；利用气体团簇离子源对暴露的电致发光材料层进行分析。通过离子溅射源对含银阴极层进行溅射剥离，其剥离过程稳定可控，能够有效且彻底地去除含银阴极层，避免了对电致发光材料层进行剥离。采用气体团簇离子源对暴露的电致发光材料层进行分析，不仅能够获得电致发光材料层的各膜层成分及位置，且不会对电致发光材料层造成损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种电致发光器件的膜层分析方法
本专利技术涉及有机分析领域，特别涉及一种电致发光器件的膜层分析方法。
技术介绍
电致发光器件，因其主动发光、可视范围广、响应快等优点，被广泛应用。电致发光器件包括：依次层叠的阳极层、电致发光材料层、阴极层。其中，电致发光材料层可以为多种类型，例如可以包括：沿阳极层至阴极层方向，依次层叠的空穴传输层、有机发光层、电子传输层等。电致发光材料层对电致发光器件的发光性能有直接影响，所以，目前多采用质谱仪对电致发光器件中电致发光材料层的各膜层进行成分分析。由于阴极层多含银元素，银的特征离子峰会对电致发光材料层中各成分的特征离子峰造成干扰，所以在分析之前需要用刀片或胶粘带剥离阴极层。通过刀片或胶粘带剥离阴极层时，易发生阴极层剥离不彻底或者部分剥离电致发光材料层。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术提供一种电致发光器件的膜层分析方法，可解决上述技术问题。具体而言，包括以下的技术方案：一种电致发光器件的膜层分析方法，所述电致发光器件包括：依次层叠的阳极层、电致发光材料层、以及含银阴极层，所述膜层分析方法包括：提供具有离子溅射源和气体团簇离子源的质谱仪；利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层，得到暴露有电致发光材料层的分析样品；利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析。在一种可能的实现方式中，所述离子溅射源为氧气源。在一种可能的实现方式中，所述气体团簇离子源为氩离子团簇源。在一种可能的实现方式中，所述质谱仪为飞行时间二次离子质谱仪。在一种可能的实现方式中，在利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层的同时，通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供信号强度-剥离时间曲线图；通过所述信号强度-剥离时间曲线图，确定所述含银阴极层的剥离时间。在一种可能的实现方式中，所述含银阴极层的成分为Mg-Ag-Yb；所述通过所述信号强度-剥离时间曲线图，确定所述含银阴极层的剥离时间，包括：根据所述信号强度-剥离时间曲线图，确定Ag元素的离子峰；根据所述Ag元素的离子峰，确定所述含银阴极层的剥离时间。在一种可能的实现方式中，所述分析方法还包括：根据所述信号强度-剥离时间曲线图，确定Yb元素的离子峰；根据所述Yb元素的离子峰，确定所述含银阴极层已完成剥离。在一种可能的实现方式中，在利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层的同时，通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供用于表征剥离过程的3D渲染图，通过所述3D渲染图确定所述含银阴极层的剥离时间。在一种可能的实现方式中，在利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析时，通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供信号强度-分析时间曲线图；通过所述信号强度-分析时间曲线图，确定所述电致发光材料层的各膜层成分及位置。在一种可能的实现方式中，在利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析时，通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供用于表征分析过程的3D渲染图，通过所述3D渲染图确定所述电致发光材料层的各膜层的位置。在一种可能的实现方式中，在利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析时，通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供所述3D渲染图对应的元素分布图，通过所述元素分布图确定所述电致发光材料层的各膜层的元素分布。在一种可能的实现方式中，所述含银阴极层的剥离面积大于或等于所述电致发光材料层的分析面积。在一种可能的实现方式中，所述电致发光器件还包括：层叠于所述含银阴极层上的封装层；所述膜层分析方法还包括：在剥离所述含银阴极层之前，利用刀片去除所述封装层。本专利技术实施例提供的技术方案的有益效果至少包括：本专利技术实施例提供的电致发光器件的膜层分析方法，能够对电致发光材料层的各膜层进行成分分析，在分析之前，通过采用质谱仪提供的离子溅射源对含银阴极层进行溅射剥离，其剥离过程稳定可控，能够有效且彻底地去除含银阴极层，同时避免了对电致发光材料层进行剥离。随后采用质谱仪提供的气体团簇离子源对暴露的电致发光材料层进行分析，不仅能够获得电致发光材料层的各膜层成分及位置，且不会对电致发光材料层造成损伤。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一示例性地利用离子溅射源由阴极层溅射至阳极层获得的质谱图；图2-1为图1中对应Ag3109Ag2+峰的3D渲染图；图2-2为图1中对应Ag5109Ag2+峰的3D渲染图；图3为一示例性地利用离子溅射源溅射含银阴极层获得的信号强度-剥离时间曲线图；图4为用于表征图3所涉及的溅射过程的3D渲染图；图5为一示例性地利用气体团簇离子源分析电致发光材料层获得的质谱图；图6为一示例性地利用气体团簇离子源分析电致发光材料层获得的信号强度-剥离时间曲线图；图7用于表征图6所涉及的分析过程的3D渲染图；图8为与图7所涉及的3D渲染图相对应的元素分布图。具体实施方式为使本专利技术的技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。针对现有技术对电致发光器件的膜层进行分析时，需要通过刀片或胶粘带剥离阴极层时，易发生阴极层剥离不彻底或者部分剥离电致发光材料层的技术问题，本专利技术实施例提供了一种电致发光器件的膜层分析方法，可有效且彻底地去除含银阴极层，而不影响电致发光材料层。本专利技术实施例所涉及的电致发光器件包括：依次层叠的阳极层、电致发光材料层、以及含银阴极层，其中，电致发光材料层可以为多种类型，举例来说，电致发光材料层的类型包括但不限于以下：沿阳极层至阴极层方向，依次层叠的空穴传输层、有机发光层、电子传输层；或者，沿阳极层至阴极层方向，依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层；或者，沿阳极层至阴极层方向，依次层叠的空穴传输层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层，等等。针对上述电致发光器件，为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种膜层分析方法，该分析方法包括：提供具有离子溅射源和气体团簇离子源的质谱仪。利用离子溅射源从电致发光器件上剥离含银阴极层，得到暴露有电致发光材料层的分析样品。利用气体团簇离子源对暴露的电致发光材料层进行分析。本专利技术实施例提供的电致发光器件的膜层分析方法，能够对电致发光材料层的各膜层进行成分分析，在分析之前，通过采用质谱仪提供的离子溅射源对含银阴极层进行溅射剥离，其剥离过程稳定可控，能够有效且彻底地去除含银阴极层，同时避免了对电致发光材料层进行剥离。随后采用质谱仪提供的气体团簇离子源对暴露的电致发光材料层进行分析，不仅能够获得电致发光材料层的各膜层成分及位置，且不会对电致发光材料层造成损伤。考虑到飞行时间二次离子质谱仪(TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry，简称TOF-SIMS)能更好地实现对样品几乎无损的静态分析，且目前飞行时间二次离子质谱仪一般兼具离子溅射源和气体团簇离子源，同时在溅射以及分析过程中，可以同时提供用于表征溅射以及分析过程的质谱图，信号强度-作业时间曲线图(还可以理解为深度曲线图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电致发光器件的膜层分析方法，所述电致发光器件包括：依次层叠的阳极层、电致发光材料层、以及含银阴极层，其特征在于，所述膜层分析方法包括：提供具有离子溅射源和气体团簇离子源的质谱仪；利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层，得到暴露有电致发光材料层的分析样品；利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析。

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件的膜层分析方法，所述电致发光器件包括：依次层叠的阳极层、电致发光材料层、以及含银阴极层，其特征在于，所述膜层分析方法包括：提供具有离子溅射源和气体团簇离子源的质谱仪；利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层，得到暴露有电致发光材料层的分析样品；利用所述气体团簇离子源对暴露的所述电致发光材料层进行分析。2.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法，其特征在于，所述离子溅射源为氧气源。3.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法，其特征在于，所述气体团簇离子源为氩离子团簇源。4.根据权利要求1所述的电致发光器件的膜层分析方法，其特征在于，所述质谱仪为飞行时间二次离子质谱仪。5.根据权利要求4所述的电致发光器件的膜层分析方法，其特征在于，在利用所述离子溅射源从所述电致发光器件上剥离所述含银阴极层的同时，通过所述飞行时间二次离子质谱仪提供信号强度-剥离时间曲线图；通过所述信号强度-剥离时间曲线图，确定所述含银阴极层的剥离时间。6.根据权利要求5所述的电致发光器件的膜层分析方法，其特征在于，所述含银阴极层的成分为Mg-Ag-Yb；所述通过所述信号强度-剥离时间曲线图，确定所述含银阴极层的剥离时间，包括：根据所述信号强度-剥离时间曲线图，确定Ag元素的离子峰；根据所述Ag元素的离子峰，确定所述含银阴极层的剥离时间。7.根据权利要求6所述的电致发光器件的膜层分析方法，其特征在于，所述分析方法还包括：根据所述信号强度-剥离时间曲线图，确定Yb元素的离子峰；根据所述Yb元素的离子峰，确定所述含银阴极层已...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘莹，彭于航，杜聪聪，范磊，范春芳，吴启，薛孝忠，秦浩然，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11