一种单晶炉及石英多次加料装置制造方法及图纸

一种单晶炉及石英多次加料装置，包括上炉体，隔离阀，下炉体，坩埚，石英加料装置，所述石英加料装置包括连接轴，钼杆，压板一，压板二，筒体，外筒体，支撑环，锥形筒底；所述的压板一放置在压板二上；所述的压板二放置在筒体上；所述的连接轴与钼杆一端通过螺纹连接，下端通过螺纹拧紧固定在锥形筒底内；所述的外筒体包裹筒体，并与筒体固定在一起；所述支撑环固定在外筒体上。该装置可以实现单晶炉内的多晶硅料的多次加料，能一次性拉出所需长度的单晶硅棒料，同时加料时无卡料现象，也避免了高温时单晶棒品质受污染的生产事故。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉及石英多次加料装置
本技术涉及单晶炉设备制造领域，具体地说是一种单晶炉及石英多次加料装置。
技术介绍
在单晶硅直拉法生产过程中，一般是将硅料加入到坩埚里加热融化，然后冷却至一定的温度，把籽晶装入硅籽晶夹持器中，将夹持器的上端通过连接件与籽晶轴连接，通过提升，使籽晶长大形成硅棒。由于在加料前多晶硅初始状态为固态，而加热后多晶硅体积缩小，所以在坩埚内多晶硅的体积减少，使得坩埚上部还有剩余较大的空间，使得多晶硅的调料相当于单晶炉调料不足，造成一次拉出的单晶硅的棒体长度较短，不能很好的利用生产设备和生产合适长度的多晶硅棒体，所以单晶炉生产现在多设置二次或多次加料装置，加料装置根据装置材料可分为金属加料装置和非金属加料装置，非金属加料装置中石英加料装置应用较广，与金属加料装置比较，石英加料装置污染小，但是与金属加料装置相比又石英具有易脆的特点。
技术实现思路
针对以上结构，本技术提供一种单晶炉及石英多次加料装置，解决了单晶炉由于一次填料不足造成拉出的单晶硅棒体长度不足的缺陷，并解决了石英易脆而不好搬运和安装的特点。本技术解决其技术问题所采取的技术方案是：一种单晶炉及石英多次加料装置，包括上炉体，隔离阀，下炉体，坩埚，石英加料装置，所述上炉体与隔离阀上端固定在一起，隔离阀下端与下炉体固定在一起，所述坩埚固定在下炉体内所述石英加料装置穿过上炉体和隔离阀并深入到下炉体内，其特征在于：所述石英加料装置包括连接轴，钼杆，压板一，压板二，筒体，外筒体，支撑环，锥形筒底；所述的压板一放置在压板二上；所述的压板二放置在筒体上；所述的连接轴与钼杆一端通过螺纹连接，所述的钼杆穿过压板一、压板二、筒体、和锥形筒底，下端通过螺纹拧紧固定在锥形筒底内；所述的外筒体包裹筒体，并与筒体固定在一起；所述支撑环固定在外筒体上。作为优化，所述的压板一由对称的两半组成。作为优化，所述的压板二一端开弧形槽。作为优化，所述的压板一和压板二材质为聚四氟乙烯。作为优化，所述的筒体为上下两端都开口的锥形筒结构，上端口为宽端，下端口为窄端，上端口设有突出的边缘。作为优化，所述的筒体材质为高纯度透明石英。作为优化，所述的外筒体与筒体之间固定连接，所述外筒体外侧固定支撑环；所述的外筒体和支撑环材质为不锈钢。作为优化，所述的锥形筒底窄端朝上，锥形筒底中间从上端到下端依次设置三段由小到大的孔，钼杆由窄端穿过，从宽端深出，通过螺母拧紧在锥形筒底内，锥形筒底与螺母之间固定有弹性圈。作为优化，所述的弹性圈和螺母材质为钼。作为优化，所述的加料装置的锥形筒底的最低端与坩埚液面的对小距离为110-120mm。本技术的有益效果是：与现有技术相比，本技术的一种单晶炉及石英多次加料装置，可以实现单晶炉内的多晶硅料的多次加料，能一次性拉出所需长度的单晶硅棒料，同时加料时无卡料现象，也避免了高温时单晶棒品质受污染的生产事故。附图说明图1为本技术主视图；图2为本技术加料装置剖视图；图3为本技术压板二示意图；其中，1上炉体，2隔离阀，3下炉体，4石英坩埚，5加料装置，501连接轴，502钼杆，503压板一，504压板二，505筒体，506外筒体，507支撑环，508锥形筒底，510弹性圈，511螺母具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的。技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1-3所示，一种单晶炉及石英多次加料装置，包括上炉体1，隔离阀2，下炉体3，坩埚4，石英加料装置5，所述上炉体1与隔离阀2上端固定在一起，隔离阀2下端与下炉体3固定在一起，所述坩埚4固定在下炉体内，所述石英加料装置5穿过上炉体1和隔离阀2并深入到下炉体内，下炉体3内进行硅料的融化和冷却，隔离阀2有利于对加料装置内多晶硅料的观察和处理渣料，上炉体1和隔离阀2内进行单晶硅料的直拉；所述石英加料装置5包括连接轴501，钼杆502，压板一503，压板二504，筒体505，外筒体506，支撑环507，锥形筒底508；所述的压板一503放置在压板二504上；所述的压板二504放置在筒体505上；所述的连接轴501与钼杆502一端通过螺纹连接，所述的钼杆502穿过压板一503、压板二504、筒体505、和锥形筒底508，下端通过螺纹拧紧固定在锥形筒底508内，钼杆502由连接轴501在外部操控系统作用下实现升降，钼杆502的升降可带动压板一503、压板二504和锥形筒底508的升降；钼杆502的的表面进行磨光处理，目的是为与多晶硅料的摩擦力减小。作为本实施例的进一步优化，所述的压板一503由两半对称压板组成；所述的压板二504中间开槽，槽形口插入钼杆中，当加料装置再次加料需要将压板移开时，只需要轻松将压板一503的两半拿开，压板二504从槽口反方向移走即可；而压板一503和压板二504材质为聚四氟乙烯，一是因为聚四氟乙烯耐腐蚀，二是因为聚四氟乙烯有一定的硬度和强度，较耐用。作为本实施例的进一步优化，所述的筒体505为上下两端都开口的柱形筒结构，上端口有突出的边缘，突出的边缘方便固定和拿放，所述压板二504放置在筒体505突出边缘上，与筒底形成封闭空间盛放多晶硅料。作为本实施例的进一步优化，所述的筒体505材质为高纯度透明石英，石英材质耐高温、耐腐蚀，而且透明，做加料筒可放置在单晶炉内，而且在加料时能看到筒体内多晶硅原料是否装满；但是由于石英具有一定的脆性，在应用和运输过程中需要轻拿轻放，所以在本实施例中，在石英筒体外加设外筒体和支撑环，外筒体和支撑环为不锈钢材质，起到加固和支撑作用，同时运输时保护石英筒体；外筒体的长度只到炉体的隔离阀位置，不深入到下炉体内，保证单晶硅棒的产品品质不受影响。作为本实施例的进一步优化，所述的锥形筒底508窄端朝上，锥形筒底508中间从上端到下端依次设置三段由小到大的孔，钼杆502由窄端穿过，从宽端深出，通过螺母511拧紧在锥形筒底内，锥形筒底与螺母之间固定有弹性圈510，弹性圈510对螺母和钼杆的固定和拧紧起到防松作用。弹性圈和螺母材质为钼，与钼杆材质相同，钼的熔点高，热膨胀系数低，性质较稳定，在高温时不易产生化学反应产生不利于单晶硅的元素；或者将弹性圈与螺母表面进行特殊处理，这种处理可以为氧化处理，表面处理的目的是为保证在单晶炉高温状态下弹性圈和螺母性质的稳定不发生变质。在本实施例中，所述的加料装置的锥形筒底的最低端与坩埚液面的距离设置为110-120mm，经试验验证，距离太长或太短都不方便多晶硅料对坩埚内的投放。在工作中，将加料装置的石英筒体一次性加满后放入单晶炉内，将钼杆502放下，锥形筒底508打开，将多晶硅料加入到单晶炉坩埚内，加满坩埚时停止放料，钼杆收回，锥形筒底闭合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉及石英多次加料装置，包括上炉体，隔离阀，下炉体，坩埚，石英加料装置；所述上炉体与隔离阀上端固定在一起，隔离阀下端与下炉体固定在一起，所述坩埚固定在下炉体内，所述石英加料装置穿过上炉体和隔离阀并深入到下炉体内，其特征在于：所述石英加料装置包括连接轴，钼杆，压板一，压板二，筒体，外筒，支撑环，锥形筒底；所述的压板一放置在压板二上；所述的压板二放置在筒体上；所述的连接轴与钼杆一端通过螺纹连接；所述的钼杆穿过压板一、压板二、筒体、和锥形筒底，下端通过螺纹拧紧固定在锥形筒底内；所述的外筒体包裹筒体，并与筒体固定在一起；所述支撑环固定在外筒体上。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉及石英多次加料装置，包括上炉体，隔离阀，下炉体，坩埚，石英加料装置；所述上炉体与隔离阀上端固定在一起，隔离阀下端与下炉体固定在一起，所述坩埚固定在下炉体内，所述石英加料装置穿过上炉体和隔离阀并深入到下炉体内，其特征在于：所述石英加料装置包括连接轴，钼杆，压板一，压板二，筒体，外筒，支撑环，锥形筒底；所述的压板一放置在压板二上；所述的压板二放置在筒体上；所述的连接轴与钼杆一端通过螺纹连接；所述的钼杆穿过压板一、压板二、筒体、和锥形筒底，下端通过螺纹拧紧固定在锥形筒底内；所述的外筒体包裹筒体，并与筒体固定在一起；所述支撑环固定在外筒体上。2.根据权利要求1所述的一种单晶炉及石英多次加料装置，其特征在于：所述的压板一由对称的两半组成。3.根据权利要求1所述的一种单晶炉及石英多次加料装置，其特征在于：所述的压板二一端开弧形槽。4.根据权利要求1所述的一种单晶炉及石英多次加料装置，其特征在于：所述的压板一和压板二材质为聚四氟乙烯。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永超，郭城，吕明，李忠泉，
申请(专利权)人：济南科盛电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37