一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备制造技术

一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备。本发明专利技术包括底座、支撑架、顶梁和第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑鞍，滑鞍左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构；滑鞍右端与第一横向推进机构连接；支撑架左侧设置有第二直线导轨，第二直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接升降座上设置有第二电机，第二电机输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上；底座的左上端设置有柜体，柜体的上端设置有第三直线导轨，第三直线导轨上安装有侧面打磨机构。本发明专利技术结构简单，自动化程度高，能够对2‑5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片上下表面以及侧面进行快速打磨，打磨效果好，效率高，解决了传统手工打磨不均，打磨效率低等缺陷。

A Comprehensive Grinding Equipment for GaSb Single Wafer with Adjustable Side Cutting Quantity

The utility model relates to a comprehensive grinding device for GaSb single wafers with adjustable side cutting amount. The invention comprises a base, a support frame, a top beam and a straight-line guide rail. A sliding saddle is installed on the first straight-line guide rail, and a surface polishing mechanism of GaSb single chip is arranged on the left end of the sliding saddle; the right end of the sliding saddle is connected with the first horizontal propulsion mechanism; the left side of the support frame is provided with a second straight-line guide rail, and the second straight-line guide rail is provided with a lifting seat, and the lifting seat is connected with the lifting mechanism. There is a second motor, the output shaft of the second motor is connected with a vacuum sucker, and the GaSb single chip is installed on the vacuum sucker; the upper left end of the base is provided with a cabinet body, the upper end of the cabinet body is provided with a third linear guide rail, and the side grinding mechanism is installed on the third linear guide rail. The invention has the advantages of simple structure and high automation, and can quickly clamp and grind the upper and lower surfaces and side surfaces of GaSb single wafers with a thickness of 2 5mm. The grinding effect is good, the grinding efficiency is high, and the defects of traditional manual grinding are solved, such as uneven grinding and low grinding efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备
本专利技术涉及一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备。
技术介绍
锑化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs,InP等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣,这主要是光纤通信技术的发展,对新器件的潜在需求而引起的。在光通信中为了减少传输中的损耗,总是尽可能采用较长波长的光,最早使用0.8μm波长的光,现在使用1.55μm波长的光。据估计下一代光纤通信将采用更长波长的光。研究表明某些非硅材料光纤在波长为(2～4)μm的范围时传输损耗更小。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中,锑化镓作为衬底材料引起了更多的注意,因为它可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配,这些材料光谱的范围在(0.8～4.0)μm之间,正好符合要求。另外,利用锑化镓基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8～14)μm范围的探测器。现有仪器中对锑化镓单晶片表面光滑度越来越讲究，而对锑化镓单晶片表面的打磨大多采用手工打磨，手工打磨存在打磨不均匀，打磨效率低等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对以上问题，提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备，其特征在于，它包括底座(21)，其上端设置有支撑架(17)，支撑架(17)的上端设置有顶梁(9)，顶梁(9)的底部设置有第一直线导轨(8)，第一直线导轨(8)上安装有滑鞍(10)，滑鞍(10)的左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构；滑鞍(10)的右端与第一横向推进机构连接，实现左右移动；锑化镓单晶片表面打磨机构包括第一电机(7)、与第一电机(7)输出轴相连的第一转轴(5)、设置在第一转轴(5)末端的第一打磨盘(4)；支撑架(17)的左侧设置有第二直线导轨(18)，第二直线导轨(18)上安装有升降座(16)，升降座(16)与升降机构连接实现上下升降...

【技术特征摘要】
1.一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备，其特征在于，它包括底座(21)，其上端设置有支撑架(17)，支撑架(17)的上端设置有顶梁(9)，顶梁(9)的底部设置有第一直线导轨(8)，第一直线导轨(8)上安装有滑鞍(10)，滑鞍(10)的左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构；滑鞍(10)的右端与第一横向推进机构连接，实现左右移动；锑化镓单晶片表面打磨机构包括第一电机(7)、与第一电机(7)输出轴相连的第一转轴(5)、设置在第一转轴(5)末端的第一打磨盘(4)；支撑架(17)的左侧设置有第二直线导轨(18)，第二直线导轨(18)上安装有升降座(16)，升降座(16)与升降机构连接实现上下升降，升降座(16)上设置有第二电机(1)，第二电机(1)的输出轴连接真空吸盘(2)，锑化镓单晶片(3)安装在真空吸盘(2)上，第一打磨盘(4)设置在锑化镓单晶片(3)的正上方；底座(21)的左上端设置有柜体(22)，柜体(22)的上端设置有第三直线导轨(23)，第三直线导轨(23)上安装有滑块(27)；滑块(27)与第二横向推进机构连接，实现左右移动；滑块(27)的上端设置有支撑座(28)，支撑座(28)上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第五电机(31)、与第五电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王歆，吴秀丽，陈琳，
申请(专利权)人：湖南大合新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43