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一种侧面切削量可调的锑化镓单晶片全面打磨设备。本发明包括底座、支撑架、顶梁和第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑鞍，滑鞍左端设置有锑化镓单晶片表面打磨机构；滑鞍右端与第一横向推进机构连接；支撑架左侧设置有第二直线导轨，第二直线导轨上安装有升...
该专利属于湖南大合新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南大合新材料有限公司授权不得商用。

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