一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，本发明专利技术在InSb晶片的抛光工艺中，能够通过较为简单的清洗工艺，将陶瓷盘表面沾污去除，而且能够进行一批次多个陶瓷盘同时清洗，从而较高效率的优化陶瓷盘表面平整度，最终达到优化晶片抛光质量和成品率的效果。通过该工艺的发明专利技术，能够节省每年的陶瓷盘换新成本，且能够在一定程度上提升InSb合格抛光晶片产量。

A Cleaning Method of Ceramic Disk for InSb Wafer Polishing

The invention discloses a cleaning method for ceramic discs used for polishing InSb wafers. In the polishing process of InSb wafers, the contamination on the surface of ceramic discs can be removed by a relatively simple cleaning process, and multiple ceramic discs can be cleaned at the same time in batches, so as to optimize the surface smoothness of ceramic discs with high efficiency, and ultimately achieve the optimization of wafer polishing quality and finished products. The effect of the rate. With the invention of this process, the annual cost of replacement of ceramic discs can be saved, and the output of qualified polished InSb wafers can be increased to a certain extent.

【技术实现步骤摘要】
一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法
本专利技术涉及红外探测器
，特别是涉及一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法。
技术介绍
InSb材料是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有闪锌矿结构，在3～5μm中波波段拥有将近100％的量子效率，被常用于制备中波段红外探测器。InSbFPA由于制备工艺已相当成熟，已被广泛应用于红外追踪、制导、热成像、监视、侦察、预警和天文观察等军事与民用红外系统中，并取得了很好的结果。InSb材料主流制备技术是通过直拉法生长出晶体，然后通过切片、倒角、研磨、抛光等工艺制备成各种尺寸晶片。InSb晶片抛光工艺现常使用的是单面机械化学抛光方法。该抛光方法是先使用粘接蜡将晶片粘在圆形陶瓷盘上，然后将粘有晶片的陶瓷盘通过真空吸在抛光机的抛光头上，粘有晶片的陶瓷盘面朝下，通过给抛光头加压以及旋转抛光盘，同时给予一定流量配比的抛光液来进行晶片的抛光，最终使晶片呈镜面光亮，且TTV(总厚度变化)、Warp(翘曲度)等参数达标。因该工艺涉及到粘接蜡、抛光液、InSb粉末等沾污，陶瓷盘在长期使用后，表面会附着上多种残留物，导致抛光盘表面平整度变差，从而使晶片TTV(总厚度变化)、Warp(翘曲度)变差，严重时会导致晶片粘接不牢，造成掉片，直接损坏整盘晶片。
技术实现思路
本专利技术提供了一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，以解决现有技术中对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗的平整度较差的问题。本专利技术提供了一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，该方法包括：通过粘有纯的CMOS-Ⅱ级异丙醇的无尘布擦洗陶瓷盘表面；将所述陶瓷盘放入预设清洗夹具中，并利用预制的清洗液对所述陶瓷盘进行清洗，其中，所述清洗液为使用电子级NaOH粉末和纯水配置出的PH值为11～13的NaOH溶液；将装有陶瓷盘的清洗夹具放入超声波清洗机中进行浸泡和清洗，浸泡时的洗液温度为40～80℃，浸泡时间24～48小时，清洗的超声频率为25～30KHz，清洗的超声功率为1800～2500W，清洗时的洗液温度为40～80℃，清洗时间30～100min；将清洗后的陶瓷盘后放入纯水中冲洗10～20min；将所述陶瓷盘放入烘箱中进行烘干，设定烘箱温度为60～90℃，对所述陶瓷盘进行烘干。优选地，所述清洗夹具采用316不锈钢以及聚四氟材料制作。优选地，所述洗液温度为60℃。优选地，所述烘箱温度为80℃。本专利技术有益效果如下：本专利技术在InSb晶片的抛光工艺中，能够通过较为简单的清洗工艺，将陶瓷盘表面沾污去除，而且能够进行一批次多个陶瓷盘同时清洗，从而较高效率的优化陶瓷盘表面平整度，最终达到优化晶片抛光质量和成品率的效果。通过该工艺的专利技术，能够节省每年的陶瓷盘换新成本，且能够在一定程度上提升InSb合格抛光晶片产量。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1是本专利技术实施例所使用的InSb抛光用陶瓷盘清洗方法流程图；图2a是本专利技术实施例陶瓷盘清洗用夹具的剖视图；图2b是本专利技术实施例陶瓷盘清洗用夹具的俯视图；图3a是本专利技术实施例使用本专利技术处理前陶瓷盘的表面清洁效果图；图3b是本专利技术实施例使用本专利技术处理后陶瓷盘的表面清洁效果图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。本专利技术实施例提供了一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，参见图1，该方法包括：S101、通过粘有纯的CMOS-Ⅱ级异丙醇的无尘布擦洗陶瓷盘表面；具体本专利技术实施例是使用粘有纯的CMOS-Ⅱ级异丙醇的无尘布擦洗陶瓷盘表面，以去除晶片表面的部分粘接蜡等有机沾污。S102、将所述陶瓷盘放入预设清洗夹具中，并利用预制的清洗液对所述陶瓷盘进行清洗，其中，所述清洗液为使用电子级NaOH粉末和纯水配置出的PH值为11～13的NaOH溶液；本专利技术实施例是将陶瓷盘放入特制的清洗夹具中，该夹具使用316不锈钢以及聚四氟材料制作，具有足够的刚性以及耐腐蚀性，既能够保持多个重量大的陶瓷盘立型清洗，又能够在洗液中耐腐蚀以及不产生沾污，最终优化清洗效果，提高清洗效率。配置InSb抛光用陶瓷盘清洗液，使用电子级NaOH粉末和纯水配置出PH值为11～13的NaOH溶液，该洗液能够与有机的粘接蜡、抛光液以及InSb粉末反应，从而去除陶瓷盘表面该类型沾污。S103、将装有陶瓷盘的清洗夹具放入超声波清洗机中进行浸泡和清洗，浸泡时的洗液温度为40～80℃，浸泡时间24～48小时，清洗的超声频率为25～30KHz，清洗的超声功率为1800～2500W，清洗时的洗液温度为40～80℃，清洗时间30～100min；具体，本专利技术实施例是将装有陶瓷盘的夹具放入超声波清洗机中，将洗液温度升高至40～80℃，然后浸泡24～48小时，以去除陶瓷盘上的顽固沾污。浸泡完成后，设定超声频率为25～30KHz，超声功率为1800～2500W，洗液温度为40～80℃，清洗30～100min，该步骤能够很好的去除沾污与洗液反应后的残留物以及抛光液中的颗粒等沾污。S104、将清洗后的陶瓷盘后放入纯水中冲洗10～20min；取出陶瓷盘后放入纯水中冲洗10～20min，以去除陶瓷盘上残留的清洗液。S105、将所述陶瓷盘放入烘箱中进行烘干，设定烘箱温度为60～90℃，对所述陶瓷盘进行烘干。最后将陶瓷盘放入烘箱中，设定烘箱温度为60～90℃进行陶瓷盘烘干。最终完成陶瓷盘的清洗。也就是说，本专利技术在InSb晶片的抛光工艺中，能够通过较为简单的清洗工艺，将陶瓷盘表面沾污去除，而且能够进行一批次多个陶瓷盘同时清洗，从而较高效率的优化陶瓷盘表面平整度，最终达到优化晶片抛光质量和成品率的效果。通过该工艺的专利技术，能够节省每年的陶瓷盘换新成本，且能够在一定程度上提升InSb合格抛光晶片产量。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：使用粘有纯的CMOS-Ⅱ级异丙醇的无尘布擦洗陶瓷盘表面，以去除晶片表面的部分粘接蜡等有机沾污。然后将陶瓷盘放入特制的清洗夹具中，该夹具使用316不锈钢以及聚四氟材料制作，具有足够的刚性以及耐腐蚀性，既能够保持多个重量大的陶瓷盘立型清洗，又能够在洗液中耐腐蚀以及不产生沾污，最终优化清洗效果，提高清洗效率。配置InSb抛光用陶瓷盘清洗液，使用电子级NaOH粉末和纯水配置出PH值为11～13的NaOH溶液，该洗液能够与有机的粘接蜡、抛光液以及InSb粉末反应，从而去除陶瓷盘表面该类型沾污。将装有陶瓷盘的夹具放入超声波清洗机中，将洗液温度升高至40～80℃，然后浸泡24～48小时，以去除陶瓷盘上的顽固沾污。浸泡完成后，设定超声频率为25～30KHz，超声功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，其特征在于，包括：通过粘有纯的CMOS‑Ⅱ级异丙醇的无尘布擦洗陶瓷盘表面；将所述陶瓷盘放入预设清洗夹具中，并利用预制的清洗液对所述陶瓷盘进行清洗，其中，所述清洗液为使用电子级NaOH粉末和纯水配置出的PH值为11～13的NaOH溶液；将装有陶瓷盘的清洗夹具放入超声波清洗机中进行浸泡和清洗，浸泡时的洗液温度为40～80℃，浸泡时间24～48小时，清洗的超声频率为25～30KHz，清洗的超声功率为1800～2500W，清洗时的洗液温度为40～80℃，清洗时间30～100min；将清洗后的陶瓷盘后放入纯水中冲洗10～20min；将所述陶瓷盘放入烘箱中进行烘干，设定烘箱温度为60～90℃，对所述陶瓷盘进行烘干。

【技术特征摘要】
1.一种对InSb晶片抛光用陶瓷盘的清洗方法，其特征在于，包括：通过粘有纯的CMOS-Ⅱ级异丙醇的无尘布擦洗陶瓷盘表面；将所述陶瓷盘放入预设清洗夹具中，并利用预制的清洗液对所述陶瓷盘进行清洗，其中，所述清洗液为使用电子级NaOH粉末和纯水配置出的PH值为11～13的NaOH溶液；将装有陶瓷盘的清洗夹具放入超声波清洗机中进行浸泡和清洗，浸泡时的洗液温度为40～80℃，浸泡时间24～48小时，清洗的超声频率为25～30KHz，清洗的超声...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔忠弟，赵超，彭志强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11