The invention relates to a preparation method for a nanocrystalline SiC with high crystallinity. The SiC nanowires are prepared by two step method. After impregnating a carbon foam as a template and adopting a chemical vapor infiltration process to prepare high crystallinity SiC nanowires, the carbon foam template and impurities are removed to obtain highly pure SiC nanowires. The prepared SiC nanowires have high crystallinity, less impurities and nanofibers. At the same time, nanowires overlap each other to form a three-dimensional network structure. The nanowires have the advantages of large specific surface area, good temperature resistance and oxidation resistance. They can be used in supercapacitors, energy storage materials, catalyst carriers and so on.
【技术实现步骤摘要】
一种结晶度高超长SiC纳米线的制备方法
本专利技术涉及一种SiC纳米线材料，特别是涉及一种结晶度高超长SiC纳米线的制备方法。
技术介绍
碳化硅纳米线不仅具有其本体所固有的轻质、耐高温、抗氧化、耐腐蚀、耐辐照等性能，同时还具有其大尺寸材料所不具备的性质如优异的力学性能（高弹性和强度、高弹性模量）、光学性能（室温下的光致发光、光催化储氢）。这些特性使得碳化硅纳米线在储能、光催化、机械、电力、航天航空等领域具有广阔的应用前景。公开号为CN201711387518.5的中国专利公开了一种碳化硅纳米线的制备方法，以稻壳为原料，用将其粉碎压片后用泡沫镍包裹起来作为工作电极，以光谱纯的石墨棒作为对电极；以无水CaCl2和NaCl的混合盐为电解质，在惰性气体保护气氛下进行电解制备得到碳化硅纳米线。该制备方法具有反应温度低，反应时间短的特点，并且制备工艺简单，适合放大生产，具有显著的经济和环境效益。公开号为CN201810086069.9的中国专利公开了一种碳化硅纳米线气凝胶及其制备方法，以粉末状碳化硅陶瓷先驱体为原料，以多孔氧化铝生长基体，在管式炉中常压条件下1300-1400...
【技术保护点】
1.一种结晶度高超长SiC纳米线的制备方法，其特征在于包括以下顺序步骤：（1）将碳泡沫依次放入超纯水、乙醇和丙酮进行超声波清洗后室温干燥；（2）使用乙醇和催化剂配置成质量浓度为0.01%~1%的催化剂溶液；（3）将步骤（1）中清洗后的碳泡沫放入步骤（2）所制备的催化剂溶液中浸透后，挤压碳泡沫排尽多余的催化剂溶液后烘干，制得负载镍催化剂的碳泡沫；（4）将步骤（3）中负载催化剂的碳泡沫放入管式炉中，抽真空后，向反应炉内通入反应源气体，升温至800~1300℃，反应源气体为氩气、氢气、三氯甲基硅烷混合气体；（5）在步骤（4）反应完毕后，关闭源气体，并随炉冷却至室温；（6）将步骤（...
【技术特征摘要】
1.一种结晶度高超长SiC纳米线的制备方法，其特征在于包括以下顺序步骤：（1）将碳泡沫依次放入超纯水、乙醇和丙酮进行超声波清洗后室温干燥；（2）使用乙醇和催化剂配置成质量浓度为0.01%~1%的催化剂溶液；（3）将步骤（1）中清洗后的碳泡沫放入步骤（2）所制备的催化剂溶液中浸透后，挤压碳泡沫排尽多余的催化剂溶液后烘干，制得负载镍催化剂的碳泡沫；（4）将步骤（3）中负载催化剂的碳泡沫放入管式炉中，抽真空后，向反应炉内通入反应源气体，升温至800~1300℃，反应源气体为氩气、氢气、三氯甲基硅烷...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖家豪，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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