【技术实现步骤摘要】
一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法
本专利技术属于电极材料制备
,具体涉及一种基于银纳米线的透明电极及其制备方法。
技术介绍
智能设备的高速发展,对显示器件提出了越来越高的要求。目前显示器件的结构中,发光层之上仍具有需要导电的结构,如上电极与触摸屏。这些结构将或多或少地对发光产生吸收或反射,对发光效率甚至显示效果产生影响。在这种情况下,必须使用具有高透过率的导电材料。目前在商业应用中广泛使用的是以掺杂锡的氧化铟薄膜(Indiumtinoxide,ITO)为代表金属氧化物薄膜。然而,ITO有着易碎、资源供应稀缺引起的售价高昂等问题。并且随着对柔性显示屏的研究深入,合成ITO所需的高温环境难以在多数柔性衬底上实现与容易在弯曲中发生断裂等缺陷使寻找新型透明导电材料迫在眉睫。纳米材料由于其独特的量子尺寸效应,小尺寸效应,宏观量子隧道效应等,吸引了众多研究者的关注。金属纳米材料,尤其是银纳米材料,因其独特的光电效应与化学性质,被应用于众多领域中。银纳米线,兼具了高电导率、高热导率、化学性质稳定、优良的机械性能与良好的光学性能,是制备透明电极中ITO的理想替代品。然 ...
【技术保护点】
1.一种基于银纳米线的透明电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将分子量为1300000的聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇加入反应器中,于140℃加热并搅拌至其完全溶解;向反应器中加入NaCl乙二醇溶液;搅拌条件下加入AgNO3乙二醇溶液,然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min,结束反应后离心分离产物,制得银纳米线,将制得的银纳米线分散于乙醇中备用;(2)将步骤(1)制得的银纳米线乙醇溶液进行离心处理,离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面;(3)将步骤(2)旋涂后的玻璃基板进行退火处理,得到基于银纳米线的透明电极;在步骤(1)的总反应体系中,所述聚乙烯吡咯烷酮浓度 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于银纳米线的透明电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将分子量为1300000的聚乙烯吡咯烷酮和乙二醇加入反应器中,于140℃加热并搅拌至其完全溶解;向反应器中加入NaCl乙二醇溶液;搅拌条件下加入AgNO3乙二醇溶液,然后在140℃及搅拌条件下继续反应80min,结束反应后离心分离产物,制得银纳米线,将制得的银纳米线分散于乙醇中备用;(2)将步骤(1)制得的银纳米线乙醇溶液进行离心处理,离心后取适量上层悬浊液旋涂于玻璃基板表面;(3)将步骤(2)旋涂后的玻璃基板进行退火处理,得到基于银纳米线的透明电极;在步骤(1)的总反应体系中,所述聚乙烯吡咯烷酮浓度为0.42mol/L,AgNO3浓度为0.06mol/L,NaCl浓度为2mmol/L。2.根据权利要求1所述基于银纳米线的透明电极的制备方法,其特征在于,步骤(1)加入AgNO3乙二醇溶液时的搅拌转速为0~100rpm。3.根据权利要求2所述基于银纳米线的透明电极的制备方法,其特征在于,步骤(1)加入AgNO3乙二醇溶液时的搅拌转速为60rpm。4.根据权利要求1或2所述基于银纳米线的透明电极的制备方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:宁洪龙,李志航,姚日晖,李晓庆,袁炜健,史沐杨,周尚雄,卢宽宽,刘贤哲,彭俊彪,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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