一种高温稳定高介低损耗高绝缘无铅陶瓷电容器材料及制备制造技术

一种高温稳定高介低损耗高绝缘无铅陶瓷电容器材料及制备，属于电子元器件材料领域。化学式(1‑x)(0.8Bi1/2Na1/2TiO3‑0.2Bi1/2K1/2TiO3)‑xBi(Mg2/3Nb1/3)O3，x＝0.2‑0.3，以Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、TiO2、Nb2O5和4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O为原料。先球磨混料，然后在900℃高温下煅烧3h，再进行二次球磨，烘干后研磨成粉状，以聚乙烯醇缩丁醛酒精溶液作粘结剂造粒，过筛压制成型，于650℃下保温4h排出胶体，在空气气氛中1050℃进行烧结，保温3h，随炉自然冷却至室温。本发明专利技术操作方法简单，制备周期短，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种高温稳定高介低损耗高绝缘无铅陶瓷电容器材料及制备
本专利技术提供一种高温稳定的高介低损耗高绝缘电阻率无铅陶瓷电容器介质材料及其制备方法，主要应用于陶瓷电容器等电子元器件领域。技术背景多层陶瓷电容器是一种重要的基础电子元器件，被广泛应用于各种电子设备中。近年来，随着第三代半导体功率器件的迅速发展，新的高温电子装备及应用领域被不断开拓出来。已有研究表明用SiC、GaN等宽带隙半导体材料制作的器件，如MOSFET、Schottky整流器等，其工作温度能够达到300℃，为了适应SiC或GaN等有源器件工作温度的大幅提升，在电路中与之配套集成的陶瓷电容器等无源被动电子元器件的最高稳定工作温度也必须扩展到300℃。与此同时，石油钻井、混合动力车辆、航天探测与核工业装备中的耐高温电子设备等，都是在极端环境下(大于200℃)长时间工作，这也需要其中的电子元器件工作温度范围能延伸到200℃以上，甚至更高。目前，已有的商用X7R，X8R和X9R型陶瓷电容器工作温度范围均低于200℃，不能满足高温应用需求。因此，研究在高温范围(200℃-300℃)能稳定工作的陶瓷电容器材料对发展高温大功率半导体集本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高温稳定的高介低损耗高绝缘电阻率无铅电容器用陶瓷介质材料，其特征在于，其化学组成为(1‑x)(0.8Bi1/2Na1/2TiO3‑0.2Bi1/2K1/2TiO3)‑xBi(Mg2/3Nb1/3)O3，其中x＝0.2‑0.3。

【技术特征摘要】
1.一种高温稳定的高介低损耗高绝缘电阻率无铅电容器用陶瓷介质材料，其特征在于，其化学组成为(1-x)(0.8Bi1/2Na1/2TiO3-0.2Bi1/2K1/2TiO3)-xBi(Mg2/3Nb1/3)O3，其中x＝0.2-0.3。2.按照权利要求1所述的一种高温稳定的高介低损耗高绝缘电阻率无铅电容器用陶瓷介质材料，其特征在于，x＝0.2。3.制备权利要求1或2所述的一种高温稳定的高介低损耗高绝缘电阻率无铅电容器用陶瓷介质材料的方法，其特征在于，具体步骤如下1)先将Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、TiO2、Nb2O5和4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O这几种原料烘干；然后根据表达式(1-x)(0.8Bi1/2Na1/2TiO3-0.2Bi1/2K1/2TiO3)-xBi(Mg2/3Nb1/3)O3，x＝0.2-0.3，按照表达式中金属原子的化学摩尔计量比分别称取Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯育冬，徐玉茹，贾文旭，郑木鹏，朱满康，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11