极紫外光容器检查方法技术

本公开提供用于直接检查极紫外光容器的整个内部的单次拍摄测量。可提供包括与极紫外光容器整合的检查工具的一极紫外光容器。在检查过程中，检查工具移入极紫外光容器的主要聚焦区域。当检查工具是设置在主要聚焦区域，并且当通过一照明器向极紫外光容器的内部提供一实质地均匀且恒定的照明度时，极紫外光容器的内部的一全景影像可以通过检查工具的一单次拍摄来获取。之后，极紫外光容器中的多个元件上的锡污染程度可以基于极紫外光容器的内部的全景影像来量化。所量化的污染程度可以与一关键绩效指标做比较，并且可以实行一失控行动计划。

【技术实现步骤摘要】
极紫外光容器检查方法
本公开涉及半导体制造系统的一容器检查方法，更具体地说，关于半导体制造系统中的极紫外光容器的检查方法。
技术介绍
电子工业对更小且更快的电子设备的需求越来越大，这些电子设备同时能够支援更多越来越复杂且尖端的功能。因此，在半导体工业中有一个持续的趋势，就是低制造成本、高性能以及低功率集成电路(ICs)。迄今为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体集成电路尺寸(例如，最小特征尺寸)来实现的，从而提高生产效率和降低相关成本。然而，这种规模也增加了半导体制造过程的复杂性。因此，半导体集成电路以及装置的持续发展需要在半导体制造过程与技术方面取得类似的进展。仅作为一个例子，半导体光刻(微影)制程可以使用光刻模板(例如，光罩(photomask)或倍缩光罩(reticle))以将图案光学地转移到基板上。举例来说，这样的制程可以通过将放射源投射穿过一个介于中间的光罩或倍缩光罩至具有感光材料(例如光刻胶)涂层的基板上来实现。通过这种光刻制程而图案化的最小特征尺寸会受到投射放射源的波长的限制。有鉴于此，导入了极紫外光(EUV)放射源和光刻制程。然而，利用反射式而非一般折射式的光学元件的极紫外光系统对于污染问题是非常敏感的。在一个例子中，一个极紫外光容器(EUVvessel)的表面(例如，在其内生成极紫外光)的粒子污染可能会导致极紫外光容器的各种部件的退化。因此，有必要定期地检查并执行极紫外光容器的预防性维护(preventivemaintenance，PM)。至少一些现有的极紫外光容器检查方法利用了一种只是定性且非常耗时的流程。如此一来，这可能会导致非最佳预防性维护进度，增加系统停机的时间，并且缩短系统寿命。因此，现有的极紫外光检查技术在各方面都没有被证明是完全地令人满意。
技术实现思路
本专利技术实施例提出一种极紫外光容器检查方法，包含：提供一全景相机，适用于一极紫外光容器；通过该全景相机的一单次拍摄来获取该极紫外光容器的内部的一影像；以及基于该极紫外光容器的内部的该影像来量化该极紫外光容器内的污染程度。附图说明本公开可通过之后的详细说明并配合图示而得到清楚的了解。要强调的是，按照业界的标准做法，各种特征并没有按比例绘制，并且仅用于说明的目的。事实上，为了能够清楚的说明，因此各种特征的尺寸可能会任意地放大或者缩小。图1是根据本专利技术一些实施例的包含一示范性极紫外光容器的一极紫外光光源的示意图。图2A是根据本专利技术一些实施例的极紫外光容器的俯视图。图2B是根据本专利技术一些实施例的极紫外光容器的侧视图。图3A是根据本专利技术一些实施例的一示范的影像获取序列，用以获取多个影像，以作为对一极紫外光容器的整个内部成像的方法的一部分。图3B是根据本专利技术一些实施例的一组合影像，是由利用图3A中的影像获取序列所获取的多个影像所建构而成的。图4A为根据本专利技术一些实施例的一极紫外光容器的示意图。图4B为根据本专利技术一些实施例的用于对一极紫外光容器的整个内部成像的一示范性影像获取单次拍摄序列。图4C为根据本专利技术一些实施例的利用图4B中示范性影像获取单次拍摄序列来获取的一示范性影像。图5A表示了利用图3A中的示范性影像获取序列所获取的多个影像所建构的另一组合影像。图5B表示了利用图4B中的示范性影像获取单次拍摄序列所获取的一影像的另一例子。图6表示了根据一些实施例的一表格，提供可用来定义关键绩效指标并且可建立失控行动计划的极紫外光容器元件的一示范性列表。图7表示了根据本公开的一或多个方面的一方法的流程图，用以使用单次相机拍摄对极紫外光容器的整个内部进行成像。图8表示了根据本专利技术一些实施例的一光刻系统的示意图。附图标记说明：100极紫外光光源102脉冲激光源104激光光束106光束传输和聚焦系统108极紫外光容器108A内表面110液滴产生器112液滴收集器114收集器116照射区域118中间聚焦区域120极紫外光光刻系统122测量装置124极紫外光200极紫外光容器202极紫外光204杆206照相机208箭头210闸阀门212卫星腔室300影像获取序列310组合影像400极紫外光容器410液滴产生器412液滴获取器418中间聚焦区域421全景相机422收集器425卫星腔室427闸阀门429鱼眼照相机镜头431鱼眼照相机镜头433可伸缩杆450影像获取单次拍摄序列460影像510组合影像520影像600表格602、604、606、608、610、612、614、616列700方法702、704、706、708、710操作800光刻系统802放射源804照明器806遮罩台808遮罩810投射光学元件812光瞳相位调制器814投射光瞳平面816半导体基板818基板平台具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若是本公开书叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，以下公开书不同范例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。此外，其与空间相关用词。例如“在……下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。此外，在整个本公开中，术语“遮罩(mask)”，“光罩(photomask)”和“倍缩光罩(reticle)”可以互换使用，指的是例如极紫外光遮罩之类的光刻模板(lithographictemplate)。随着半导体集成电路(IC)的最小特征尺寸不断缩小，使用具有较短波长的放射源的光刻系统和制程持续引起极大的关注。有鉴于此，导入了极紫外(EUV)放射源、制程与系统(举例来说，例如可参考图8中讨论的光刻系统800)。然而，利用反射式而非现有的折射光学元件的极紫外光系统对于污染的问题是非常敏感的。在一个实施例中，导入到极紫外光容器(例如极紫外光是在其内生成)的表面上的粒子污染可能导致极紫外光容器中各种部件的退化。请参考图1，图1描述了包含一示范性的极紫外光容器的一个极紫外光光源的示意图。在一些实施例中，一个极紫外光光源100可以包括激光激发等离子体(laserproducedplasma，LPP)极紫外光光源。因此，如图所示并且在一些实施例中，极紫外光光源100可以包括一脉冲激光源102(举例来说，例如二氧化碳激光(CO2激光))，以生成并放大一高功率激光光束104。接着，激光光束104可以通过一光束传输和聚焦系统106导向一极紫外光容器108。在各种实施例中，极紫外光容器108还包括一液滴产生器110以及一液滴收集器112。在某些情况下，液滴产生器110提供锡或锡的化合物的液滴进入极紫外光容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极紫外光容器检查方法，包含：提供一全景相机，适用于一极紫外光容器；通过该全景相机的一单次拍摄来获取该极紫外光容器的内部的一影像；以及基于该极紫外光容器的内部的该影像来量化该极紫外光容器内的污染程度。

【技术特征摘要】
2017.07.31 US 62/539,273;2018.01.30 US 15/883,9711....

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊霖，简上杰，吴尚颖，郑力凯，傅中其，刘柏村，陈立锐，郑博中，严涛南，陈家桢，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71