【技术实现步骤摘要】
MOSFET电路和电源相关申请的交叉引用本申请要求于2017年4月7日提交的美国临时申请No.62/483,040的权益和优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本技术涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电路和电源。
技术介绍
本部分提供与本技术相关的背景信息,这些背景信息不一定是现有技术。多个MOSFET可以串联连接,其有时被称为“堆叠式”MOSFET配置。这些堆叠式MOSFET配置通常使用电容耦合以驱动堆叠式MOSFET配置中不同的MOSFET。具体地,电容器上的电荷变化用于获得用于MOSFET的栅极驱动信号。
技术实现思路
本部分提供了本技术的概述,并非其全部范围或全部特征的全面公开。根据本技术的一个方面,一种MOSFET电路,包括:具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET包括栅极、源极和漏极。所述MOSFET电路还包括控制器,所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供控制信号,以在所述第一MOSFET的漏-源电压和所述第二MOSFET的漏-源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。根据本技术的另一方面,一种MOSFET电路,包括:具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET电路还包括具有栅极、源极和漏极的第二MOSFET。所述第二MOSFET与所述第一MOSFET串联联接。电压共享电路联接在所述第一MOSFET的漏极和所述 ...
【技术保护点】
1.一种MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路包括:具有栅极、源极和漏极的第一MOSFET;与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET,所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极;以及控制器,所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号,以在所述第一MOSFET的漏‑源电压和所述第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。
【技术特征摘要】
2017.04.07 US 62/483,0401.一种MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路包括:具有栅极、源极和漏极的第一MOSFET;与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET,所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极;以及控制器,所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号,以在所述第一MOSFET的漏-源电压和所述第二MOSFET的漏-源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。2.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括具有电压轨和基准电位的电源,其中,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接在所述电压轨和所述基准电位之间。3.根据权利要求2所述的MOSFET电路,其特征在于,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接以共享所述电压轨的电压,使得每个MOSFET两端的电压小于所述电压轨的电压。4.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接使得所述第一MOSFET两端的电压基本上等于所述第二MOSFET两端的电压。5.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括:位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点;以及联接在所述第一MOSFET的栅极和所述节点之间的开关。6.根据权利要求5所述的MOSFET电路,其特征在于,所述开关被所述控制信号控制,以防止所述第一MOSFET在所述控制信号处于逻辑低值时接通。7.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括联接在所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的电压共享电路。8.根据权利要求7所述的MOSFET电路,其特征在于,所述电压共享电路包括第一电阻器和与所述第一电阻器串联联接的第二电阻器,所述第一电阻器和所述第二电阻器位于所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。9.根据权利要求8所述的MOSFET电路,其特征在于,位于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的节点与位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点联接。10.根据权利要求7所述的MOSFET电路,其特征在于,所述电压共享电路包括第一电容器和与所述第一电容器串联联接的第二电容器,所述第一电容器和所述第二电容器位于所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。11.根据权利要求10所述的MOSFET电路,其特征在于,位于所述第一电容器和所述第二电容器之间的节点与位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点联接。12.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括具有阴极和阳极的二极管,所述阴极与所述第一MOSFET联接,所述阳极与所述控制器联接。13.根据权利要求1至12中任一项所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢永涛,小埃内斯托·Z·卡古伊奥,
申请(专利权)人:雅达电子国际有限公司,
类型:新型
国别省市:中国香港,81
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