扫描天线制造技术

一种扫描天线具有TFT基板、缝隙基板和液晶层(LC)，TFT基板的传输端子部(PT)具有由与贴片电极(15)相同的低电阻金属膜形成的贴片连接部(15p)、形成在贴片连接部(15p)上的第一保护金属层(25)、和具有露出第一保护金属层的上表面的一部分的开口部(18p)的第一绝缘层(17)，缝隙基板的端子部具有由与缝隙电极55相同的低电阻金属膜形成的缝隙连接部(55M)、形成在缝隙连接部上的第二保护金属层(45a)、(45b)、和具有露出第二保护金属层的上表面的一部分的开口部(58a)的第二绝缘层(58)，第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且厚度为18nm以上。

Scanning antenna

A scanning antenna has a TFT substrate, a slot substrate and a liquid crystal layer (LC). The transmission terminal part (PT) of the TFT substrate has a patch connection part (15p) formed by a low resistance metal film identical to the patch electrode (15), a first protective metal layer (25) formed on the patch connection part (15p), and a first insulating layer (17) with an opening part (18p) that exposes the upper surface of the first protective metal layer. The terminal part of the slot substrate has a slot junction (55M) formed by a low resistance metal film identical to the slot electrode 55, a second protective metal layer (45a), (45b) formed on the slot junction, and a second insulating layer (58) with an opening part (58a) exposed on the upper surface of the second protective metal layer. The first and second protective metal layers are separately separated from the Ti layer and the MoNb layer, respectively. At least one of the selected layers in the group consisting of layers, MoNbNi layers, MoNbN layers and MoNbNiN layers is formed with a thickness of more than 18 nm.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扫描天线
本专利技术涉及扫描天线，特别是涉及天线单位(有时也称为“振子天线”。)具有液晶电容的扫描天线(有时也称为“液晶阵列天线”。)及其制造方法。
技术介绍
移动体通信或卫星广播用天线需要改变波束的方向(被称为“波束扫描”或者“波束定向(beamsteering)”。)的功能。作为具有这种功能的天线(以下称为“扫描天线(scannedantenna)。)，已知具备天线单位的相控阵天线。但是，现有的相控阵天线的价格高，这成为向消费品普及的障碍。特别是，当天线单位的数量增加时，成本会显著上升。因此，已提出利用了液晶材料(包含向列液晶、高分子分散液晶)的大的介电各向异性(双折射率)的扫描天线(专利文献1～4和非专利文献1)。液晶材料的介电常数具有频率分散性，因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数(有时也称为“相对于微波的介电常数”。)特别标记为“介电常数M(εM)”。在专利文献3和非专利文献1中，记载了通过利用液晶显示装置(以下称为“LCD”。)的技术能得到价格低的扫描天线。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2007-116573号公报专利文献2：日本专利特开2007-295044号公报专利文献3：特表2009-538565号公报专利文献4：特表2013-539949号公报非专利文献非专利文献1：R.A.Stevensonetal.,“RethinkingWirelessCommunications：AdvancedAntennaDesignusingLCDTechnology”,SID2015DIGEST,pp.827-830.非专利文献2：M.ANDOetal.,“ARadialLineSlotAntennafor12GHzSatelliteTVReception”,IEEETransactionsofAntennasandPropagation,Vol.AP-33,No.12,pp.1347-1353(1985).
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题如上所述，虽然已知通过应用LCD技术来实现价格低的扫描天线这样的想法，但是没有具体地记载利用LCD技术的扫描天线的结构、其制造方法以及其驱动方法的文献。因此，本专利技术的目的在于提供能利用现有的LCD的制造技术批量生产的扫描天线。解决问题的方案根据本专利技术的一实施方式的扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线具有：TFT基板，其具有第一电介质基板(例如玻璃基板)、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；缝隙基板，其具有第二电介质基板(例如玻璃基板)、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面(与所述第一电介质基板相对的面)上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第二保护金属层，其形成在所述缝隙连接部上；以及第二绝缘层，其具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部，所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且，厚度为18nm以上。所述第一以及第二保护金属层的厚度优选分别独立地在28nm以上。所述第一以及第二保护金属层的厚度的上限例如为300nm。所述第一低电阻金属层例如，是具有0.3μm以上2μm以下的厚度的Al层。所述第二低电阻金属层例如，是厚度为2μm以上6μm以下的Cu层。所述传输端子部还可以具有形成在所述第一保护金属层上的透明导电层。所述端子部还可以具有形成在所述第二保护金属层上的透明导电层。所述透明导电层的厚度例如是20nm以上250nm以下。在一实施方式中，所述传输端子部还具有在所述贴片连接部与所述第一保护金属层之间的第一高熔点金属含有层。第一高熔点金属含有层的厚度例如是10nm以上200nm以下。在一实施方式中，所述端子部还具有在所述缝隙连接部与所述第二保护金属层之间的第二高熔点金属含有层。第二高熔点金属含有层的厚度例如是10nm以上300nm以下。在一实施方式中，所述第一或第二高熔点金属含有层包含Mo或MoN。在一实施方式中，在将所述第一电介质基板的表面设为基准时，从所述第一绝缘层的所述开口部露出的所述第一保护金属层的上表面位于高于所述第一绝缘层的位置。在一实施方式中，所述第一及第二绝缘层是厚度为0.2μm以下的氮化硅层。在一实施方式中，所述第二保护金属层覆盖所述缝隙连接部的整个上表面以及整个侧面。根据本专利技术的其它实施方式的扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线具有：TFT基板，其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；缝隙基板，其具有第二电介质基板、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；以及第二保护金属层，其覆盖所述缝隙连接部的整个上表面和整个侧面，所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成。在一实施方式中，所述端子部还具有第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出所述缝隙连接部的上表面的一部分的开口部，所述第二保护金属层形成在所述第二绝缘层上。在一实施方式中，所述端子部还具有第二绝缘层，所述第二绝缘层具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部。在一实施方式中，所述第一及第二绝缘层是厚度为0.2μm以下的氮化硅层。在一实施方式中，所述端子部还具有透明导电层，所述透明导电层形成在所述第二保护金属层上。所述透明导电层的厚度例如是20nm以上250nm以下。专利技术效果根据本专利技术的某实施方式，可提供能利用现有的LCD的制造技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线的特征在于，具有：TFT基板，其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；缝隙基板，其具有第二电介质基板、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第二保护金属层，其形成在所述缝隙连接部上；以及第二绝缘层，其具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部，所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且，厚度为18nm以上。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.10 JP 2016-1165001.一种扫描天线，其排列有多个天线单位，所述扫描天线的特征在于，具有：TFT基板，其具有第一电介质基板、由所述第一电介质基板支撑的多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、以及分别与所述多个TFT内对应的TFT漏极连接的多个贴片电极；缝隙基板，其具有第二电介质基板、和缝隙电极，所述缝隙电极形成于所述第二电介质基板的第一主面上，且具有与所述多个贴片电极对应配置的多个缝隙；液晶层，其设置在所述TFT基板与所述缝隙基板之间；以及反射导电板，其以隔着电介质层，跟所述第二电介质基板的与所述第一主面相反的一侧的第二主面相对的方式配置，所述TFT基板还具有配置在非发送接收区域的传输端子部，所述传输端子部具有：贴片连接部，其由与所述多个贴片电极所具有的第一低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第一保护金属层，其形成在所述贴片连接部上；以及第一绝缘层，其具有露出所述第一保护金属层的上表面的一部分的开口部，所述缝隙基板还具有配置在非发送接收区域的端子部，所述端子部具有：缝隙连接部，其由与所述缝隙电极所具有的第二低电阻金属层相同的低电阻金属膜形成；第二保护金属层，其形成在所述缝隙连接部上；以及第二绝缘层，其具有露出所述第二保护金属层的上表面的一部分的开口部，所述第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且，厚度为18nm以上。2.根据权利要求1所述的扫描天线，其特征在于，所述传输端子部还具有在所述贴片连接部与所述第一保护金属层之间的第一高熔点金属含有层。3.根据权利要求1或2所述的扫描天线，其特征在于，所述端子部还具有在所述缝隙连接部与所述第二保护金属层之间的第二高熔点金属含有层。4.根据权利要求3所述的扫描天线，其特征在于，所述第一或第二高熔点金属含有层包含Mo或MoN。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的扫描天线，其特征在于，在将所述第一电介质基板的表面设为基准时，从所述第一绝缘层的所述开口部露出的所述第一保护金属层的上表面位于高于所述第一绝缘层的位置。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的扫...

【专利技术属性】
技术研发人员：美崎克纪，松原邦夫，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP