场发射装置和重整处理方法制造方法及图纸

发射器(3)和靶(7)布置成在真空室(1)中彼此面对，并且保护电极(5)设置在发射器(3)的电子生成部分(31)的外周侧。发射器(3)被具有能移动主体(40)的发射器支撑单元(4)在真空室(1)的两端方向上能移动地支撑。为了执行保护电极(5)的再生处理，通过操作发射器支撑单元使发射器移动到无放电位置，并且设定抑制电子生成部分(31)的场发射的状态，然后通过跨保护电极(5)施加电压，重复放电。在再生处理之后，通过再次操作发射器支撑单元，发射器移动到放电位置，并且在由移动约束单元(6)约束能移动主体(40)朝着另一个端侧的移动的情况下设定电子生成部分(31)的场发射是可允许的状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】场发射装置和重整处理方法
本专利技术涉及应用于诸如X射线设备、电子管和照明系统之类的各种装置的场发射装置(电场放射装置)和重整处理方法(再生处理方法)。
技术介绍
作为应用于诸如X射线设备、电子管和照明系统之类的各种装置的电场放射装置的示例，已知如下的构造，其中，在发射器(由碳等形成的电子源)和靶之间施加电压，发射器和靶在真空外壳的真空室中彼此面对的同时被定位(以预定距离分开)，通过发射器的场发射(通过生成电子和发射电子)发射电子束，并且通过使发射的电子束与靶碰撞，获得期望的功能(例如，在X射线设备的情况下，通过X射线的外部发射的透视分辨率)。另外，已经讨论了：例如，通过采用在发射器和靶之间插入栅网电极而形成的三极管结构、和/或通过使发射器的电子生成部分(位于靶的相对侧并且生成电子的部分)的表面成形为弯曲表面、和/或通过在发射器的外周侧布置与发射器处于相同电位的保护电极(例如，专利文献1和2)，来抑制从发射器发射的电子束的分散。期望通过经由上述电压施加仅从发射器的电子生成部分生成电子来发射电子束。但是，如果真空室中存在不期望的微小突出部或污垢等，那么容易发生非故意的闪络现象，并且不能获得耐电压性能，于是可能无法获得期望的功能。例如，这是在保护电极等(靶、栅网电极和保护电极，根据需要，以下简称为保护电极等)处形成局部电场集中容易发生的部分(例如，在加工过程中形成的微小突出部)的情况、保护电极等吸收气体成分(例如真空外壳内的残留气体成分)的情况、以及容易引起电子生成的元素包含在应用于保护电极等的材料中的情况。在这些情况下，电子生成部分也在保护电极等处形成，并且电子的生成量变得不稳定，于是电子束容易分散。例如，在X射线设备的情况下，存在X射线将失焦的风险。因此，作为抑制闪络现象的方法(作为稳定电子的生成量的方法)，例如，已经研究了执行跨保护电极等(例如，在保护电极和栅网电极之间)施加电压(高电压)并重复放电的电压放电调节处理(再生(重整)；下文中在必要时简称为再生处理)的方法。引用列表专利文献专利文献1：日本未经审查的专利申请公开No.2008-150253专利文献2：日本未经审查的专利申请公开No.2011-008998
技术实现思路
但是，当仅跨保护电极等施加再生处理的电压时，也容易发生发射器的场发射(例如，在执行再生处理之前的场发射)，于是存在保护电极等将无法适当地经历再生处理的风险。鉴于上述技术问题，提出了本专利技术。因此，本专利技术的一个目的是提供一种技术，这种技术能够在抑制发射器的场发射的同时执行保护电极等的再生处理并且能够有助于改善电场放射装置的特性。根据本专利技术的电场放射装置和再生处理方法是能够解决上述问题的装置和方法。作为电场放射装置的一个方面，电场放射装置包括：真空外壳，通过密封筒状绝缘体的两个端侧并且在所述绝缘体的内壁侧具有真空室而形成；发射器，位于所述真空室的一个端侧，并且具有面向所述真空室的另一个端侧的电子生成部分；保护电极，布置在所述发射器的所述电子生成部分的外周侧；靶，位于所述真空室的所述另一个端侧，并且被设置成面向所述发射器的所述电子生成部分；能移动的发射器支撑单元，具有在所述真空室的两端方向上能移动的能移动主体，并且通过所述能移动主体在所述真空室的两端方向上能移动地支撑所述发射器；以及移动约束单元，约束所述能移动主体朝着所述两端方向的所述另一个端侧的移动，并且所述发射器支撑单元被配置成通过所述发射器支撑单元的移动来改变所述发射器的所述电子生成部分和所述靶之间的距离，并且在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的情况下，由所述发射器的所述电子生成部分执行场发射。所述移动约束单元具有：突出部，在所述真空室的横断方向上从所述能移动主体的外周侧向外突出；以及交叉部分，设置在相对于所述突出部的所述真空室的所述另一个端侧的位置处，并且在所述两端方向上与所述突出部交叉。并且，所述移动约束单元被配置成通过所述突出部与所述交叉部分的接触来约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动。所述保护电极具有在所述真空室的两端方向上延伸的筒状形状，并且所述保护电极的一个端部由所述真空外壳支持，并且所述交叉部分在所述真空室的横断方向上从所述保护电极的筒状内周侧(的中部)向内突出。此外，在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的状态下，所述保护电极的靶侧和所述发射器的所述电子生成部分之间的距离变得最短。所述保护电极在其靶侧设置有小直径部分。或者，所述保护电极在其靶侧设置有边缘部分，所述边缘部分在所述真空室的横断方向上延伸并且在所述真空室的两端方向上与所述发射器的所述电子生成部分的周缘部分重叠。所述电场放射装置还包括：波纹管，能够在所述真空室的两端方向上伸缩。并且，所述波纹管的一个端侧由所述发射器支撑单元支持，并且所述波纹管的另一个端侧由所述真空外壳支持。所述能移动主体具有在所述发射器的所述电子生成部分的相对侧在所述真空室的两端方向上延伸的形状。此外，在所述真空室中的所述发射器和所述靶之间设置栅网电极。作为上述电场放射装置的再生处理方法的一个方面，再生处理方法包括：在所述发射器的所述电子生成部分和所述保护电极通过所述发射器支撑单元的操作而彼此分离的状态下跨所述保护电极施加电压；以及对所述真空室中的至少所述保护电极执行再生处理。根据上述的本专利技术，能够在抑制发射器的场发射的同时执行保护电极等的再生处理并且能够有助于改善电场放射装置的特性。附图说明图1是示出根据本专利技术实施例的电场放射装置的示意性说明图(在真空室1的两端方向上截取的截面图(放电位置))。图2是示出根据本专利技术实施例的电场放射装置的示意性说明图(在真空室1的两端方向上截取的截面图(无放电位置))。图3是示出实施例的电场放射装置的保护电极5的示例的示意性说明图(图1的一部分的放大图，其中保护电极5具有小直径部分51而不是边缘部分52)。图4是示出不具有移动约束部分6的电场放射装置的示意性说明图(在真空室1的两端方向上截取的截面图(放电位置))。图5是示出不具有移动约束部分6的电场放射装置的示意性说明图(在真空室1的两端方向上截取的截面图(无放电位置))。具体实施方式根据本专利技术实施例的电场放射装置不是在通过密封绝缘体的两个端侧而形成的真空室中仅具有定位成彼此面对的发射器和靶以及在发射器的电子生成部分的外周侧的保护电极的电场放射装置，而是具有通过在真空室的两个端部的方向(下文中简称为两端方向)上能移动的能移动主体而在两端方向上能移动地支撑发射器的能移动的发射器支撑单元、并且被配置成能够通过发射器支撑单元的移动而改变发射器的电子生成部分和靶之间的距离的电场放射装置。另外，根据本专利技术实施例的电场放射装置具有约束或限制能移动主体朝着两端方向的另一个端侧(即靶侧)的移动的移动约束单元，并且被配置成在由移动约束单元约束能移动主体朝着另一个端侧的移动的状态(下文中，简称为移动约束状态)下允许发射器的电子生成部分的场发射。作为保护电极等的常规再生处理方法，除了如上面所提到的跨保护电极等施加高电压的方法之外，通过在真空大气中暴露保护电极等来去除吸收的气体的方法是已知的。这个方法是这样一种方法，其中，例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电场放射装置，包括：真空外壳，通过密封筒状绝缘体的两个端侧并且在所述绝缘体的内壁侧具有真空室而形成；发射器，位于所述真空室的一个端侧，并且具有面向所述真空室的另一个端侧的电子生成部分；保护电极，布置在所述发射器的所述电子生成部分的外周侧；靶，位于所述真空室的所述另一个端侧，并且被设置成面向所述发射器的所述电子生成部分；能移动的发射器支撑单元，具有在所述真空室的两端方向上能移动的能移动主体，并且通过所述能移动主体在所述真空室的两端方向上能移动地支撑所述发射器；以及移动约束单元，约束所述能移动主体朝着所述两端方向的所述另一个端侧的移动，并且所述发射器支撑单元被配置成通过所述发射器支撑单元的移动来改变所述发射器的所述电子生成部分和所述靶之间的距离，并且在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的情况下，由所述发射器的所述电子生成部分执行场发射。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.23 JP 2016-1241491.一种电场放射装置，包括：真空外壳，通过密封筒状绝缘体的两个端侧并且在所述绝缘体的内壁侧具有真空室而形成；发射器，位于所述真空室的一个端侧，并且具有面向所述真空室的另一个端侧的电子生成部分；保护电极，布置在所述发射器的所述电子生成部分的外周侧；靶，位于所述真空室的所述另一个端侧，并且被设置成面向所述发射器的所述电子生成部分；能移动的发射器支撑单元，具有在所述真空室的两端方向上能移动的能移动主体，并且通过所述能移动主体在所述真空室的两端方向上能移动地支撑所述发射器；以及移动约束单元，约束所述能移动主体朝着所述两端方向的所述另一个端侧的移动，并且所述发射器支撑单元被配置成通过所述发射器支撑单元的移动来改变所述发射器的所述电子生成部分和所述靶之间的距离，并且在由所述移动约束单元约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动的情况下，由所述发射器的所述电子生成部分执行场发射。2.如权利要求1所述的电场放射装置，其中：所述移动约束单元具有：突出部，在所述真空室的横断方向上从所述能移动主体的外周侧向外突出；以及交叉部分，设置在相对于所述突出部的所述真空室的所述另一个端侧的位置处，并且在所述两端方向上与所述突出部交叉，并且所述移动约束单元被配置成通过所述突出部与所述交叉部分的接触来约束所述能移动主体朝着所述真空室的所述另一个端侧的移动。3.如权利要求2所述的电场放射装置，其中：所述保护电极具有在所述真空室的两端方向上延伸的筒状形状，并且所述保护电极的一个端部由所述真空外壳支持，并且所述交叉部分在所述真空室的横...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥大造，畠中道大，
申请(专利权)人：株式会社明电舍，
类型：发明
国别省市：日本,JP