【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于检测生物大分子的电子装置本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2016年6月20日提交的美国临时申请No.62/352,450的权益，其通过引用以其整体并入本文。
本专利技术涉及用于确定大分子性质的装置和方法。该装置包括整合在单片式平台上的流体控制单元和大分子测量单元。还公开了使用经固定的磁性颗粒测量大分子性质的装置和方法。
技术介绍
确定生物样品中生化物质和大分子的性质对医学很重要。需要提供源自生物样品的大分子的通用且稳健的测量，其简单且方便。专利技术概述根据本专利技术，大分子测量装置包括电子传感结构；交界部结构，其位于电子传感结构之上；大分子测量结构，其位于交界部结构之上，其中大分子测量结构包括多个大分子测量池；以及流体控制结构，其位于大分子测量结构之上。根据本专利技术，制造大分子测量装置的方法，其包括提供大分子测量单元，其中大分子测量单元包括电子传感结构、位于电子传感结构之上的交界部结构和位于交界部结构之上的大分子测量结构；提供流体控制单元，其中流体控制单元包括载体、位于载体之上的释放层和位于释放层之上的流体控制结构；以及键合流体控制结构至大分子测...
【技术保护点】
1.大分子测量装置，其包括：电子传感结构；交界部结构，其位于所述电子传感结构之上；大分子测量结构，其位于所述交界部结构之上，其中所述大分子测量结构包括多个大分子测量池；和流体控制结构，其位于所述大分子测量结构之上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.20 US 62/352,4501.大分子测量装置，其包括：电子传感结构；交界部结构，其位于所述电子传感结构之上；大分子测量结构，其位于所述交界部结构之上，其中所述大分子测量结构包括多个大分子测量池；和流体控制结构，其位于所述大分子测量结构之上。2.如权利要求1所述的大分子测量装置，其中所述电子传感结构包括硅-CMOS电子器件。3.如权利要求1所述的大分子测量装置，其中，所述交界部结构包括电极；和所述电极中的每一个将大分子测量池互连至所述电子传感结构。4.如权利要求1所述的大分子测量装置，其中所述大分子测量结构包括一个或多个流动通道，所述流动通道流体连接至所述多个大分子测量池中的每一个。5.如权利要求1所述的大分子测量装置，其中所述大分子测量结构包括阴极，其中所述阴极电连接至所述多个大分子测量池中的每一个并且电连接至所述电子传感结构。6.如权利要求1所述的大分子测量装置，其中，所述流体控制结构包括多个通道和多个阀；和所述多个通道和所述多个阀被配置为引导气体、流体、膜组分和/或大分子至所述多个大分子测量池以及从所述多个大分子测量池引导气体、流体、膜组分和/或大分子。7.如权利要求1所述的大分子测量装置，其包括多个储器，所述多个储器流体连接至所述流体控制结构。8.如权利要求1所述的大分子测量装置，其中所述电子传感结构、所述交界部结构、所述大分子测量结构和所述流体控制结构中的每一个与外部环境隔绝，其内压范围为1E10-7Pa至700kPa。9.制造大分子测量装置的方法，其包括：提供大分子测量单元，其中所述大分子测量单元包括电子传感结构、位于所述电子传感结构之上的交界部结构和位于所述交界部结构之上的大分子测量结构；提供流体控制单元，其中所述流体控制单元包括载体、位于所述载体之上的释放层和位于所述释放层之上的流体控制结构；和使所述流体控制结构键合至所述大分子测量结构。10.如权利要求9所述的方法，其包括在键合后从所述流体控制结构去除所述载体和所述释放层。11.如权利要求9所述的方法，其中使用半导体加工方法制造所述大分子测量单元。12.如权利要求9所述的方法，其中使用半导体工艺方法制造所述流体控制单元。13.如权利要求9所述的方法，其中键合包括聚合物至氧化物键合。14.如权利要求9所述的方法，其中所述大分子测量单元通过包括以下的步骤制造：制造电子传感结构；在所述电子传感结构上制造交界部结构；和在所述交界部结构上制造大分子测量结构。15.如权利要求9所述的方法，其中所述流体控制单元通过包括以下的步骤制造：提供载体；使释放层沉积在所述载体上；和在所述释放层上制造流体控制结构。16.制备大分子测量池的方法，其包括施加真空至所述测量池、用气体吹扫所述测量池或上述步骤的组合。17.如权利要求16所述的方法，其中制备所述大分子测量池包括从所述测量池去除氧气。18.如权利要求16所述的方法，其中所述真空压力为1E10-7Pa至0Pa。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊戈尔·伊万诺夫，艾伯特·楚恩，牛立程，田辉，
申请(专利权)人：阿克斯比尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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