试样表面的制作方法、试样表面的分析方法、电场辅助氧化用探针及具备该探针的扫描型探针显微镜技术

本发明专利技术提供一种形成有标记的试样表面的制作方法，所述标记是在试样表面局部形成的局部氧化膜；通过在使探针的前端与所述试样表面接触的状态下，对所述探针与试样表面之间施加电压来形成所述局部氧化膜；并且使所述探针在实施了水分供给处理后与所述试样表面接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】试样表面的制作方法、试样表面的分析方法、电场辅助氧化用探针及具备该探针的扫描型探针显微镜相关申请的交叉引用本申请主张2016年6月30日申请的日本特愿2016-130792号的优先权，特在此将其全部内容作为公开进行引用。
本专利技术涉及一种形成有标记的试样表面的制作方法、试样表面的分析方法、电场辅助氧化用探针以及具备上述电场辅助氧化用探针的扫描型探针显微镜。
技术介绍
通过显微镜等分析装置对存在于试样表面的异物、缺陷等异常对象进行详细分析，得到异常对象的形状、尺寸、存在位置等详细信息，这种方法在各种领域中广泛进行。例如，在半导体晶片的制造领域中，通过得到这种异常对象的详细信息，能够推定试样表面(例如半导体晶片表面)的污染原因，并基于该推定进行用于减少污染原因的制造工序管理(例如制造装置的维护、更换、清洗的强化等)。另外，例如在专利第3104640号(特在此将其全部内容作为公开进行引用)中提出了一种方案：在通过分析装置对异常对象进行详细分析之前，在试样表面的异常对象附近形成标记，以便确定需要详细分析的异常对象的位置。在专利第3104640号中，作为标记形成方法的一例列举了阳极氧化法(参本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作方法，是形成有标记的试样表面的制作方法，其特征在于，所述标记是在试样表面局部形成的局部氧化膜；通过在使探针的前端与所述试样表面接触的状态下，对所述探针与试样表面之间施加电压来形成所述局部氧化膜；并且使所述探针在实施了水分供给处理后与所述试样表面接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 JP 2016-1307921.一种制作方法，是形成有标记的试样表面的制作方法，其特征在于，所述标记是在试样表面局部形成的局部氧化膜；通过在使探针的前端与所述试样表面接触的状态下，对所述探针与试样表面之间施加电压来形成所述局部氧化膜；并且使所述探针在实施了水分供给处理后与所述试样表面接触。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过使实施水分供给处理的探针的前端与亲水性表面接触来进行所述水分供给处理。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述亲水性表面是清洗处理后的表面。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述清洗处理后的表面是清洗处理后的硅晶片表面。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述清洗处理后的硅晶片表面是SC-1清洗后的硅晶片表面。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过将实施水分供给处理的探针保持在湿润气氛中来进行所述水分供给处理。7.根据权利要求1～6中任一项所述的制作方法，其特征在于，与实施了所述水分供给处理的探针接触的试样表面是超疏水性表面或疏水性表面。8.根据权利要求1～7中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：森敬一朗，桥本香织，秀智枝，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP