光检测单元、光检测装置及光检测单元的制造方法制造方法及图纸

技术编号:20289700 阅读:30 留言:0更新日期:2019-02-10 20:19
本发明专利技术的光检测单元具备:第1配线基板,其具有第1主面;多个光检测芯片,其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面,且在所述第1主面上呈二维状地排列;第1凸块电极,其将所述光检测芯片电连接于所述第1配线基板;光透射部,其设置在所述受光面上;及光遮蔽部,其具有光反射性或光吸收性;且所述光检测芯片包含盖革模式APD,在所述背面与所述第1主面相对的状态下利用所述第1凸块电极安装于所述第1配线基板上;所述光遮蔽部在自与所述第1主面交叉的第1方向观察下,在位于彼此相邻的所述光检测芯片之间的中间区域内,设置于至少较所述受光面更靠近所述光透射部一侧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测单元、光检测装置及光检测单元的制造方法
本专利技术的一个方面涉及一种光检测单元、光检测元件及光检测单元的制造方法。
技术介绍
在专利文献1中记载有一种光检测装置。该光检测装置具备:多个受光元件,其分别输出相应于入射的光的光量的电信号;信号处理元件,其与多个受光元件相对配置,被输入自多个受光元件输出的电信号;树脂,其填充在多个受光元件与信号处理元件之间的空隙;及遮光构件,其以覆盖该树脂的自多个受光元件及信号处理元件露出的表面的方式配置。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009-111089号公报专利文献2:日本特开2011-003739号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在专利文献1所记载的光检测装置中,遮光构件以覆盖填充在多个受光元件与信号处理元件之间的空隙的树脂的自受光元件及信号处理元件露出的表面的方式配置。由此,抑制来自树脂的自受光元件及信号处理元件露出的表面的光的入射,而谋求防止杂散光的产生。另,具备以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(盖革模式APD)及相对于各个雪崩光电二极管串联地连接的灭弧电阻的光电二极管阵列已为业界知悉(例如,参照专利文献2)。该光电二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测单元,其具备:第1配线基板,其具有第1主面;多个光检测芯片,其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面,且在所述第1主面上呈二维状地排列;第1凸块电极,其将所述光检测芯片电连接于所述第1配线基板;光透射部,其设置在所述受光面上;及光遮蔽部,其具有光反射性或光吸收性,且所述光检测芯片包含盖革模式APD,在所述背面与所述第1主面相对的状态下利用所述第1凸块电极安装于所述第1配线基板上,并且从与所述第1主面交叉的第1方向观察,在位于彼此相邻的所述光检测芯片之间的中间区域内,所述光遮蔽部设置于至少较所述受光面更靠近所述光透射部一侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.08 JP 2016-1145191.一种光检测单元,其具备:第1配线基板,其具有第1主面;多个光检测芯片,其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面,且在所述第1主面上呈二维状地排列;第1凸块电极,其将所述光检测芯片电连接于所述第1配线基板;光透射部,其设置在所述受光面上;及光遮蔽部,其具有光反射性或光吸收性,且所述光检测芯片包含盖革模式APD,在所述背面与所述第1主面相对的状态下利用所述第1凸块电极安装于所述第1配线基板上,并且从与所述第1主面交叉的第1方向观察,在位于彼此相邻的所述光检测芯片之间的中间区域内,所述光遮蔽部设置于至少较所述受光面更靠近所述光透射部一侧。2.如权利要求1所述的光检测单元,其中,所述光透射部包含所述受光面侧的面的相反侧的光入射面,且在所述第1方向上,所述光遮蔽部的所述光入射面侧的端部位于较所述光入射面更靠近所述第1主面一侧,且朝向所述第1主面侧凹陷。3.如权利要求1或2所述的光检测单元,其中,所述光透射部为安装于所述光检测芯片的各个所述受光面的玻璃构件,且所述光遮蔽部遍及所述中间区域、及所述第1主面与所述背面之间的第1下部区域而一体地设置。4.如权利要求1或2所述的光检测单元,其中,所述光透射部为将多个所述光检测芯片一体地密封的树脂部的一部分,且在所述树脂部,设置有位于所述中间区域的槽部,所述光遮蔽部配置在所述槽部内。5.一种光检测装置,其具备:如权利要求1~3中任一项所述的多个光检测单元、具有第2主面的第2配线基板、及将所述光检测单元电连接于所述第2配线基板的第2凸块电极,且所述光检测单元沿所述第2主面排列,且在所述第1配线基板的所述第1主面的相反侧的底面与所述第2主面相对的状态下,利用所述第2凸块电极安装于所述第2配线基板,所述光遮蔽部遍及所述中间区域、所述第1主面与所述背面之间的第1下部区域、及所述第2主面与所述底面之间的第2下部区域而一体地设置。6.一种光检测装置,其具备:如权利要求4所述的多个光检测单元、具有第2主面的第2配线基板、及将所述光检测单元电连接于所述第2配线基板的第2凸块电极,且所述光检测单元沿所述第2主面排列,且在所述第1配线基板的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:土屋龙太郎永野辉昌辻悠太河合刚大桑勇树
申请(专利权)人:浜松光子学株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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