发光装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术个公开一种发光装置以及其制造方法，该发光装置包含一发光元件、一波长转换层以及一反射围栏。发光元件包含一第一上表面、一下表面以及位于上表面及下表面之间的一侧面。波长转换层包含波长转换材料，且包含覆盖第一上表面的第二上表面。反射围栏环绕发光元件的侧面，且直接接触波长转换层并与该第二上表面之间有一段差。其中，发光装置的发光角度介于110度至118度之间。

Luminescent device and its manufacturing method

The invention discloses a light emitting device and a manufacturing method thereof. The light emitting device comprises a light emitting element, a wavelength conversion layer and a reflection fence. The light emitting element comprises a first upper surface, a lower surface and a side between the upper surface and the lower surface. The wavelength conversion layer comprises a wavelength conversion material and a second upper surface covering the first upper surface. The reflective fence surrounds the side of the light emitting element, and directly contacts the wavelength conversion layer and has a difference with the second upper surface. The luminous angle of the luminous device ranges from 110 to 118 degrees.

【技术实现步骤摘要】
发光装置以及其制造方法
本专利技术涉及一种发光装置及其制造方法，尤其是涉及一种包含波长转换层以及反射围栏的发光装置及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小以及反应速度快等特性，因此广泛应用于各种需要使用发光元件的领域，例如，车辆、家电、及照明灯具等。LED是一种单色光(monochromaticlight)，若要作为白光的发光装置则需混合其他颜色的光。混合其他颜色的光有数种方式可采用，举例来说，可于LED上覆盖一层波长转换层，例如荧光粉层，来达到此目的。荧光粉是一种光致发光的物质，它可以吸收LED所发出的第一光线后发出不同频谱的第二光线。在第一光线未被完全消耗的情况下，未被消耗的第一光线与第二光线互相混合后，可形成另一种颜色的混合光，例如白光。LED白光发光装置在不同应用对发光角度的需求也有所不同，但一般LED白光发光装置的发光角度并不一定能符合所需的应用。
技术实现思路
本专利技术公开一种发光装置，包含一发光元件、一波长转换层以及一反射围栏。发光元件包含一上表面、一下表面以及位于上表面及下表面之间的一侧面。波长转换层包含波长转换材料，且包含覆盖第一上表面的第二上表面。反射围栏环绕发光元件的侧面，且直接接触波长转换层，并与第二上表面之间有一段差。其中，发光装置的发光角度介于110度至118度之间。本专利技术公开一种发光装置的形成方法。形成多个发光元件于一载板上。覆盖一波长转换膜于此些发光元件上。移除部分的波长转换膜以形成多个波长转换层。覆盖一反射层于此些波长转换层之上。移除部分的反射层以形成一反射框架并露出此些波长转换层，其中至少一个波长转换层与反射框架之间形成一段差。分离部分的该反射框架以形成多个反射围栏。附图说明图1A为本专利技术一实施例的一种发光装置的剖视图；图1B为图1A中发光装置的上视图；图2为本专利技术一实施例的发光装置的发光角度的示意图；图3A至图3F及图3H至图3K为本专利技术一实施例的发光装置的制造流程图；图3A至图3G为本专利技术一另实施例的发光装置的制造流程图；图3A至图3B及图4A至图4F为本专利技术另一实施例的发光装置的制造流程图；图5为本专利技术一实施例的发光模块的示意图；图6A为本专利技术另一实施例的一种发光装置的剖视图；图6B为图6A中发光装置的上视图。符号说明100、100a、100b、100c、220、520a、520b、600：发光装置102：顶表面104：底表面106：侧面120、120a、120b、120c、522a、522b、620：发光元件121：上表面122：承载基板123：下表面124：发光层125：侧面126、126a、126b、126c：接触电极140、140a、140b、140c、524a、524b、640：波长转换层140’：波长转换膜141：上表面142：粘合剂144：波长转换粒子150、160’、460’、526a、526b、650：反射层160、160a、160b、160c、460a、460b、460c、526a、526b、660：反射围栏160”、460”：反射框架162：顶面180、180a、180b、180c、182、184、680：导电部240、560：光学元件312、352：暂时性基板314、354：粘胶层331、332、332、534：切割工具370：滚轮390：框架430’、430a、430b、430c：暂时层500：发光模块540：载板542a、542b：电路层h：段差高度H：整体厚度T：厚度具体实施方式图1A为根据本专利技术一实施例所揭露的一发光装置100的剖视图。发光装置100包含一发光元件120、一波长转换层140及一反射围栏160。在此实施例中，发光装置100还包含一反射层150(第一反射层)以及一导电部180。在另一实施例中，发光装置100则不包含反射层150以及导电部180。波长转换层140覆盖发光元件120的部分表面。此外，反射围栏160环绕波长转换层140。具体而言，参阅图1B，反射围栏160同时环绕发光元件120及波长转换层140。参阅图1A，发光装置100包含一顶表面102、一底表面104及多个侧面106，侧面106位于顶面102及底面104之间。在一实施例中，发光元件120包含一承载基板122、一发光层124以及接触电极126。其中，发光层124的一侧朝向承载基板122，另一侧朝向接触电极126。此外，发光元件120包含一上表面121、一下表面123及多个侧面125，侧面125位于顶面121及底面123之间。承载基板122可用以承载或支撑发光层124。此外，发光层124发出的光线可穿过承载基板122。进一步说明，承载基板122远离发光层124的一面，也是发光元件120的上表面121，即为发光元件120的出光面。在一实施例中，承载基板122为成长基板(growthsubstrate)，例如可以是蓝宝石(sapphire)基板，作为发光层124外延成长时的基板。在另一实施例中，承载基板122并非成长基板，在制造发光装置100的制作工艺中成长基板被移除或置换为其他基板(例如，不同材料、不同结构、或不同形状的基板)。在一实施例中，发光层124包含第一半导体层、活化层以及第二半导体层(未显示)。第一半导体层可为n-型半导体层，第二半导体层可为p-型半导体层。在一实施例中，接触电极126包含两接触电极126a及126b位在发光元件120的同一侧，作为发光元件120与外界电连接的界面。其中，下表面123包含两接触电极126a及126b的表面，因此在图1A中，下表面123是指发光层124的部分底面以及接触电极126a及126b的表面。接触电极126a及126b会分别与第一半导体层及第二半导体层电连接。此外，接触电极126a及126b可以突出于(低于)波长转换层140的底面(如图所示)、或与底面大约齐平(图未示)、或仅其中的一突出底面(图未示)。侧面125包含承载基板122及发光层124的侧面。侧面125也可为发光元件120的出光面。在一实施例中，发光元件120有四个侧面125，相对的侧面125彼此大致上互相平行，亦即，由上视图观之，发光元件120为正方形、长方形或平行四边形。上表面121与下表面123的一部分也大致互相平行。在一实施例中，发光元件120为倒装式发光二极管管芯(flipchipLEDdie)。发光元件120可为一发光二极管管芯(LEDdie)，例如但不限为蓝光发光二极管管芯或紫外(UV)光发光二极管管芯。在一实施例中，发光元件120为蓝光发光二极管管芯，可经由电源提供一电力而发出第一光线，第一光线的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peakwavelength)介于430nm至490nm之间。在另一实施例中，发光元件120为紫光发光二极管管芯，第一光线的主波长(dominantwavelength)或峰值波长(peakwavelength)介于400nm至430nm之间。在另一实施例中，发光元件120为紫外光发光二极管管芯，第一光线的峰值波长(peakwavelength)介于315nm至400nm之间或是介于280n本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包含：发光元件，包含第一上表面、下表面以及位于该上表面及该下表面间的多个第一侧面；波长转换层，包含多颗波长转换粒子，且包含位于该第一上表面正上方的第二上表面；以及反射围栏，环绕该多个第一侧面，其中，该反射围栏具有顶面，该顶面与该第二上表面之间具有段差，其中，该发光装置具有一发光角度，该发光角度介于110度至118度之间。

【技术特征摘要】
2017.07.28 TW 1061256341.一种发光装置，其特征在于，包含：发光元件，包含第一上表面、下表面以及位于该上表面及该下表面间的多个第一侧面；波长转换层，包含多颗波长转换粒子，且包含位于该第一上表面正上方的第二上表面；以及反射围栏，环绕该多个第一侧面，其中，该反射围栏具有顶面，该顶面与该第二上表面之间具有段差，其中，该发光装置具有一发光角度，该发光角度介于110度至118度之间。2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该顶面高于该第二上表面在5微米至100微米之间。3.如权利要求1所述的发光装置，其中，该顶面高于该第二上表面为h，该发光装置的高度为H，且h与H的比值(h/H)在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑景太，石俊华，任益华，余仁杰，刘欣茂，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71