一种湿法清洗制绒工艺制造技术

本发明专利技术提供一种湿法清洗制绒工艺，包括采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃和在去除磷、硼硅玻璃的硅片表面湿法制绒。本发明专利技术的有益效果是采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，为湿法制绒做好准备，更加利于后续湿法制绒过程，利于制绒时硅片与腐蚀液的接触反应；同时，采用湿法制绒工艺，制得的硅片表面粗糙度增大，利于硅片后续玻钝工艺保护层的涂覆，使得玻钝工艺中保护层涂覆时附着力增加。

A Wet Cleaning Process for Cashmere Making

The invention provides a wet cleaning wool making process, which includes removing phosphorus, borosilicate glass on the surface of silicon wafer after diffusion treatment by high temperature steam and hydrofluoric acid, and wet wool on the surface of silicon wafer after removing phosphorus and borosilicate glass. The beneficial effect of the invention is that the phosphorus and borosilicate glass on the surface of silicon wafer after diffusion treatment are removed by high temperature steam and hydrofluoric acid to prepare for wet-process velvet, which is more conducive to the subsequent wet-process velvet and the contact reaction between silicon wafer and corrosive solution during velvet-making; meanwhile, the surface roughness of the silicon wafer prepared by wet-process is increased and the subsequent glass passivation process of silicon wafer wafer The coating of the protective coating increases the adhesion of the protective coating in the glass passivation process.

【技术实现步骤摘要】
一种湿法清洗制绒工艺
本专利技术属于硅片制作
，尤其是涉及一种湿法清洗制绒工艺。
技术介绍
随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为钝化材料，应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求，半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(GlasspassivationprocessChip)，即GPP芯片。目前，行业内GPP芯片所用的硅片制绒采用的方法为干法打砂制绒，使用石英砂经过高速喷出，对硅片表面进行打磨，使得硅片表面粗糙度增大。但是，采用干法打砂工艺制绒具有明显的缺点是，采用干法打砂制绒的硅片，硅片受力较大，使得硅片容易破碎，且制绒效果不明显，粗糙度较小，且工艺流程复杂，投入成本较大。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题是提供一种湿法清洗制绒工艺，应用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理硅片表面的磷、硼硅玻璃，采用湿法制绒工艺，使得硅片表面制得坚固的针状结构，减少硅片表面损伤，且硅片表面粗糙度增大，利于后续硅片玻钝工艺保护层的涂覆。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种湿法清洗制绒工艺，包括如下步骤：1)去除扩散后处理的硅片表面的形成层；2)湿法制绒。进一步的，步骤2)湿法制绒包括如下步骤：A.配置腐蚀清洗液：分别配置多级清洗液；B.将配置好的腐蚀清洗液倒入相应的多级清洗槽中，并设定好所述多级清洗槽的温度；C.当各级清洗槽的温度达到设定值时，将硅片依次放置多级清洗槽中清洗，每级清洗后均进行冲水；D.将冲水后的所述硅片甩干，并进行表面粗糙度测试。进一步的，多级清洗液包括第一级清洗液、第二级清洗液和第三级清洗液。进一步的，多级清洗槽包括第一级清洗槽、第二级清洗槽和第三级清洗槽。进一步的，步骤A包括以下步骤：A1.称取适量氢氧化钾，配置质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液；A2.配置第一级清洗液：将双氧水、纯水和配置的质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液按照体积比为6-10:110-120:1-8的比例混合进行配置第一级清洗液；A3.配置第二级清洗液：将配置的质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液、制绒添加剂和纯水按照体积比为0.35-0.42:0.04-0.09:5-10的比例混合进行配置第二级清洗液；A4.配置第三级清洗液：将氢氟酸、盐酸和纯水按照体积比为10-15:30-40:60-80的比例混合进行配置第三级清洗液。进一步的，步骤B包括以下步骤：B1.将配置好的第一级清洗液倒入第一级清洗槽中并开启加热装置，并将温度设定为50-70℃；B2.将配置好的第二级清洗液倒入第二级清洗槽中并开启加热装置，将温度设定为70-90℃；B3.将配置好的第三级清洗液倒入第三级清洗槽中。进一步的，步骤C具体包括以下步骤：C1.当各级清洗槽的温度达到设定值时，将硅片放入第一级清洗槽中，3-10min后将硅片进行冲水；C2.将冲水后的硅片放入第二级清洗槽中，20-30min后将硅片取出并冲水；C3.将冲水后的硅片放入第三级清洗槽中，3-10min后将硅片取出并冲水。进一步的，步骤C1、C2和C3的冲水时间均为10-20min。进一步的，步骤1)中采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的形成层，具体包括如下步骤：D1.将扩散后处理后的硅片单片叠到碳化硅舟上，将装载硅片的碳化硅舟放到氧化炉的恒温区；D2.开启氧化炉对硅片进行氧化处理，氧化结束后取出；D3.将取出后的碳化硅舟进行冷却至室温；D4.将冷却后的硅片从所述碳化硅舟上取出，并浸泡在氢氟酸溶液中，浸泡时间为5-15分钟，浸泡后硅片冲水并甩干。进一步的，步骤D2具体包括以下步骤：将氧化炉温度升至1080-1120℃，水域加热10-30分钟，氧化程序结束，将碳化硅舟取出。本专利技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面的磷、硼硅玻璃，为湿法制绒做好准备，更加利于后续湿法制绒过程，利于制绒时硅片与腐蚀液的接触反应；同时，采用湿法制绒工艺，制得的硅片表面粗糙度增大，利于硅片后续玻钝工艺保护层的涂覆，使得玻钝工艺中保护层涂覆时附着力增加。附图说明图1是本专利技术的工艺流程图；具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步的说明。如图1所示，本专利技术涉及一种湿法清洗制绒工艺，包括如下步骤：1)采用高温水蒸气和氢氟酸去除扩散后处理的硅片表面形成层，即磷、硼硅玻璃；2)在去除表面的磷、硼硅玻璃的硅片表面进行湿法制绒。其中，上述步骤1)包括如下步骤：A.将扩散后处理后的硅片单片叠到碳化硅舟上，这里的碳化硅舟为经过氧化处理后的带有卡槽，取下氧化炉石英炉帽，将装载硅片的碳化硅舟放到石英管口；B.用炉钩将碳化硅舟缓慢推入恒温区，并盖上石英炉帽；C.开启氧化炉的启动程序，启动计时器；D.蜂鸣器响起，关闭计时器，启动水汽发生器，开始加热并再次按下计时器开关，随后蜂鸣器响起，关闭计时器，关闭氮气开关，此时氧化炉温度升至1080-1120℃，保持恒温10-30分钟后，关闭水汽发生器，打开氮气开关，氧化程序结束，随后带上手套取下石英帽，用炉勾将碳化硅舟缓慢拉至石英管口，并在石英管口冷却；E.将碳化硅舟取出后，将其置于不锈钢台上充分冷却至室温，在此过程中开启净化工作台高效功能，避免在硅片冷却时混入其他杂质；F.将冷却后的硅片从碳化硅舟上取出，并摆放在容器中，这里的容器为花篮，其中硅片的打标面朝向花篮的U形面，将装有硅片的花篮浸泡在装有49％氢氟酸的槽子中，浸泡时间一般为5-15分钟，浸泡结束后，将花篮取出放入水槽中冲水，冲水一定时间后将硅片甩干，甩干，去掉硅片氧化后表面的损伤层。进一步优化方案，上述步骤2)包括如下步骤：A.配置腐蚀清洗液：分别配置第一级清洗液、第二级清洗液和第三级清洗液；详细步骤如下：a.称取适量氢氧化钾，配置质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液；b.配置第一级清洗液：将双氧水、纯水和配置的质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液按照体积比为6-10:110-120:1-8的比例混合进行配置第一级清洗液；c.配置第二级清洗液：将配置的质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液、制绒添加剂和纯水按照体积比为0.35-0.42:0.04-0.09:5-10的比例混合进行配置第二级清洗液；d.配置第三级清洗液：将氢氟酸、盐酸和纯水按照体积比为10-15:30-40:60-80的比例混合进行配置第三级清洗液。B.将配置好的腐蚀清洗液倒入相应的清洗槽中，并设定好清洗槽的温度；也就是，a.将配置好的第一级清洗液倒入第一级清洗槽中并开启加热装置，并将温度设定为50-70℃；b.将配置好的第二级清洗液倒入第二级清洗槽中并开启加热装置，将温度设定为70-90℃；c.将配置好的第三级清洗液倒入第三级清洗槽中。C.将去除玻璃后的硅片摆放在花篮中，此时硅片的打标面同样朝向花篮的U形面；D.当各级清洗槽的温度达到设定值时，将装有硅片的花篮放入第一级清洗槽中，3-10min后将装有硅片的花篮拿出放入水槽中冲水，冲水时间为10-20min，冲洗的目的是去除硅片表面的第一级清洗液；E.将上述步骤D中冲水后装有硅片的花篮放入第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)去除扩散后处理的硅片表面的形成层；2)湿法制绒。

【技术特征摘要】
1.一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：包括如下步骤：1)去除扩散后处理的硅片表面的形成层；2)湿法制绒。2.根据权利要求1所述的一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：所述步骤2)湿法制绒包括如下步骤：A.配置腐蚀清洗液：分别配置多级清洗液；B.将配置好的所述腐蚀清洗液倒入相应的多级清洗槽中，并设定好所述多级清洗槽的温度；C.当各级所述清洗槽的温度达到设定值时，将所述硅片依次放置多级清洗槽中清洗，每级清洗后均进行冲水；D.将冲水后的所述硅片甩干，并进行表面粗糙度测试。3.根据权利要求2所述的一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：所述多级清洗液包括第一级清洗液、第二级清洗液和第三级清洗液。4.根据权利要求2或3所述的一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：所述的多级清洗槽包括第一级清洗槽、第二级清洗槽和第三级清洗槽。5.根据权利要求3或4所述的一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：所述步骤A包括以下步骤：A1.称取适量氢氧化钾，配置质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液；A2.配置所述第一级清洗液：将双氧水、纯水和配置的所述质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液按照体积比为6-10:110-120:1-8的比例混合进行配置第一级清洗液；A3.配置所述第二级清洗液：将配置的所述质量分数为10-30％的氢氧化钾溶液、制绒添加剂和纯水按照体积比为0.35-0.42:0.04-0.09:5-10的比例混合进行配置第二级清洗液；A4.配置所述第三级清洗液：将氢氟酸、盐酸和纯水按照体积比为10-15:30-40:60-80的比例混合进行配置第三级清洗液。6.根据权利要求4或5所述的一种湿法清洗制绒工艺，其特征在于：所述步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚哲，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，梁效峰，黄志焕，杨玉聪，李丽娟，朱建佶，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12