一种AMOLED显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种AMOLED显示面板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上的阳极层；设置在所述阳极层上的像素定义层和发光层；设置在所述像素定义层上的第二金属层；设置在所述像素定义层和所述第二金属层上的阴极层；其中，所述阴极层包括设置在所述发光层上的多个阴极和与所述阴极电绝缘的多个感应电极，多个所述感应电极形成相互绝缘的第一电极链和第二电极链；所述第一电极链与所述第二电极链相互独立且交错分布，一所述第一电极链上的感应电极用于与所述第二电极链上的感应电极形成电容，以实现指纹识别。

【技术实现步骤摘要】
一种AMOLED显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED显示面板。
技术介绍
Active-matrixorganiclightemittingdiode，简称AMOLED，也就是有源矩阵有机发光二极体面板。目前市面上存在的指纹识别方案主要分为两种，第一种是集成在home键中的前置指纹识别，另一种是机身背部单独指纹识别区域的后置指纹识别。这两种指纹识别都存在一定的不足，前置指纹影响屏的占比，后置指纹不太方便。图1是目前常见指纹识别的设计，一种集成在home键中的前置指纹识别，指纹识别单元与显示区域相互独立，指纹识别放在显示屏的下方区域，限制了屏占比。图中所示1表示显示屏区域；图中所示2表示有效发光区；图中3表示单个像素区域；图中所示4表示Metal1，连接发光二极管的第一电极，通常设计为一整面，整个有效发光区共用一个电压；图中5表示Metal3，连接发光二极管的第二电极，每个像素分别对应一个Metal3，为二极管提供不同的电压；图中6表示集成于home键的指纹识别区域。在智能手机追求屏占空比甚至是全面屏的今天，如何提高屏的占比已成为时下热点。因此，有必要提供一种AMOLED显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种AMOLED显示面板，能够将感应电极嵌入到AMOLED面板中，实现屏下指纹识别，从而增加显示区域的占比，进而实现全面屏设计。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种AMOLED显示面板，包括：衬底基板；阳极层，设置在所述衬底基板上；像素定义层，设置在所述阳极层上，且定义出像素区域；发光层，对应所述像素区域设置于所述阳极层上；第二金属层，设置在所述像素定义层上；阴极层，设置在所述像素定义层和所述第二金属层上；其中，所述阴极层包括对应所述发光层的多个阴极以及与所述阴极绝缘设置的多个感应电极，多个所述感应电极形成相互绝缘的多个第一电极链和多个第二电极链。根据本专利技术一实施例，所述阳极层包括相互间隔设置的阳极和第一导电桥，所述像素定义层在对应所述第一导电桥的位置设置有第一过孔，所述第一电极链包括多个第一感应电极，多个所述第一感应电极通过所述第一过孔与所述第一导电桥电连接。根据本专利技术一实施例，所述阳极、所述第一导电桥的材料均为透明铟锡金属氧化物材料。根据本专利技术一实施例，所述像素定义层包括第一像素定义层与第二像素定义层，所述第一像素定义层设置于所述阳极层上，所述第二金属层设置在所述第一像素定义层上，所述第二像素定义层设置于所述第二金属层上。根据本专利技术一实施例，所述第二金属层包括阵列分布的第二导电桥，所述第二像素定义层在对应所述第二导电桥的位置设置有第二过孔，所述多个阴极通过所述第二过孔与所述第二导电桥实现电连接。根据本专利技术一实施例，所述第二金属层包括绝缘设置的第二导电桥与第三导电桥，所述第一电极链上的多个第一感应电极通过第三过孔与所述第三导电桥电连接，所述多个阴极通过所述第二过孔与所述第二导电桥电连接。根据本专利技术一实施例，所述第一电极链与所述第二电极链相互交叉设置。根据本专利技术一实施例，所述第二电极链包括多个间隔设置的第二感应电极，多个所述第二感应电极通过连接部电连接。根据本专利技术一实施例，所述第二感应电极和所述连接部为一体结构。根据本专利技术一实施例，所述第一感应电极、所述第二感应电极、所述连接部和所述多个阴极通过同一道光罩工艺制成。根据本专利技术一实施例，所述感应电极是指纹识别电极。本专利技术的有益效果为：相较于现有技术的AMOLED显示面板，本专利技术的AMOLED显示面板，通过将阴极层进行图案化制程，形成图案化的多个阴极与多个感应电极，其中，第二电极链上相邻的第二感应电极通过阴极层直接连接，第一电极链上相邻的第一感应电极通过第一导电桥进行连接；相邻的阴极可通过第二导电桥进行连接。第一感应电极用于与第二感应电极形成电容，以实现指纹识别。这样设计可有效利用屏内空间，将指纹识别嵌入面板内，减少指纹识别在面板边界区所占用的空间，可增加显示区域的占比，进而实现全面屏设计，并且将指纹识别置于显示面板正面，符合适用习惯。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术的AMOLED显示面板的指纹识别示意图；图2A为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板沿第一电极链方向的膜层结构示意图；图2B为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板沿第二电极链方向的膜层结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板屏下指纹识别示意图；图4为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板屏下指纹识别各膜层之间连接关系示意图；图5为本专利技术又一实施例提供的AMOLED显示面板的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术针对现有技术的指纹识别设计，指纹识别单元与显示区域相互独立，存在限制屏占比的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。参阅图2A，图2A为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板沿第一电极链方向的膜层结构示意图。所述AMOLED显示面板包括：衬底基板201；缓冲层202，制备于所述衬底基板201上；薄膜晶体管层，制备于所述缓冲层202上；所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的有源层203、间绝缘层204、第一栅极205、栅绝缘层206、第二栅极207、绝缘层208以及位于所述有源层203两端且贯穿所述间绝缘层204与所述栅绝缘层206以及所述绝缘层208的源极209与漏极210；平坦化层211，制备于所述薄膜晶体管层上；阳极层212，制备于所述平坦化层211上；像素定义层213，制备于所述阳极层212上，且定义出像素区域，所述像素定义层213包括层叠设置的第一像素定义层213A与第二像素定义层213B；发光层214，对应所述像素区域制备于所述阳极层212上；第二金属层218，制备于所述第一像素定义层213A上；阴极层215，制备于所述像素定义层213上。其中，所述阴极层215包括设置在所述发光层214上的多个阴极215A和与所述阴极215A电绝缘的多个第一感应电极215B以及多个第二感应电极215C(如图2B所示)，所述多个第一感应电极215B形成第一电极链(如图3中的309)，所述多个第二感应电极215C形成第二电极链(如图3中的308)。所述第一感应电极215B对应所述像素定义层213的非像素区域与所述阴极215A同层绝缘制备。。所述阳极层212包括对应所述发光层214的多个阳极212A以及与所述阳极212A绝缘设置的多个第一导电桥212B，所述第一像素定义层213A以及所述第二像素定义层213B在对应所述第一导电桥212B的位置设置有第一过孔217，所述第一电极链上的所述第一感应电极215B通过所述第一过孔217与所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AMOLED显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；阳极层，设置在所述衬底基板上；像素定义层，设置在所述阳极层上，且定义出像素区域；发光层，对应所述像素区域设置于所述阳极层上；第二金属层，设置在所述像素定义层上；阴极层，设置在所述像素定义层和所述第二金属层上；其中，所述阴极层包括对应所述发光层的多个阴极以及与所述阴极绝缘设置的多个感应电极，多个所述感应电极形成相互绝缘的多个第一电极链和多个第二电极链。

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED显示面板，其特征在于，包括：衬底基板；阳极层，设置在所述衬底基板上；像素定义层，设置在所述阳极层上，且定义出像素区域；发光层，对应所述像素区域设置于所述阳极层上；第二金属层，设置在所述像素定义层上；阴极层，设置在所述像素定义层和所述第二金属层上；其中，所述阴极层包括对应所述发光层的多个阴极以及与所述阴极绝缘设置的多个感应电极，多个所述感应电极形成相互绝缘的多个第一电极链和多个第二电极链。2.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述阳极层包括相互间隔设置的阳极和第一导电桥，所述像素定义层在对应所述第一导电桥的位置设置有第一过孔，所述第一电极链包括多个第一感应电极，多个所述第一感应电极通过所述第一过孔与所述第一导电桥电连接。3.根据权利要求2所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述阳极、所述第一导电桥的材料均为透明铟锡金属氧化物材料。4.根据权利要求1所述的AMOLED显示面板，其特征在于，所述像素定义层包括第一像素定义层与第二像素定义层，所述第一像素定义层设置于所述阳极层上，所述第二金属层设置在所述第一像素定义层上，所述第二像素定义层设置于所述第二金属层上。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑园，严志成，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42